本发明专利技术公开了一种疏水自清洁吸波电磁膜及其制备方法,属于吸波材料技术领域。其中,制备方法包括以下步骤:(1)将氰酸酯树脂分散于有机溶剂中,得到初始溶液;(2)向所述初始溶液中加入铁基材料,混匀,得到混合溶液;(3)向所述混合溶液中加入低表面能聚合物,混匀,得到浆料;(4)将所述浆料压延成型,即得到疏水自清洁吸波电磁膜;所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷、聚硅氧烷、氟碳树脂中的一种或多种。实施本发明专利技术,其工艺简单,其制备得到疏水自清洁吸波电磁膜的疏水性和自清洁性良好。电磁膜的疏水性和自清洁性良好。
【技术实现步骤摘要】
一种疏水自清洁吸波电磁膜及其制备方法
[0001]本专利技术涉及吸波材料
,尤其涉及一种疏水自清洁吸波电磁膜及其制备方法。
技术介绍
[0002]吸波材料是指能吸收或者大幅减弱其表面接收到的电磁波能量,从而减少电磁波的干扰的一类材料,在工程应用上,除要求吸波材料在较宽频带内对电磁波具有高的吸收率外,还要求它具有质量轻、耐温、耐湿、抗腐蚀等性能。
[0003]现有的吸波膜在使用过程中表面容易沉积灰尘、油污等污染物,长此以往导致吸波膜表面被腐蚀、污染,严重影响吸波膜的性能,从而导致吸波膜的使用寿命降低。针对上述问题,一般在现有的吸波膜成品表面涂覆一层功能性涂层来解决,但此工艺流程较多,且存在涂层与吸波膜之间的粘接不强的问题,用久了会出现脱落等现象,严重影响产品的外观和质量。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其工艺简单,其制备得到疏水自清洁吸波电磁膜的疏水性和自清洁性良好。
[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,包括以下步骤:
[0006](1)将氰酸酯树脂分散于有机溶剂中,得到初始溶液;
[0007](2)向所述初始溶液中加入铁基材料,混匀,得到混合溶液;
[0008](3)向所述混合溶液中加入低表面能聚合物,混匀,得到浆料;
[0009](4)将所述浆料压延成型,即得到疏水自清洁吸波电磁膜;
[0010]其中,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷、聚硅氧烷、氟碳树脂中的一种或多种。
[0011]作为上述方案的改进,所述氰酸酯树脂与有机溶剂的质量比为1:(1
‑
20);
[0012]所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(20
‑
35);
[0013]所述低表面能聚合物与浆料的质量比为(0.5
‑
10):100。
[0014]作为上述方案的改进,所述氰酸酯树脂包括双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂,双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂的重量比为(2~3.5):1;
[0015]所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(25
‑
35)。
[0016]作为上述方案的改进,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷和聚硅氧烷,氟硅氧烷和聚硅氧烷的重量比为(1.5
‑
2):1。
[0017]作为上述方案的改进,所述氟硅氧烷选用十七氟癸基三甲氧基硅烷和/或三氟丙基甲基环三硅氧烷;所述聚硅氧烷选用甲基苯基硅油和/或甲基乙氧基硅油。
[0018]作为上述方案的改进,所述氟硅氧烷选用十七氟癸基三甲氧基硅烷;所述聚硅氧烷选用甲基苯基硅油。
[0019]作为上述方案的改进,步骤(2)包括:
[0020](2.1)将所述浆料在50℃~80℃下预热20~50min;
[0021](2.2)将预热后的浆料压延成型。
[0022]作为上述方案的改进,所述铁基材料包括片状或球状的铁氧体。
[0023]作为上述方案的改进,所述有机溶剂为丙酮、丁酮、氯仿、四氢呋喃、二甲苯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、正丙醇、异丙醇、正辛醇中的一种或多种。
[0024]相应的,本专利技术还公开了一种疏水自清洁吸波电磁膜,其由上述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法制得。
[0025]实施本专利技术,具有如下有益效果:
[0026]本专利技术的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,采用氰酸酯树脂、铁基材料、有机溶剂和低表面能聚合物制备吸波电磁膜,其工艺简单,其制备得到疏水自清洁吸波电磁膜的疏水性和自清洁性良好。
[0027]进一步的,由于采用特定的氰酸酯树脂和特定的低表面能聚合物,两者的协同作用,能够进一步提高铁基材料的添加量,有效提高所得吸波电磁膜的磁导率。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将具体实施例对本专利技术作进一步地详细描述。
