一种抗饱和磁芯元件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种抗饱和磁芯元件的制备方法，属于电感元件技术领域，包括：对预制磁环进行等离子清洗机处理，并进行表面蚀刻；对清洗后的预制磁环进行定型及退火处理；退火后，对预制磁环进行等离子喷涂处理，形成磁芯元件。有益效果：本发明专利技术通过对预制磁环进行等离子清洗处理，以激发非晶或纳米晶带材的自由电子数量，从而增加磁性材料的玻尔磁子数的比例，进而提高磁性材料的饱和磁感应强度Bs；预制磁环在等离子清洗机处理时，对其表面进行蚀刻，造成表面不平整，有利于后面对预制磁环进行等离子喷涂工艺；采用本发明专利技术提供的磁芯元件的制备方法，提高了磁芯元件的抗饱和能力，缩小了磁芯元件的体积。芯元件的体积。芯元件的体积。

【技术实现步骤摘要】
一种抗饱和磁芯元件的制备方法


[0001]本专利技术涉及电感元件
，尤其涉及一种抗饱和磁芯元件的制备方法。

技术介绍

[0002]非晶或纳米晶带材自上世纪被发现以来，因其具有高的初始磁导率、饱和磁通、电阻率和居里温度，低的矫顽力、电阻温度系数和磁致伸缩系数，以及耐腐蚀和抗老化的特点，被广泛应用于电力电子领域。
[0003]现有的采用非晶或纳米晶的磁芯元件的制备方法不能完全发挥非晶或纳米晶带材应有的电磁性能，导致非晶或纳米晶的饱和磁感应强度较低，磁芯元件抗饱和性也较低。

技术实现思路

[0004]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种抗饱和磁芯元件的制备方法。
[0005]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案实现：
[0006]一种抗饱和磁芯元件的制备方法，包括：
[0007]对预制磁环进行等离子清洗处理，并进行表面蚀刻；
[0008]对清洗后的所述预制磁环进行定型及退火处理；
[0009]退火后，对所述预制磁环进行等离子喷涂处理，形成磁芯元件。
[0010]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对预制磁环进行等离子清洗处理之前，还包括：对带材进行卷绕，得到预设尺寸的所述预制磁环。
[0011]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述带材为非晶带材或纳米晶带材。
[0012]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对预制磁环进行等离子清洗处理，包括：
[0013]真空度小于
‑
0.05Mpa，充入氮气或氩气，等离子发生器功率为600 w
‑
5000w，时间为5
‑
30min。
[0014]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对所述预制磁环进行等离子喷涂处理，包括：
[0015]真空度小于
‑
0.05Mpa，喷涂物为绝缘固体粉末，喷涂厚度为 0.02
‑
0.1mm。
[0016]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述绝缘固体粉末为陶瓷粉末或树脂粉末。
[0017]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述预制磁环定型后呈现椭圆形、矩形、三角形、或菱形中的任意一种。
[0018]本专利技术技术方案的优点或有益效果在于：
[0019]本专利技术通过对预制磁环进行等离子清洗处理，以激发非晶或纳米晶带材的自由电子数量，从而增加磁性材料的玻尔磁子数的比例，进而提高磁性材料的饱和磁感应强度Bs；预制磁环在等离子清洗机处理时，对其表面进行蚀刻，造成表面不平整，有利于后面对预制磁环进行等离子喷涂工艺；采用本专利技术提供的磁芯元件的制备方法，提高了磁芯元件的抗
饱和能力，缩小了磁芯元件的体积。
附图说明
[0020]图1为本专利技术较佳实施例中，抗饱和磁芯元件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0024]本专利技术的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种抗饱和磁芯元件的制备方法，如图1所示，包括：
[0025]S1，对预制磁环进行等离子清洗处理，并进行表面蚀刻；
[0026]S2，对清洗后的所述预制磁环进行定型及退火处理；
[0027]S3，退火后，对所述预制磁环进行等离子喷涂处理，形成磁芯元件。
[0028]具体的，在本实施例中，首先，将预制磁环放入等离子清洗机中，采用氮气或氩气进行电离形成等离子体，对其表面进行等离子清洗处理，以激发非晶或纳米晶带材的自由电子数量，从而增加磁性材料的玻尔磁子数的比例，进而提高磁性材料的饱和磁感应强度Bs，增加磁芯元件抗饱和性；预制磁环在等离子清洗机处理时，对其表面进行蚀刻，造成表面不平整，有利于后面对预制磁环进行等离子喷涂工艺；采用本专利技术提供的磁芯元件的制备方法，提高了磁芯元件的抗饱和能力，缩小了磁芯元件的体积。
[0029]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对预制磁环进行等离子清洗处理之前，还包括：
[0030]S0，对带材进行卷绕，得到预设尺寸的所述预制磁环。
[0031]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述带材为非晶带材或纳米晶带材。
[0032]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对预制磁环进行等离子清洗处理，包括：
[0033]真空度小于
‑
0.05Mpa，充入氮气或氩气，等离子发生器功率为600 w
‑
5000w，时间为5
‑
30min。
[0034]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述对所述预制磁环进行等离子喷涂处理，包括：
[0035]真空度小于
‑
0.05Mpa，喷涂物为绝缘固体粉末，喷涂厚度为 0.02
‑
0.1mm。
[0036]具体的，在本实施例中，预制磁环进行等离子喷涂工艺，真空度在
‑
0.05Mpa以下，采用直流电驱动的等离子电弧作为热源将绝缘固体粉末高速喷在预制磁环的表面，形成致密的绝缘层，并且厚度非常薄，其喷涂厚度范围在0.02
‑
0.1mm，不占用多余空间，产品体积可减小 20％。
[0037]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述绝缘固体粉末为陶瓷粉末或树脂粉末。
[0038]上述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其中，所述预制磁环定型后呈现椭圆形、矩形、三角形、或菱形中的任意一种。
[0039]具体的，在本实施例中，对预制磁环进行定型，作为举例而非限定，将预制磁环定型成椭圆形、矩形、三角形、或菱形等形状，进一步的，也可呈现其他形状，本专利技术不对预制磁环的形状做限定。
[0040]下文中，提供具体实施例以对本技术方案进行阐释和说明：
[0041]实施例1：
[0042]将非晶带材卷绕成预制磁环，对其表面进行等离子清洗处理，设置等离子清洗机设备参数：真空度为
‑
0.1Mpa，再充入氮气，设置功率为1000w，时间20min；
[0043]然后进行热处理工艺，进行定型及退火处理，退火后，对该预制磁环进行等离子喷涂工艺处理，形成磁芯元件。
[0044]对比例1：
[0045]同步准备相同规格的非晶带材卷绕成预制磁环，不进行等离子清洗处理，直接送入热处理炉中进行热处理，该热处理工艺本实施例1 相同，退火后，对其进行普本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗饱和磁芯元件的制备方法，其特征在于，包括：对预制磁环进行等离子清洗处理，并进行表面蚀刻；对清洗后的所述预制磁环进行定型及退火处理；退火后，对所述预制磁环进行等离子喷涂处理，形成磁芯元件。2.根据权利要求1所述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其特征在于，所述对预制磁环进行等离子清洗处理之前，还包括：对带材进行卷绕，得到预设尺寸的所述预制磁环。3.根据权利要求2所述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其特征在于，所述带材为非晶带材或纳米晶带材。4.根据权利要求1所述的抗饱和磁芯元件的制备方法，其特征在于，所述对预制磁环进行等离子清洗处理，包括：真空度小于
‑
0.05Mpa，充入氮气...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐可心，
申请(专利权)人：宁波中益赛威材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：