用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法制造方法及图纸

一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。打开。打开。

【技术实现步骤摘要】
用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0087145的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。


[0003]本公开的实施例涉及用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法。

技术介绍

[0004]用于实现更精细图案的极紫外(EUV)光刻工艺的使用逐渐变得更加突出，存在的问题是：例如在现有方法的情况下可能难以防止图案坍塌，其中，在现有方法中，在光刻胶(PR)显影工艺期间显影剂被涂覆在衬底上，并且随着曝光后的光刻胶的临界尺寸(CD)逐渐减小而被高速旋转和干燥。
[0005]这是因为图案之间的拉力在显影剂的表面张力的影响下在干燥期间起作用。如果用具有较小表面张力的超临界流体来替换显影剂然后干燥，则可以解决这个问题。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例包括能够缩短超临界流体的排放时间的用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法。
[0007]另外，本公开的实施例包括能够防止晶片和干燥室被杂质污染的用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法。
[0008]根据一个或多个实施例，提供了一种用于干燥晶片的装置。该装置包括：干燥室，具有内部空间；超临界流体供应模块，连接到干燥室，并且被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室，并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。超临界流体供应模块包括：流体存储罐；凝结器，连接到流体存储罐，并且被配置为对流体加压；泵，设置在凝结器的后端处；贮存罐，设置在泵的后端处，并且被配置为存储由凝结器加压的流体；以及加热器，设置在贮存罐的后端处，并且被配置为加热流体。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为：当主阀关闭时，将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀设置在负压罐的前端处，并且被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀设置在负压罐的后端处，并且被配置为与第一阀一起打开，其中，当干燥室的内部压强等于或低于第一压强时，干燥室中的减压量与超临界流体通过辅助排放单元的排放时间的比具有在0.75巴/秒至9.0巴/秒的范围内的绝对值。
[0009]根据一个或多个实施例，提供了一种用于干燥晶片的方法。该方法包括：向干燥室供应超临界流体；停止超临界流体的供应，并且在干燥室中干燥显影剂；以及从干燥室排放超临界流体，其中，排放超临界流体包括：基于干燥室的压强大于第一压强，通过打开主阀，将超临界流体通过连接到干燥室的主排放管线排放；基于干燥室的压强减小到第一压强，
通过关闭主阀并打开安装在辅助排放管线中的第一阀和第二阀，将超临界流体通过安装在辅助排放管线中的负压罐排放，其中，在超临界流体通过安装在辅助排放管线中的负压罐排放的情况下，干燥室中的减压量与超临界流体的排放时间的比具有在0.75巴/秒至9.0巴/秒的范围内的绝对值。
附图说明
[0010]根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的实施例的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
[0011]图1是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图；
[0012]图2是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的排放时间的图；
[0013]图3是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的效果的图；
[0014]图4是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图；
[0015]图5是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图；
[0016]图6是示出了根据示例实施例的辅助排放泵的叶轮的透视图；
[0017]图7是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图；
[0018]图8是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图；
[0019]图9是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意框图；
[0020]图10是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的方法的流程图；
[0021]图11是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的方法的排放步骤的流程图；以及
[0022]图12是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的方法的第一排放步骤的流程图。
具体实施方式
[0023]在下文中，将参考附图来描述本公开的非限制性示例实施例。
[0024]图1是示出了根据示例实施例的用于干燥晶片的装置的示意配置图。
