一种基于IPD工艺的AWR-LC混合滤波器制造技术

本申请实施例公开了一种基于IPD工艺的AWR

【技术实现步骤摘要】
一种基于IPD工艺的AWR
‑
LC混合滤波器


[0001]本申请实施例涉及电子领域，尤其涉及一种基于IPD工艺的AWR
‑
LC混合滤波器。

技术介绍

[0002]移动端市场的极具扩张和5G网络的大范围覆盖，同时人们对智能手机小型化、便捷的追求，以及工业成本的控制，使移动设备的PCB(Printed CircuitBoard,印刷电路板)中的电路部分向集成化方向发展。随着CMOS技术的发展，滤波器中电感的Q值低面积大的问题仍没有解决，在现有技术中，Q值为有限时，通带的损耗会增大，纹波现象消失，并且附加损耗与1/Q还有群时延都成正比。对于滤波器通带边缘群延时较大，这就导致选择性变差。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，用于通过AW谐振器提高AWR
‑
LC混合滤波器的Q值，使得该滤波器通带带宽比传统LC滤波器更窄的同时该滤波器的过渡带可以实现快速衰减。
[0004]本申请提供了一种基于IPD工艺的AWR
‑
LC混合滤波器，包括：
[0005]第一谐振模块、第二谐振模块和AW谐振器电路；
[0006]所述AW谐振器电路的输入端连接所述第一谐振模块，所述AW谐振器电路的输出端连接所述第二谐振模块，所述AW谐振器电路、所述第一谐振模块和所述第二谐振模块串联，并通过IPD工艺集成在同一集成电路中；
[0007]所述AW谐振器电路由AW谐振器、第一集总元件和第二集总元件并联，所述AW谐振器的Q值远高于所述第一集总元件及所述第二集总元件的Q值，以使得所述AW谐振器电路的Q值得到提高。
[0008]可选的，所述AW谐振器电路等效为并联的LC串联谐振回路和LC并联谐振回路。
[0009]可选的，所述LC串联谐振回路和所述LC并联谐振回路之间形成MIM(金属
‑
绝缘层
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金属)电容。
[0010]可选的，所述MIM电容的计算公式为：
[0011][0012]其中ε
r
和ε0为介电常数，S为所述集成电路中电路板的面积，d为所述集成电路中电路板与电路板之间的距离。
[0013]可选的，所述LC并联谐振回路包含第一电容和第一电感，所述第一电容的容抗可变。
[0014]可选的，所述第一谐振模块及所述第二谐振模块的谐振频率与所述AW谐振器电路的中心频率相同，所述第一谐振模块和所述第二谐振模块用于增大所述AW谐振器电路的带外抑制。
[0015]可选的，所述第一谐振模块包含第二电感和第二电容，所述第二电感和所述第二
电容并联，所述第一谐振模块的输出端接地，所述第一谐振模块为一条LC并联谐振回路。
[0016]可选的，所述第二谐振模块包含第三电感和第三电容，所述第三电感和所述第三电容并联，所述第二谐振模块的输出端接地，所述第二谐振模块为一条LC并联谐振回路。
[0017]可选的，所述AW谐振器电路外围设有不止一个平面螺旋电感。
[0018]可选的，所述平面螺旋电感的形状可设置为四边形、六边形或八边形。
[0019]从以上技术方案可以看出本申请通过使用一个用过较高Q值的AW谐振器通过指定的电路连接方式获得一个等效的Q值较高的AWR
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LC滤波器，并通过 IPD工艺将该AWR
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LC滤波器集成到片上，进一步提高该AWR
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LC滤波器的集成度。
附图说明
[0020]图1为本申请实施例中基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器的电路示意图；
[0021]图2本申请实施例中基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器的等效电路示意图；
[0022]图3为本申请实施例中基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器的侧视结构示意图；
[0023]图4为本申请实施例中基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器的俯视结构示意图；
[0024]图5为本申请实施例中基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器的一个频响曲线图。
具体实施方式
[0025]在本技术中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅用于说明各部件或组成部分之间的相对位置关系，并不特别限定各部件或组成部分的具体安装方位。
[0026]并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本技术中的具体含义。
[0027]此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0028]此外，在本技术中所附图式所绘制的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员了解与阅读，并非用于限定本技术可实施的限定条件，故不具有技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均仍应落在本技术所揭示的
技术实现思路
涵盖的范围内。
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]本申请实施例提供了一种基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，用于通过 AW谐振器提高AWR
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LC混合滤波器的Q值，使得该滤波器通带带宽比传统LC 滤波器更窄的同时该滤波
器的过渡带可以实现快速衰减。
[0031]本申请实施例提出的一种基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，在下面的申请实施例的描述中统称为混合滤波器。
[0032]请参阅图1至图5，本申请实施例提供了一种基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，包括：
[0033]第一谐振模块1、第二谐振模块2和AW谐振器电路3；
[0034]所述AW谐振器电路3的输入端连接所述第一谐振模块1，所述AW谐振器电路3的输出端连接所述第二谐振模块2，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，其特征在于，包括：第一谐振模块、第二谐振模块和AW谐振器电路；所述AW谐振器电路的输入端连接所述第一谐振模块，所述AW谐振器电路的输出端连接所述第二谐振模块，所述AW谐振器电路、所述第一谐振模块和所述第二谐振模块串联，并通过IPD工艺集成在同一集成电路中；所述AW谐振器电路由AW谐振器、第一集总元件和第二集总元件并联，所述AW谐振器的Q值高于所述第一集总元件及所述第二集总元件的Q值，以使得所述AW谐振器电路的Q值得到提高。2.根据权利要求1所述的基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，其特征在于，所述AW谐振器电路等效为并联的LC串联谐振回路和LC并联谐振回路。3.根据权利要求2所述的基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，其特征在于，所述LC串联谐振回路和所述LC并联谐振回路之间形成MIM金属
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绝缘层
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金属电容。4.根据权利要求3所述的基于IPD工艺的AWR
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LC混合滤波器，其特征在于，所述MIM金属
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绝缘层
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金属电容的计算公式为：其中ε
r
和ε0为介电常数，S为所述集成电路中电路板的面积，d为所述集成电路中电路板与电路板之间的距离。5.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖广洪，冯铭昆，刘兆年，黄一，
申请(专利权)人：苏州航凯微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：