聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板制造技术

本发明专利技术提供一种聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板，其具有作为FPC材料所要求的低热膨胀性、低吸湿性、良好的制膜性，且介电损耗角正切充分低。一种聚酰胺酸或聚酰亚胺，含有自酸二酐成分衍生的酸二酐残基及自二胺成分衍生的二胺残基，且满足条件(i)：含有相对于全部酸二酐残基而为25mol％以上的自下述式(1)所表示的酸二酐衍生的酸二酐残基；条件(ii)：含有相对于全部二胺残基而为50mol％以上的自下述通式(2)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基；条件(iii)：相对于自全部单体成分衍生的全部单体残基，具有联苯骨架的单体残基的比例为65mol％以上。的单体残基的比例为65mol％以上。的单体残基的比例为65mol％以上。的单体残基的比例为65mol％以上。

【技术实现步骤摘要】
聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板


[0001]本专利技术涉及一种聚酰胺酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺膜、金属包覆层叠板及电路基板。

技术介绍

[0002]近年来，伴随电气、电子设备的高性能、高功能化而要求信息的高速传输化，对于这些中所使用的零件或构件，也要求应对高速传输。在传输高频信号的情况下，容易产生电信号的损耗或信号的延迟时间变长等不良情况，因此针对高频设备中所使用的柔性印刷基板(柔性印刷电路板(FPC：Flexible Printed Circuits))等电路基板，正在进行改善以具有应对高速传输化的电特性。因此，针对用作FPC材料的聚合物，也进行了降低介电损耗角正切以降低传输损耗的研究。
[0003]作为介电损耗角正切低的聚合物的代表例，可列举氟系树脂、液晶聚合物(liquid crystal polymer，LCP)、改性聚酰亚胺(modified polyimide，MPI)。但是，氟系树脂在与低粗糙化铜箔的密接性或激光加工性、铜镀敷性等方面存在问题，LCP存在与低粗糙化铜箔的密接性低或难以进行多层化等问题。另外，关于MPI，虽然不存在氟系树脂或LCP那样的问题，但一般存在吸湿率或介电损耗角正切高的课题。
[0004]为了降低聚酰亚胺的介电损耗角正切，提出了在聚酰亚胺链中导入酯结构(例如，专利文献1)。另外，以低热膨胀性或低吸湿性等为目的，也提出了向聚酰亚胺链导入酯结构(例如，专利文献2～专利文献4)。
[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007][专利文献1]日本专利特开2021
‑
074894号公报
[0008][专利文献2]日本专利再表2010
‑
093021号公报
[0009][专利文献3]日本专利特开平10
‑
36506号公报
[0010][专利文献4]日本专利特开2006
‑
336011号公报