[0025]参照图1，作为示例，用于干燥晶片的装置100包括超临界流体供应模块120、干燥室140、主排放管线150和辅助排放单元160。
[0026]超临界流体供应模块120连接到干燥室140，并且向干燥室140供应超临界流体。作为示例，超临界流体供应模块120可以包括流体存储罐121、凝结器122、泵123、贮存罐124、加热器125、过滤器126、阀127和供应管线128。
[0027]流体存储罐121具有内部空间，并且在其中存储处于低温状态的流体。作为示例，存储在流体存储罐121中的流体可以是低温CO2。低温CO2可以是大约35℃或更高且70℃或更低的CO2。
[0028]凝结器122连接到流体存储罐121，以对作为供应流体的低温CO2加压。即，凝结器122通过供应管线128连接到流体存储罐121，并且对从流体存储罐121供应的低温CO2加压。
[0029]泵123设置在凝结器122的后端处，并且通过供应管线128连接到凝结器122。泵123用于提供驱动力，该驱动力用于向干燥室140供应流体。另外，泵123可以用于对供应到干燥室140中的流体加压，以将其转化为超临界流体。
[0030]贮存罐124设置在泵123的后端处，并且通过供应管线128连接到泵123。在已经穿过凝结器122的流体混合之后，贮存罐124用于向干燥室140供应该流体。为此，贮存罐124可
以具有内部空间，穿过凝结器122的流体可以在该内部空间中充分混合。
[0031]加热器125通过供应管线128连接到贮存罐124，并且用于加热从贮存罐124供应的流体。因此，通过加热器125加热的流体可以通过供应管线128向干燥室140供应。作为示例，由加热器125加热的流体可以是高温CO2。这里，高温CO2可以在70℃与1200℃之间。
[0032]多个过滤器126可以安装在供应管线128中。过滤器126用于从向干燥室140供应的流体中去除异物，使得向干燥室140供应去除了异物的纯流体。作为示例，过滤器126可以安装在供应管线128中以设置在流体存储罐121、泵123和加热器125的后端处。
[0033]阀127安装在供应管线128中，并且可以设置为多个。作为示例，阀127可以分别设置在流体存储罐121和凝结器122之间、泵123和贮存罐12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室，具有内部空间；超临界流体供应模块，连接到所述干燥室，并且被配置为向所述干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到所述干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到所述主排放管线，其中，所述超临界流体供应模块包括：流体存储罐；凝结器，连接到所述流体存储罐，并且被配置为对流体加压；泵，设置在所述凝结器的后端处；贮存罐，设置在所述泵的后端处，并且被配置为存储由所述凝结器加压的所述流体；以及加热器，设置在所述贮存罐的后端处，并且被配置为加热所述流体，其中，所述辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到所述主排放管线，并且被配置为当所述主阀关闭时将所述超临界流体从所述干燥室排放；负压罐，安装在所述辅助排放管线中；第一阀，安装在所述辅助排放管线中，所述第一阀设置在所述负压罐的前端处，并且被配置为当所述主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在所述辅助排放管线中，所述第二阀设置在所述负压罐的后端处，并且被配置为与所述第一阀一起打开，其中，当所述干燥室的内部压强等于或低于第一压强时，所述干燥室中的减压量与所述超临界流体通过所述辅助排放单元的排放时间的比具有在0.75巴/秒至9.0巴/秒的范围内的绝对值。2.根据权利要求1所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述辅助排放单元还包括：管道，用于形成负压，所述管道连接到所述负压罐；以及泵，与所述管道一起设置，并且被配置为形成所述负压罐的负压。3.根据权利要求2所述的用于干燥晶片的装置，其中，被配置为打开和关闭所述管道的开/关阀与所述管道一起设置。4.根据权利要求1所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述装置还包括控制器，其中，所述控制器被配置为：基于所述干燥室的内部压强大于所述第一压强，控制所述主阀打开，并且控制所述第一阀和所述第二阀关闭，使得所述超临界流体通过所述主排放管线排放，并且其中，所述控制器还被配置为：基于所述干燥室的内部压强等于或低于所述第一压强，控制所述主阀关闭，并且控制所述第一阀和所述第二阀打开，使得所述超临界流体通过所述辅助排放管线排放。5.根据权利要求1所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述超临界流体是超临界CO2。6.根据权利要求5所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述装置被配置为在所述超临界流体从所述干燥室排放时，使所述超临界流体的压强为73巴或更大，并且
其中，所述装置被配置为在所述超临界流体从所述干燥室排放时，使所述超临界流体的温度为33.1℃或更高。7.根据权利要求5所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述第一压强具有在20巴至80巴的范围内的值。8.根据权利要求1所述的用于干燥晶片的装置，还包括主负压罐，所述主负压罐连接到旁路管道，所述旁路管道连接到所述主排放管线。9.根据权利要求8所述的用于干燥晶片的装置，其中，所述主负压罐的内部空间具有比所述干燥室的内部空间的容积大的容积。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相真，郑志薰，金伶厚，李根泽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：