一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法技术

本发明专利技术提供一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，包括：步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；步骤S2，加热真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；步骤S3，切断甲烷气体，并加热真空炉至一第二预设温度，以对非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。有益效果：本发明专利技术通过对制备好的非晶或纳米晶带材卷绕成磁芯后，再进行特殊工艺处理，得到与石墨烯材料复合的特殊磁芯，通过附载石墨烯提高了非晶或纳米晶带材的韧性，改善了容易脆裂的缺点，提升了生产良率，同时也提高了磁性带材的导热性。导热性。导热性。

【技术实现步骤摘要】
一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性材料
，尤其涉及一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法。

技术介绍

[0002]非晶纳米晶是一种金属合金，但是由于其特殊的工艺将其变成了非晶态，所以非晶又被叫做玻璃金属。而纳米晶是在非晶的基础上其尺寸大小为纳米级别，非晶纳米晶是非晶和纳米晶的混合体。
[0003]现有制备方法中，在对非晶或纳米晶带材进行常规热处理后，这种热处理不能完全发挥非晶或纳米晶带材应有的电磁性能，而且会使得带材韧性、变差脆性变强，导致磁芯掉片很严重，影响磁芯性能。

技术实现思路

[0004]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法。
[0005]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现：
[0006]一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，包括：
[0007]步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；
[0008]步骤S2，加热所述真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于所述非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；
[0009]步骤S3，切断所述甲烷气体，并加热所述真空炉至一第二预设温度，以对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。
[0010]优选地，所述步骤S2中，所述至少一层石墨烯层采用化学气相沉积法生长形成。
[0011]优选地，所述步骤S2中，在生长所述至少一层石墨烯层的同时，同步采用等离子或激光辅助技术。
[0012]优选地，所述步骤S2中，所述第一预设温度为300℃～1100℃。
[0013]优选地，所述步骤S2中，所述石墨烯层的厚度为0.10nm～10nm。
[0014]优选地，所述步骤S2中，所述第二预设温度为500℃～1200℃。
[0015]优选地，所述步骤S3中，对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，具体包括：
[0016]对所述非晶或纳米晶带材进行去应力热处理。
[0017]本专利技术技术方案的优点或有益效果在于：
[0018]本专利技术通过对制备好的非晶或纳米晶带材卷绕成磁芯后，再进行特殊工艺处理，得到与石墨烯材料复合的特殊磁芯，通过附载石墨烯提高了非晶或纳米晶带材的韧性，改善了容易脆裂的缺点，提升了生产良率，同时也提高了磁性带材的导热性，拓宽其应用领域。
附图说明
[0019]图1为本专利技术较佳实施例中，复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0023]本专利技术的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，如图1所示，包括：
[0024]步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；
[0025]步骤S2，加热真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；
[0026]步骤S3，切断甲烷气体，并加热真空炉至一第二预设温度，以对非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。
[0027]具体的，在本实施例中，首先，将预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕，再将卷绕好的磁芯放入真空炉中并充氮气进行保护，将炉腔内的温度加热到第一预设温度时，冲入甲烷气体，利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法在非晶或纳米晶带材表面生长一层或多层石墨烯，然后再切断甲烷气体，将炉腔温度升到第二预设温度，对非晶或纳米晶带材进行去应力热处理。本专利技术通过在对带材进行热处理的过程中，增加特殊工艺在带材表面生长一层或多层石墨烯，通过附载石墨烯从而提高非晶或纳米晶磁性材料的韧性，改善其材料本身容易脆裂的缺点，同时提高磁性带材的导热性，拓宽其影响环境。
[0028]作为优选的实施方式，其中，步骤S1中，非晶或纳米晶带材可卷绕成不同的形状。
[0029]具体的，考虑到非晶或纳米晶带材较大，若直接生长石墨烯，操作不易的问题，在本实施例中，通过先将非晶或纳米晶带材进行卷绕，然后再在卷绕后得到磁芯上进行石墨烯的生长。进一步的，可根据实际需要将非晶或纳米晶带材卷绕成不同的形状。作为举例而非限定，例如卷绕成圆环状的磁芯。
[0030]作为优选的实施方式，其中，步骤S2中，至少一层石墨烯层采用化学气相沉积法生长形成。
[0031]具体的，在本实施例中，采用化学气相沉积法在非晶或纳米晶带材上生长一层或多层石墨烯，使得生长的石墨烯能够均匀覆盖在带材的两面。
[0032]需注意的是，若采用其他工艺(例如涂敷工艺)生长石墨烯，极有可能会造成生长的石墨烯厚度过厚，此时需要采用去除工艺(例如腐蚀工艺)去除多余的石墨烯，而由于非晶或纳米晶带材容易脆裂的缺点，在去除多余的石墨烯的过程中，极有可能会造成非晶或
纳米晶带材的损坏，降低产品良率。
[0033]作为优选的实施方式，其中，步骤S2中，在生长至少一层石墨烯层的同时，同步采用等离子或激光辅助技术。
[0034]具体的，在本实施例中，在利用CVD法生长石墨烯层的同时，可同步施加等离子或激光辅助技术，通过等离子或激光辅助技术降低沉积温度。
[0035]进一步的，石墨烯层的生长过程和常规非晶或纳米晶带材的热处理过程在同一真空炉中进行，仅需调整不同的温度段即可。
[0036]作为优选的实施方式，其中，步骤S2中，第一预设温度为300℃～1100℃。
[0037]作为优选的实施方式，其中，步骤S2中，第二预设温度为500℃～1200℃。
[0038]作为优选的实施方式，其中，步骤S2中，石墨烯层的厚度为0.10nm～10nm。
[0039]具体的，考虑到石墨烯层的厚度若过小，则起不到充分保护的作用，若厚度过大，则会导致石墨烯变成石墨，从而导致其特性发生变化，进而影响到磁芯的性能。
[0040]在本实施例中，生长的石墨烯的总厚度为0.10nm～10nm，若厚度低于0.10nm，则将无法有效提高了非晶或纳米晶带材的韧性，若厚度高于10nm，则会改变其特征，使其无法达到提高带材韧性的效果，影响制程工艺及良率，影响产品性能。
[0041]作为优选的实施方式，其中，步骤S3中，对非晶或纳米晶带材进行热处理，具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，对预制好的非晶或纳米晶带材进行卷绕处理，然后放入一真空炉中，同时充入氮气进行保护；步骤S2，加热所述真空炉至一第一预设温度，充入甲烷气体，并于所述非晶或纳米晶带材表面生长至少一层石墨烯层；步骤S3，切断所述甲烷气体，并加热所述真空炉至一第二预设温度，以对所述非晶或纳米晶带材进行热处理，得到复合石墨烯的非晶或纳米晶软磁磁芯。2.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述至少一层石墨烯层采用化学气相沉积法生长形成。3.根据权利要求1所述的复合型非晶或纳米晶软磁磁芯的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，在生长所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐可心，
申请(专利权)人：宁波中益赛威材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：