本发明专利技术涉及一种成膜装置，所述成膜装置由于能够利用简单的结构长时间连续地进行稳定的成膜，因此，生产性能优异。根据本发明专利技术的成膜装置(1)，圆筒状的靶(30)、以及在腔室(2)内支承靶(30)且具有与靶(30)在铅垂方向中的朝上的方向上相对的相对面(320)的大气箱(32)在相对于基板(10)在铅垂方向中的朝上的方向上相对的相对区域(A)与相对于基板(10)在铅垂方向上不相对的非相对区域(B)之间移动，能够变更磁场形成机构(4)形成磁场的方向，其中，当靶(30)和大气箱(32)处于相对区域(A)时，使磁场形成机构(4)位于在靶(30)与基板(10)之间形成磁场的成膜位置，当靶(30)和大气箱(32)处于非相对区域(B)时，使磁场形成机构(4)位于在靶(30)与大气箱(32)的相对面(320)之间形成磁场的非成膜位置。的非成膜位置。的非成膜位置。
【技术实现步骤摘要】
成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法
本专利技术涉及成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。
技术介绍
已知有使作为成膜对象物的基板与材料源(靶)相对移动以进行成膜的结构的溅射成膜装置。特别是，在使靶滑动的成膜装置中，有时采用使靶在与基板相对的相对区域和与基板不相对的非相对区域之间移动的结构(专利文献1)。在旋转阴极的情况下，从成膜的稳定性、靶材料的消耗管理的观点出发，优选进行控制以使消耗量在靶的周向上变得均匀。即，优选地，一旦形成从靶排出材料的状态之后，直到用光材料为止进行控制，以便不解除电压的施加而连续地使靶旋转。因此，在对多个基板连续地进行成膜的生产装置的情况下，有时保持排出成膜材料的状态(保持对阴极单元的电压施加和靶的旋转的状态)不变，而使靶在非相对区域待机，在此期间，进行基板的置换等。这里，在靶在非相对区域待机的期间，被溅射的材料会附着于腔室的内表面。附着于腔室内表面之中的尤其是腔室的顶面及侧面的溅射材料存在着从壁面落下的可能。其结果是，还存在着在非成膜区域中由被排出的溅射材料引起的颗粒的产生或腔室内的真空度劣化的可能。与此相伴，装置长时间的连续运转变得困难，装置维修成为必要的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2020
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056054号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的是提供一种能够长时间连续地进行稳定的成膜、生产性优异的成膜装置。解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术的成膜装置配备有：腔室；圆筒状的靶，所述靶配置在所述腔室内；大气箱，所述大气箱配置在所述腔室内，具有与所述靶在铅垂方向中的朝上的方向相对的相对面，内部被保持在大气压；移动机构，所述移动机构使所述靶和所述大气箱在相对区域与非相对区域之间移动，所述相对区域是所述靶相对于成膜对象物在铅垂方向中的朝上的方向上相对的区域，所述非相对区域是所述靶相对于所述成膜对象物在铅垂方向中的朝上的方向上不相对的区域；磁场形成机构，所述磁场形成机构设置在所述靶的内部，在所述靶的表面侧形成溅射用的磁场；以及
控制机构，所述控制机构控制所述磁场形成机构的位置，所述成膜装置将从所述靶飞出的材料在所述成膜对象物上成膜，其特征在于，所述控制机构，控制所述磁场形成机构的位置，以便当所述靶处于所述相对区域时，在所述靶与所述成膜对象物之间形成所述磁场，所述控制机构，控制所述磁场形成机构的位置，以便当所述靶处于所述非相对区域时，在所述靶与所述大气箱的所述相对面之间形成所述磁场。专利技术的效果根据本专利技术的装置，尽管是简易的结果，也能够长时间连续地进行稳定的成膜。
附图说明
