磁轭组件及磁控溅射设备制造技术

本实用新型专利技术属于磁控溅射设备技术领域，公开了一种磁轭组件及磁控溅射设备。磁轭组件包括磁轭、第一永磁体和第二永磁体；第一永磁体设置于所述磁轭的顶面，所述第一永磁体的两个磁级上下排布；所述磁轭的相对两侧均设置有所述第二永磁体，所述第二永磁体的下方形成非导磁区域，所述第二永磁体的两个磁级的排布方向与竖直方向呈非零夹角设置。该种设置能够减小磁轭形成的非必要的导磁区域，有利于最大程度将永磁体的磁能释放到靶材表面，避免磁能被多余的导磁区域吸收，从而提高磁轭组件提供的磁场强度。场强度。场强度。

【技术实现步骤摘要】
磁轭组件及磁控溅射设备


[0001]本技术涉及磁控溅射设备
，尤其涉及一种磁轭组件及磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]现有磁轭组件包括磁轭和多列永磁体，磁轭一般采用纯铁或不锈铁等具有良好导磁率的材料制成，多列产生溅射所需磁场的永磁体吸附在磁轭的顶面，以方便装配。
[0003]为提高磁场强度，现有技术通过增大所用永磁体的材质牌号、体积以及使用外加电磁线圈等方式，不仅使结构更复杂，而且增加了物料成本。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种磁轭组件磁控溅射设备，能够解决采用增大永磁体材质牌号、体积以及外加电磁线圈等方式增加磁场强度导致成本增加的问题。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]磁轭组件，包括：
[0007]磁轭；
[0008]第一永磁体，设置于所述磁轭的顶面，所述第一永磁体的两个磁级上下排布；
[0009]第二永磁体，所述磁轭的相对两侧均设置有所述第二永磁体，所述第二永磁体的下方形成非导磁区域，所述第二永磁体的两个磁级的排布方向与竖直方向呈非零夹角设置。
[0010]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述第二永磁体的两个磁极沿水平方向排布。
[0011]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述磁轭组件还包括支撑件，所述支撑件由非导磁材料制成，所述支撑件用于由底部支撑至少部分所述第二永磁体。
[0012]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述第二永磁体和所述磁轭均设置于所述支撑件的顶面。r/>[0013]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述支撑件顶面的相对两侧凸设有第一凸缘，所述磁轭和所述第二永磁体设置于两个所述第一凸缘之间。
[0014]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述支撑件的顶面设置有定位槽，所述磁轭固定于所述定位槽内。
[0015]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述磁轭通过螺钉固定于所述支撑件，所述磁轭上设置有沉头孔，所述螺钉嵌设于所述沉头孔内并与所述支撑件连接。
[0016]作为上述磁轭组件的一种可选方案，位于所述磁轭两侧的所述第二永磁体的磁极方向相反。
[0017]作为上述磁轭组件的一种可选方案，所述磁轭的顶面的相对两侧凸设有第二凸缘，所述第一永磁体设置于两个所述第二凸缘之间。
[0018]磁控溅射设备，包括上述的磁轭组件。
[0019]本技术的有益效果：
[0020]本技术提供的磁轭组件中，通过将第二永磁体设置在磁轭的两侧，第二永磁体的下方形成非导磁区域，使得磁轭的大小只需能够承载第一永磁体即可，能够减小磁轭形成的非必要的导磁区域；在此基础上，使第一永磁体和第二永磁体的磁极排布方向呈非零夹角设置，有利于最大程度将永磁体的磁能释放到靶材表面，避免磁能被多余的导磁区域吸收，从而提高磁轭组件提供的磁场强度。
附图说明
[0021]图1是本技术提供的磁轭组件的结构示意图；
[0022]图2是本技术提供的磁轭组件的主视图；
[0023]图3是本技术提供的磁轭组件在未装配时的结构示意图；
[0024]图4是本技术提供的对比例中磁轭组件产生磁感线以及磁场大小示意图；
[0025]图5是本技术提供的磁轭组件产生磁感线以及磁场大小示意图。
[0026]图中：
[0027]1、磁轭；11、第二凸缘；2、第一永磁体；3、第二永磁体；4、支撑件；41、第一凸缘；5、螺钉。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0029]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0031]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0032]如图1和图2所示，本实施例提供了一种磁轭组件，可以用于磁控溅射设备中。磁轭组件包括磁轭1、第一永磁体2和两个第二永磁体3。第一永磁体2设置于磁轭1的顶面，第一
永磁体2的两个磁级上下排布；磁轭1的相对两侧均设置有第二永磁体3，第二永磁体3的两个磁级的排布方向与竖直方向呈非零夹角设置。
[0033]本实施例中，通过将第二永磁体3设置在磁轭1的两侧，第二永磁体3的下方形成非导磁区域，使得磁轭1的大小只需能够承载第一永磁体2即可，能够减小磁轭1形成的非必要的导磁区域；在此基础上，使第一永磁体2和第二永磁体3的磁极排布方向呈非零夹角设置，有利于最大程度将永磁体的磁能释放到靶材表面，避免磁能被多余的导磁区域吸收，从而提高磁轭组件提供的磁场强度。采用本实施例提供的磁轭1结构，不需要通过增大所用永磁体的材质牌号、体积以及使用外加电磁线圈等方式来增强磁场强度，有利于节省物料成本，简化磁轭组件结构。
[0034]此外，通过减少被多余导磁区域吸收的磁能来增强磁场强度，能够在达到相同磁场强度的需求下使用更小的永磁体，使得磁轭组件的结构刚性以及整体质量均能够相对降低，有利于使磁轭组件更轻便，减小磁轭组件整体重量导致的非预期形变。
[0035]本实施例中，磁轭1、第一永磁体2和第二永磁体3均为长条结构。第一永磁体2设置在磁轭1的顶面，能够被磁轭1吸附。第二永磁体3设置在磁轭1侧面并与磁轭1接触，同样能够被磁轭1吸附。
[0036]在其他实施例中，第一永磁体2、第二永磁体3以及磁轭1均可以为多段结构。
[0037]如图2所示，第一永磁体2的两个磁极的排布方向与第二永磁体3的两个磁极的排布方向垂直。其中，第一永磁体2的两个磁极沿上下方向(图中Y方向)排布，第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.磁轭组件，其特征在于，包括：磁轭(1)；第一永磁体(2)，设置于所述磁轭(1)的顶面，所述第一永磁体(2)的两个磁级上下排布；第二永磁体(3)，所述磁轭(1)的相对两侧均设置有所述第二永磁体(3)，所述第二永磁体(3)的下方形成非导磁区域，所述第二永磁体(3)的两个磁级的排布方向与竖直方向呈非零夹角设置。2.根据权利要求1所述的磁轭组件，其特征在于，所述第二永磁体(3)的两个磁极沿水平方向排布。3.根据权利要求1所述的磁轭组件，其特征在于，所述磁轭组件还包括支撑件(4)，所述支撑件(4)由非导磁材料制成，所述支撑件(4)用于由底部支撑至少部分所述第二永磁体(3)。4.根据权利要求3所述的磁轭组件，其特征在于，所述第二永磁体(3)和所述磁轭(1)均设置于所述支撑件(4)的顶面。5.根据权利要求4所述的磁轭组件，其特征在于，所述支撑件(4)顶面的相对两侧凸设有第一凸缘(41)，所述磁轭(1)和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：周振国，彭孝龙，莫超超，董刚强，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：