[0029]本专利技术提供了一种疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,包括以下步骤:
[0030]S1:将氰酸酯树脂分散于有机溶剂中,得到初始溶液;
[0031]其中,氰酸酯树脂可为双酚A型氰酸酯树脂、四甲基双酚F型氰酸酯树脂,但不限于此。氰酸酯树脂与有机溶剂的质量比为1:(1
‑
20);若有机溶剂含量过多,一者浪费溶剂,二者初始溶液浓度过稀,不利于后续与铁基材料混合,流延膜的均匀性下降。有机溶剂含量过低,氰酸酯树脂于有机溶剂中分散不均,吸波电磁膜的吸波均匀性能差。
[0032]其中,有机溶剂为丙酮、丁酮、氯仿、四氢呋喃、二甲苯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、正丙醇、异丙醇、正辛醇中的一种或多种,但不限于此。
[0033]S2:向所述初始溶液中加入铁基材料,混匀,得到混合溶液;
[0034]具体的,当仅采用单一氰酸酯树脂时,氰酸酯树脂与铁基材料的重量比应控制为1:(20~35);若铁基材料含量过多,则混合溶液粘度过高,难以流延,流延膜的均匀性下降。铁基材料含量过低,吸波性能差。
[0035]优选的,在本专利技术的一个实施例之中,氰酸酯树脂包括双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂。具体的,专利技术人意外的发现,当采用上述两种氰酸酯树脂的混合物以后,可将氰酸酯树脂与铁基材料的重量比提升至1: (25~35)。具体的,控制双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂的重量比为(2~3.5):1。
[0036]其中,铁基材料为片状或球状铁氧体,但不限于此。
[0037]S3:向所述混合溶液中加入低表面能聚合物,混匀,得到浆料;
[0038]具体的,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷、聚硅氧烷、氟碳树脂中的一种或多种,但不限于此。低表面能聚合物与浆料的质量比为(0.5
‑
10):100,优选为(0.5
‑
5):100。若低表面能聚合物的含量过多,则浆料的粘度过低,不利于压延成型,且铁基材料占总浆料的
质量百分比降低,吸波性能变差。若低表面能聚合物的含量过少,所得吸波电磁膜疏水性能差。当仅采用单一低表面能聚合物,同时氰酸酯树脂采用双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂混合时,氰酸酯树脂与铁基材料的重量比1:(25~35)。
[0039]优选的,在本专利技术的一个实施例之中,低表面能聚合物包括氟硅氧烷和聚硅氧烷。具体的,专利技术人意外的发现,当采用上述两种低表面能聚合物的混合物以后,同时氰酸酯树脂采用双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂混合时,可将氰酸酯树脂与铁基材料的重量比提升至1:(28~35)。具体的,控制氟硅氧烷和聚硅氧烷的重量比为(1.5
‑
2):1。
[0040]其中,氟硅氧烷选用十七氟癸基三甲氧基硅烷和/或三氟丙基甲基环三硅氧烷,但不限于此;聚硅氧烷选用甲基苯基硅油和/或甲基乙氧基硅油,但不限于此本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将氰酸酯树脂分散于有机溶剂中,得到初始溶液;(2)向所述初始溶液中加入铁基材料,混匀,得到混合溶液;(3)向所述混合溶液中加入低表面能聚合物,混匀,得到浆料;(4)将所述浆料压延成型,即得到疏水自清洁吸波电磁膜;其中,所述低表面能聚合物包括氟硅氧烷、聚硅氧烷、氟碳树脂中的一种或多种。2.如权利要求1所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氰酸酯树脂与有机溶剂的质量比为1:(1
‑
20);所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(20
‑
35);所述低表面能聚合物与浆料的质量比为(0.5
‑
10):100。3.如权利要求2所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述氰酸酯树脂包括双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂,双酚A型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂的重量比为(2~3.5):1;所述氰酸酯树脂与铁基材料的质量比为1:(25
‑
35)。4.如权利要求2所述的疏水自清洁吸波电磁膜的制备方法,其特征在于,所述低表...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱朋飞,王锋,李勃,张伟喆,
申请(专利权)人:奇遇新材料科技佛山有限公司,
类型:发明
国别省市:
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