图1是根据本专利技术的实施例1的溅射装置的概略结构图。图2是根据本专利技术的实施例1的溅射装置的概略结构图。图3是根据本专利技术的实施例1的阴极单元的概略结构图。图4是表示根据本专利技术的实施例的溅射装置的控制结构的框图。图5是根据本专利技术的实施例2的溅射装置的概略结构图。图6是根据本专利技术的实施例2的变形例的溅射装置的概略结构图。图7是说明电子器件的制造方法的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本专利技术的优选的实施方式。但是，下面的记载只不过是示例性地表示本专利技术的优选结构，本专利技术的范围并不局限于这些结构。另外，在下面的说明中，对于装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别说明，则本专利技术的范围并不受其限制。
[0101](实施例1)<成膜装置>参照图1～图4，对于根据本专利技术的实施例1的成膜装置进行说明。根据本实施例的成膜装置是在圆筒状的靶内侧配置有磁铁单元的磁控方式的溅射装置。根据本实施例的成膜装置，在半导体器件、磁性器件、电子部件等各种电子器件、或者光学部件等的制造中，用于在基板(也包括在基板上形成有层叠体的部件)上堆积形成薄膜。更具体地说，根据本实施例的成膜装置优选用于发光元件或光电转换元件、触摸屏等电子器件的制造中。其中，根据本实施例的成膜装置能够特别优选地应用于有机EL(Erectro Luminescence:电致发光)元件等有机发光元件、或者有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中。另外，本专利技术中的电子器件也包括配备有发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)或照明装置(例如有机EL照明装置)、配备有光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。根据本实施例的成膜装置可以作为包括蒸镀装置等的成膜系统的一部分来使用。图1(a)、图1(b)是表示根据本实施例的成膜装置的概略结构的示意图，表示从截面观察成膜装置整体的情况(沿着靶的移动方向(Y轴方向)的截面)下的概略结构。图1(a)
表示靶位于与基板相对的相对区域时，图1(b)表示靶位于不与基板相对的非相对区域时。图2(a)、图2(b)、图2(c)是表示根据本实施例的成膜装置的概略结构的示意图。图2(a)表示从截面观察成膜装置整体的情况(沿着与靶的移动方向垂直的方向的截面)下的概略结构，对应于图2(b)的CC向视图、图2(c)的DD向视图。图2(b)是表示磁铁单元的概略结构的沿着靶的移动方向(Y轴方向)的示意截面图。图2(c)是概略地表示磁铁单元的平面视图结构的示意图。图3是根据本专利技术的实施例1的阴极单元的概略结构图，表示从截面观察阴极单元的情况(沿着与靶的移动方向(Y轴方向)垂直的方向的截面)下的概略结构。如图1所示，根据本实施例的溅射装置(成膜装置)1配备有作为腔室的溅射室(成膜室)2和配置在溅射室2内的阴极单元3。这里，图1中的上方相当于溅射装置1被使用时的铅垂方向的上方，图1中的下方相当于溅射装置1被使用时的铅垂方向的下方。作为成膜处理对象物的基板10经由图中未示出的门闸被向溅射室2搬入、搬出。由低温泵或TMP(蜗轮分子泵)等构成的排气装置17和向室内供应溅射气体的气体供应源18被分别连接于溅射室2。溅射室2构成为能够使内部(V)形成为低压状态(通常，接近于真空的状态)。阴极单元3由包括后面将要描述的磁铁单元4、靶30等的多个装置或部件构成，其中的一部分被设置于溅射室2的外部，暴露于大气(A)中。根据本实施例的溅射装置1配备有使阴极单元3在溅射室2的内部移动的驱动机构12。阴极单元3能够借助驱动机构12在成膜区域(相对区域)A与成膜待机区域(非相对区域)B之间移动，所述成膜区域A是成为在对作为成膜对象物的基板10进行成膜时与基板10相对的位置的区域，所述成膜待机区域B是成为不与基板10相对、不进行成膜时的位置的区域。即，在本实施例中，驱动机构12是使成膜源在成膜待机区域B与成膜区域A之间、或者在成膜区域A内相对于成膜对象物相对移动的移动机构。阴极单元3在作为相对区域的成膜区域A中相对于基板10在铅垂方向上相对，在作为非相对区域的成膜待机区域B中相对于基板10在铅垂方向上不相对。