显示装置制造方法及图纸

技术编号:36178622 阅读:10 留言:0更新日期:2022-12-31 20:34
本发明专利技术提供一种显示装置,具备:基板,具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域;主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件,配置于所述主显示区域上;第一辅助显示要件,配置于所述组件区域上;第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件,配置于所述中间区域上;连接布线,连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路;以及减反射层,介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间,并与所述第一辅助显示要件对应配置,所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极,所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本专利技术涉及一种显示装置,更详细地,涉及一种提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。

技术介绍

[0002]通常,显示装置包括显示要件以及用于控制施加于显示要件的电信号的电子元件。电子元件包括薄膜晶体管(TFT;Thin Film Transistor)、存储电容器以及多个布线。
[0003]近来,显示装置其用途变得多样。另外,趋势为显示装置的厚度变薄、重量轻,从而其使用的范围变得广泛。随着显示装置的使用范围多元化,正在研究用于设计显示装置的形式的各种方法。

技术实现思路

[0004]但是,在这种以往的显示装置中,存在的问题是:在用于显示高品质的图像的设计过程中,相机拍摄时品质下降。
[0005]本专利技术用于解决包括如上述问题的多个问题,目的在于提供一种提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。但是这样的课题是示例性的,本专利技术的范围不由此限定。
[0006]根据本专利技术的一观点,提供一种显示装置,具备:基板,具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域;主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件,配置于所述主显示区域上;第一辅助显示要件,配置于所述组件区域上;第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件,配置于所述中间区域上;连接布线,连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路;以及减反射层,介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间,并与所述第一辅助显示要件对应配置,所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极,所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。
[0007]根据本实施例,可以是,所述减反射层包含第一金属物质。
[0008]根据本实施例,可以是,所述第一金属物质具有低于包含在所述第一辅助像素电极中的第二金属物质的反射率。
[0009]根据本实施例,可以是,所述第一金属物质为钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)中的至少一种。
[0010]根据本实施例,可以是,所述显示装置还包括:背面金属层,介于所述基板和所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路之间,并与所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路重叠配置,所述减反射层包含与所述背面金属层相同的物质。
[0011]根据本实施例,可以是,所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层,所述减反射层包含与所述栅极电极相同的物质。
[0012]根据本实施例,可以是,所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及与所述半导体层连接的电极层,所述减反射层包含与所述电极层相同的物质。
[0013]根据本实施例,可以是,所述减反射层包含硅类半导体物质。
[0014]根据本实施例,可以是,所述减反射层包含有机物质。
[0015]根据本实施例,可以是,所述减反射层包含有色的遮光物质。
[0016]根据本实施例,可以是,所述显示装置还包括:绝缘层,覆盖所述第一辅助像素电极的边缘并暴露中央部,所述绝缘层包含有色的遮光物质。
[0017]根据本实施例,可以是,所述减反射层的宽度等于或大于所述第一辅助像素电极的宽度。
[0018]根据本实施例,可以是,所述减反射层的宽度等于或小于所述绝缘层的宽度。
[0019]根据本实施例,可以是,当在垂直于所述基板的方向上看时,所述第一辅助像素电极的外廓具有曲线。
[0020]根据本实施例,可以是,当在垂直于所述基板的方向上看时,所述第一辅助像素电极为圆形或椭圆形。
[0021]根据本实施例,可以是,所述减反射层包括与所述第一辅助像素电极完全重叠的第一减反射层以及第二减反射层。
[0022]根据本实施例,可以是,所述第一减反射层和所述第二减反射层包含彼此不同的物质。
[0023]根据本实施例,可以是,所述连接布线包括透光性导电层。
[0024]根据本实施例,可以是,所述组件区域包括第一区域以及第二区域,所述连接布线包括:第一连接布线,在所述第一区域上向第一方向延伸;以及第二连接布线,在所述第二区域上向与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
[0025]根据本实施例,可以是,在所述组件区域上所述第一辅助显示要件具备为多个,所述组件区域包括分别位于所述第一辅助显示要件之间的透射区域。
[0026]前述之外的其它方面、特征、优点将从以下的附图、权利要求书以及专利技术的详细说明变得明确。
[0027]这样通常且具体的方面可以使用系统、方法、计算机程序或任何系统、方法、计算机程序的组合来实施。
[0028]根据如上所述构成的本专利技术的一实施例,可以实现提供高品质的图像的同时通过组件输出的图像的品质也提升的显示装置。当然本专利技术的范围不由这样的效果限定。
附图说明
[0029]图1a至图1c是简要示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的立体图。
[0030]图2以及图3是简要示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的截面的一部分的截面图。
[0031]图4是简要示出可以包括在图1a至图1c的显示装置中的显示面板的平面图。
[0032]图5是简要示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的有机发光二极管以及连接于其的像素电路的等效电路图。
[0033]图6是简要示出根据本专利技术的一实施例的像素电路的结构的平面图。
[0034]图7a至图7g是按层示出构成图6的像素电路的导电图案的平面图。
[0035]图8是简要示出根据本专利技术的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
[0036]图9是简要示出根据本专利技术的一实施例的像素电路的结构的一部分的截面图。
[0037]图10是简要示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的包括辅助显示区域的显示区域的一部分的平面图。
[0038]图11是更详细地示出图10的辅助显示区域的一部分的平面图。
[0039]图12是放大示出图11的B部分的平面图。
[0040]图13是简要示出根据本专利技术的一实施例的第一辅助子像素的平面图。
[0041]图14至图17是简要示出沿着图13的C

C'线截取的截面的截面图。
[0042]图18以及图19是简要示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的辅助显示区域的一部分的截面图。
[0043]图20是测定根据本专利技术的一实施例的反射率的表。
[0044]图21是测定根据本专利技术的一实施例的反射光谱的曲线图。
[0045]图22是测定根据图21的曲线图的各子像素的反射率的表。
[0046](附图标记说明)
[0047]100:基板
[0048]MDA:主显示区域
[0049]CA:组件区域
[0050]MA:中间区域
[0051]TA:透射区域
[0052]P本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,其中,具备:基板,具备主显示区域和包括组件区域以及中间区域的辅助显示区域;主像素电路以及与所述主像素电路连接的主显示要件,配置于所述主显示区域上;第一辅助显示要件,配置于所述组件区域上;第一辅助像素电路、第二辅助像素电路以及连接于所述第二辅助像素电路的第二辅助显示要件,配置于所述中间区域上;连接布线,连接所述第一辅助显示要件和所述第一辅助像素电路;以及减反射层,介于所述基板和所述第一辅助显示要件之间,并与所述第一辅助显示要件对应配置,所述第一辅助显示要件包括第一辅助像素电极,所述减反射层与所述第一辅助像素电极完全重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述减反射层包含第一金属物质,所述第一金属物质具有低于包含在所述第一辅助像素电极中的第二金属物质的反射率,所述第一金属物质为钼、铝、钛中的至少一种。3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:背面金属层,介于所述基板和所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路之间,并与所述第一辅助像素电路以及所述第二辅助像素电路重叠配置,所述减反射层包含与所述背面金属层相同的物质。4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一辅助像素电路具备薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员:李旺宇金成虎成硕济安珍星禹珉宇李承炫李知嬗赵允钟
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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