技术实现思路

[0011][专利技术所要解决的问题][0012]在专利文献1中，通过在聚酰亚胺链中导入酯结构来降低介电损耗角正切，但在其实施例中，10GHz下的介电损耗角正切超过了0.003，就减少高频信号的传输损耗的观点而言，并不令人满意。另外，在专利文献1中，利用闭环化剂进行聚酰亚胺的酰亚胺化，因此有因极性基的增加而介电损耗角正切难以降低的倾向。
[0013]另一方面，若如专利文献3、专利文献4那样使用1,4
‑
二氨基苯(p
‑
PDA(p
‑
phenylenediamine)；对苯二胺)作为二胺成分，则存在聚酰亚胺膜容易变脆、制膜性降低的问题。
[0014]因此，本专利技术的目的在于提供一种聚酰亚胺膜，其具有作为FPC材料所要求的低热
膨胀性、良好的制膜性，且介电损耗角正切充分低。
[0015][解决问题的技术手段][0016]本专利技术者等人进行了努力研究，结果发现，通过以规定的比率使用特定结构的酸二酐与二胺化合物作为用于形成聚酰亚胺的单体，可解决所述问题，从而完成了本专利技术。
[0017]即，本专利技术第一观点的聚酰胺酸是含有自酸二酐成分衍生的酸二酐残基及自二胺成分衍生的二胺残基的聚酰胺酸，且满足下述条件(i)～条件(iii)。
[0018]条件(i)：
[0019]含有相对于全部酸二酐残基而为25mol％以上的自下述式(1)所表示的酸二酐衍生的酸二酐残基。
[0020][化1][0021][0022]条件(ii)：
[0023]含有相对于全部二胺残基而为50mol％以上的自下述通式(2)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基。
[0024][化2][0025][0026]在式(2)中，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，p及q独立地表示0～4的整数。
[0027]条件(iii)：
[0028]相对于自全部单体成分衍生的全部单体残基，具有联苯骨架的单体残基的比例为65mol％以上。
[0029]本专利技术第一观点的聚酰胺酸也可含有相对于全部二胺残基而为1mol％～50mol％的范围内的自下述通式(3)～通式(6)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基。
[0030][化3][0031][0032]在式(3)～式(6)中，R独立地表示碳数1～6的一价烃基、烷氧基或烷基硫基，连结基A独立地表示选自
‑
O
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
CH2‑
或
‑
C(CH3)2‑
中的二价基，连结基X独立地表示
‑
CH2‑
、
‑
O
‑
CH2‑
O
‑
、
‑
O
‑
C2H4‑
O
‑
、
‑
O
‑
C3H6‑
O
‑
、
‑
O
‑
C4H8‑
O
‑
、
‑
O
‑
C5H
10
‑
O
‑
、
‑
O
‑
CH2‑
C(CH3)2‑
CH2‑
O
‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
或
‑
SO2‑
，m独立地表示1～4的整数，n独立地表示0～4的整数，但在式(5)中，在连结基A不包含
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
或
‑
SO2‑
的情况下，n的任一者为1以上。
[0033]本专利技术第二观点的聚酰亚胺是将所述第一观点的聚酰胺酸加以酰亚胺化而成。
[0034]本专利技术第三观点的聚酰亚胺膜是包含单层或多层的聚酰亚胺层的聚酰亚胺膜，且
[0035]所述聚酰亚胺层的至少一层含有所述第二观点的聚酰亚胺作为树脂成分的主成分。
[0036]本专利技术第四观点的聚酰亚胺膜可为包含聚酰亚胺层(A)以及聚酰亚胺层(B)的聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺层(A)含有第一聚酰亚胺作为树脂成分的主成分，所述聚酰亚胺层(B)层叠于所述聚酰亚胺层(A)，且含有与所述第一聚酰亚胺不同的第二聚酰亚胺作为树脂成分的主成分。所述第四观点的聚酰亚胺膜可为：所述第一聚酰亚胺是含有自酸二酐成分衍生的酸二酐残基及自二胺成分衍生的二胺残基的聚酰亚胺，且在全部酸二酐残基中，含有5mol％以上且90mol％以下的自均苯四甲酸二酐衍生的残基、10mol％以上且95mol％以下的自分子内具有酮基(
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚酰胺酸，含有自酸二酐成分衍生的酸二酐残基及自二胺成分衍生的二胺残基，所述聚酰胺酸的特征在于，满足下述条件(i)～条件(iii)；条件(i)：含有相对于全部酸二酐残基而为25mol％以上的自下述式(1)所表示的酸二酐衍生的酸二酐残基，条件(ii)：含有相对于全部二胺残基而为50mol％以上的自下述通式(2)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基，在式(2)中，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，p及q独立地表示0～4的整数；条件(iii)：相对于自全部单体成分衍生的全部单体残基，具有联苯骨架的单体残基的比例为65mol％以上。2.根据权利要求1所述的聚酰胺酸，其中，含有相对于全部二胺残基而为1mol％～50mol％的范围内的自下述通式(3)～通式(6)所表示的二胺化合物衍生的二胺残基，在式(3)～式(6)中，R独立地表示碳数1～6的一价烃基、烷氧基或烷基硫基，连结基A独立地表示选自
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O
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、
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SO2‑
、
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CH2‑
或
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C(CH3)2‑
中的二价基，连结基X独立地表示
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C(CH3)2‑
CH2‑
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、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
或
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SO2‑
，m独立地表示1～4的整数，n独立地表示0～4的整数，但在式(5)中，在连结基A不...

【专利技术属性】
技术研发人员：安藤智典，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：