成膜待机区域B相对于成膜区域A处于在阴极单元3的移动方向上的上游侧和下游侧的两个部位(成膜待机区域B1、B2)。移动台32经由线性轴承等搬运导向件沿着一对导轨23在与基板10的被成膜面11平行的方向(这里，为水平方向)上可自由移动地被支承。在图1中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，配备有：腔室；圆筒状的靶，所述靶配置在所述腔室内；大气箱，所述大气箱配置在所述腔室内，具有与所述靶在铅垂方向的朝上的方向上相对的相对面，内部被保持在大气压；移动机构，所述移动机构使所述靶和所述大气箱在相对区域和非相对区域之间移动，所述相对区域是所述靶相对于成膜对象物在铅垂方向的朝上的方向上相对的区域，所述非相对区域是所述靶相对于所述成膜对象物在铅垂方向的朝上的方向上不相对的区域；磁场形成机构，所述磁场形成机构设置在所述靶的内部，在所述靶的表面侧形成溅射用的磁场；控制机构，所述控制机构控制所述磁场形成机构的位置，所述成膜装置将从所述靶飞出的材料成膜于所述成膜对象物，其特征在于，所述控制机构，在所述靶处于所述相对区域时，控制所述磁场形成机构的位置，以便在所述靶与所述成膜对象物之间形成所述磁场，所述控制机构，在所述靶处于所述非相对区域时，控制所述磁场形成机构的位置，以便在所述靶与所述大气箱的所述相对面之间形成所述磁场。2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述磁场形成机构包含能够在所述靶的内部的中空空间内移动的磁铁单元，在所述靶处于所述相对区域时，所述磁铁单元位于所述中空空间中的铅垂方向上的上方，所述靶处于所述非相对区域时，所述磁铁单元位于所述中空空间中的铅垂方向上的下方。3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述磁铁单元包括：第一磁铁，所述第一磁铁与所述靶的中心轴线平行地延伸，与所述靶的内表面相对的面具有第一极性；第二磁铁，所述第二磁铁与所述第一磁铁隔开规定间隔地设置，与所述靶的内表面相对的面具有与所述第一极性相反极性的第二极，所述靶及所述磁铁单元以所述中心轴线作为旋转轴线相互独立地旋转。4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，当所述靶处于所述相对区域时，所述第一磁铁的所述面在铅垂方向上位于比所述旋转轴线靠上方处，当所述靶处于所述非相对区域时，所述第一磁铁的所述面在铅垂方向上位于比所述旋转轴线靠下方处。5.一种成膜装置，配备有：圆筒状的第一靶；圆筒状的第二靶，所述第二靶的中心轴线与所述第一靶的中心轴线以及成膜对象物的成膜面分别平行地配置；
移动机构，所述移动机构使所述第一靶和所述第二靶在相对区域与非相对区域之间移动，所述相对区域是所述第一靶以及所述第二靶各自相对于所述成膜对象物在铅垂方向中的朝上的方向上相对的区域，所述非相对区域是所述第一靶及所述第二靶各自相对于所述成膜对象物在铅垂方向中的朝上的方向上不相对的区域；第一磁场形成机构，所述第一磁场形成机构设置在所述第一靶的内部，在所述第一靶的表面侧形成溅射用的磁场；第二磁场形成机构，所述第二磁场形成机构设置在所述第二靶的内部，在所述第二靶的表面侧形成溅射用的磁场；控制机构，所述控制机构对所述第一磁场形成机构的位置和所述第二磁场形成机构的位置进行控制，所述成膜装置将从所述第一靶及所述第二靶飞出的材料成膜于所述成膜对象物，其特征在于，所述控制机构，当所述第一靶和所述第二靶处于所述相对区域时，控制所述第一磁场形成机构的位置，以便在所述第一靶与所述成膜对象物之间形成磁场，并且，控制所述第二磁场形成机构的位置，以便在所述第二靶与所述成膜对象物之间形成磁场，所述控制机构，当所述第一靶和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎达哉，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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