一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法技术

本发明专利技术提供一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法，所述合成方法包括：将苯醚类化合物与頻那醇硼酯，于有机硼催化剂以及贵金属催化剂催化下进行反应。所述方法可以在頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物中时限对位的选择性取代，产物的选择性高，反应条件温和，操作简便。操作简便。

【技术实现步骤摘要】
一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法


[0001]本专利技术属于有机合成领域，涉及一种合成頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物，尤其一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法。

技术介绍

[0002]自2001年Milton R.Smith III首次报道了过渡金属Ir催化的芳烃C
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H键硼化反应(Cho,J.Y.；Tse,M.K.；Holmes,D.；Maleczka Jr,R.E.；Smith III,M.R.Science,2002,295,305.)，化学家们已经开发出多种多样的过渡金属催化的C
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H键官能团化反应(包括：芳化,烷烃化，烯烃化，炔烃化及氨化等)(Kalyani,D.；Deprez,N.R.；Desai,L.V.；Sanford,M.S.J.Am.Chem.Soc.2005,127,7330；Chen,X.；Goodhue,C.E.；Yu,J.Q.J.Am.Chem.Soc.2006,128,12634；Shabashov,D.；Daugulis,O.J.Am.Chem.Soc.2010,132,3965；Rouquet,G.；Chatani,N.Angew.Chem.Int.Ed.2013,52,11726；Daugulis,O.；Roane,J.；Tran,L.D.Acc.Chem.Res.2015,48,1053)。然而，目前大多数过渡金属催化的C
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H键官能团化反应均采用导向基策略，利用分子中具有络合能力的官能团(如，吡啶基，酰胺基，亚胺基，烷氧基，羧基等)，络合金属催化剂形成五元/六元环金属中间体(如，Palladacycle)实现C
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H键断裂，之后与其他反应物经过氧化加成及还原消除实现C
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H键官能团化，这样便使得底物分子中被活化的C
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H键十分有限，只有能够形成环金属中间体的位点才能被活化，限制了该反应的应用性。其中最为典型的例子是2
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苯基吡啶的C
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H官能团化反应，只有导向基吡啶的两个邻位可以实现官能团化，而远端的间位(
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m)/对位(
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p)的活化十分困难。
[0003]最近，化学家们开发出一种全新的催化概念，利用配体与底物间形成的非共价键相互作用实现远端位置选择性C
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H键活化反应。大多数此类配体具有特殊的骨架结构，其中包括识别中心，催化中心及适当的连接基团。配体中的识别中心与底物中的官能团通过非共价键相互作用(如氢键相互作用(Hydrogen
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bonding interaction)；Lewis酸
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碱相互作用(Lewis acid
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base interaction)；静电间相互作用(electrostatic interaction)等)，使催化中心在空间上接近远端间位或对位C
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H键实现远端位置选择性(Biedermann,F.；Schneider,H.
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J.Chem.Rev.2016,116,5216；Schneider,Acc.Chem.Res.2015,48,1815)。此方法不仅可以摆脱底物分子的局限性，也可以大大提高反应的应用性。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法，所述方法可以在頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物中时限对位的选择性取代，产物的选择性高，反应条件温和，操作简便。
[0005]为达到上述技术效果，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]本专利技术提供一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法，所述
合成方法包括：
[0007]将式1所示的苯醚类化合物与頻那醇硼酯，于式2所示的有机硼催化剂以及贵金属催化剂催化下进行反应；
[0008][0009]其中，R为氢、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、酯基、氰基、酰氨基或硅基中的任意一种；R1为C1
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C5的直链烷基；R2为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基或C4～C12的烷氧基；R2中的取代基包括烷基、烷氧基、芳氧基或全氟芳基。
[0010]其中，所述卤素包括氟、氯、溴或碘中的任意一种；
[0011]所述取代或未取代的烷基包括C1～C12的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基或正十二烷基等；
[0012]所述取代或未取代的烷氧基包括C1～C12的烷氧基，优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛基氧、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基或正十二烷氧基等；
[0013]所述酯基包括C1～C6的酯基，优选为甲酸酯基、乙酸酯基、正丙酸酯基、异丙酸酯基、正丁酸酯基、正戊酸酯基或正己酸酯基等；
[0014]所述酰氨基包括C1～C6的酰氨基，优选为甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、戊酰胺基或己酰胺基等；
[0015]所述硅基包括：三甲基硅基、三乙基硅基、三甲氧基硅基或三乙氧基硅基等。
[0016]所述C1
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C5的直链烷基优选为甲基、乙基、正丙基、正丁基或正戊基；
[0017]所述取代或未取代芳基包括取代或未取代的C3～C12芳基，优选为取代或未取代的苯基或萘基等；
[0018]所述取代或未取代的杂芳基包括取代或未取代的C5～C12杂芳基，优选为取代或未取代的呋喃基、吡喃基、噻吩基、嘧啶基或喹啉基等；
[0019]所述取代或未取代的芳氧基包括取代或未取代的C3～C12芳氧基，优选为取代或未取代的苯氧基或萘氧基等；
[0020]所述C4～C12的烷氧基优选为正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛基氧、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基或正十二烷氧基等；
[0021]所述R2中的取代基中的烷基包括C1～C12的烷基，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基或正十二烷基等；
[0022]所述述R2中的取代基中的烷氧基包括C1～C12的烷氧基，优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛基氧、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基或正十二烷氧基等；
[0023]所述R2中的取代基中的芳氧基包括C3～C12芳氧基，优选为取代或未取代的苯氧基或萘氧基等；
[0024]所述R2中的取代基中的全氟芳基包括全氟苯基或全氟萘基等。
[0025]本专利技术中，在反应用引入式2所示的有机硼催化剂，有机硼催化剂其具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选择性合成对位頻那醇硼酯取代的苯甲醚类化合物的方法，其特征在于，所述合成方法包括：将式1所示的苯醚类化合物与頻那醇硼酯，于式2所示的有机硼催化剂以及贵金属催化剂催化下进行反应；其中，R为氢、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、酯基、氰基、酰氨基或硅基中的任意一种；R1为C1
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C5的直链烷基；R2为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基或C4～C12的烷氧基；R2中的取代基包括烷基、烷氧基、芳氧基或全氟芳基。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述頻那醇硼酯包括联硼酸頻那醇硼酸酯或异丙基頻那醇硼酸酯。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述苯醚类化合物与所述頻那醇硼酯的摩尔比为1:0.4～0.6。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述苯醚类化合物与所述有机硼催化剂的摩尔比为1:1～2。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红亮，李代玉，杨登峰，潘丽霞，于睿沐，
申请(专利权)人：广西科学院，
类型：发明
国别省市：