磁共振成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供磁共振成像装置。提供具备抑制漏磁通的磁屏蔽构造的MRI装置。具备：以摄像空间为中心对置配置的一对静磁场磁铁；和以摄像空间为中心对置配置的一对倾斜磁场线圈，静磁场磁铁具有圆盘状磁性体磁极(201)和圆环状磁性体磁极(202)，倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中在Z轴方向上提供倾斜的磁场的第1线圈(204)；和对圆盘状磁性体磁极遮蔽从第1线圈产生的磁通的层叠体(301)，层叠体在圆环上磁性体磁极侧的Z轴方向厚度比摄像空间的中心部薄，层叠体的圆环状磁性体磁极侧的层叠体端部的铅垂方向最下部位于比层叠体的摄像区域侧的层叠体中央部的最下部高的位置。的层叠体中央部的最下部高的位置。的层叠体中央部的最下部高的位置。

【技术实现步骤摘要】
磁共振成像装置


[0001]本专利技术涉及抑制由磁共振成像(以下称作MRI)装置内的倾斜磁场线圈形成的漏磁通的磁屏蔽构造。

技术介绍

[0002]MRI装置是如下那样的装置：对被试验者给予高频的磁场，使人体内的氢原子产生共振，能够由接收线圈取得在该共振时产生的电波，将所得到的电波提取为图像。MRI装置主要由如下要素构成：用于构成均匀的静磁场的静磁场磁铁；生成空间上线性的磁场并对从MRI得到的信号追加位置信息的倾斜磁场线圈；和上述用于接收从氢原子产生的电波的接收线圈等。
[0003]倾斜磁场线圈由于为了生成所期望的空间上的磁场而流通脉冲状的电流波形，因此，会通过与该电流变化相应的涡电流而产生变动磁场，使MRI装置内的金属部件产生涡电流。该变动磁场会使静磁场的均匀性变差，或给倾斜磁场的空间分布带来影响，从而成为图像劣化的要因。特别是，用于生成静磁场的磁铁大多由铁材质磁极构成，有可能会给该磁极材料的磁化也带来影响。
[0004]因此，在近年的MRI装置中，通过追加被称作有源屏蔽线圈的将产生涡电流的相反朝向的磁场抵消这样的功能，抑制了图像劣化。
[0005]但是，由于通过该有源屏蔽所占据的区域，磁铁与摄像空间的距离远离，磁阻变高，因此用于生成所需的静磁场的磁动势、磁极会大型化。虽然磁动势的增大能用线圈电流、匝数来进行调整，但有可能会招致因线圈电流增大所导致的磁能的增大以及因线圈、磁极的大型化所导致的高成本化。
[0006]根据这样的背景，公开了如下对策方法：在中低磁场的MRI装置中，在倾斜磁场线圈与金属构造物之间设置成为磁通的通路且能抑制涡电流产生的例如软铁氧体、硅钢板等磁性体磁极片(参考专利文献1)。
[0007]此外，在专利文献2中，已知如下结构：为了抑制涡电流，通过在倾斜磁场线圈与磁性体磁极间设置被分成由减小了直径的硅钢板构成的表层部和由加大了直径的硅钢板构成的深层部的层叠体，来进行涡电流的抑制，防止因减小硅钢板直径所引起的表观的导磁率的减少。
[0008]进而，在专利文献3中，在磁极加入狭缝构造，来减小涡电流所流通的区域，加快衰减时间常数，通过设为这样的结构，抑制了在倾斜磁场线圈的电流随时间变化时磁通向磁极泄漏。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1：JP特开平05
‑
182821号公报
[0012]专利文献2：JP特开2004
‑
65714号公报
[0013]专利文献3：JP特开2016
‑
96829号公报
[0014]但是，例如在专利文献1中，由于使用饱和磁化低的软铁氧体，因此在高磁场下，例如在1.5T的静磁场下，会失去磁屏蔽效果，难以抑制涡电流。此外，在专利文献2记载的结构中，需要准备多种层叠体的大小，有可能会招致层叠体的制造成本增大、制造时间长期化。进而，在专利文献3记载的结构中，由于在磁极中加入了狭缝，因而有可能因磁极的构造强度变差而需要追加加固构件。此外，由于铁材质的量减少了狭缝的量，表观上的导磁率减少，因此有可能由于所需的磁动势增大而招致高成本化。

技术实现思路

[0015]本专利技术的目的在于，解决上述的课题，提供具备可抑制漏磁通的磁屏蔽构造的MRI装置。
[0016]为了达成上述的目的，在本专利技术中提供如下结构的磁共振成像装置，该磁共振成像装置具备：以摄像空间为中心对置配置的一对静磁场磁铁；和以摄像空间为中心对置配置的一对倾斜磁场线圈，静磁场磁铁具有圆盘状磁性体磁极和圆环状磁性体磁极，倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中在Z轴方向上提供倾斜的磁场的第1线圈；和对圆盘状磁性体磁极遮蔽从第1线圈产生的磁通的层叠体，层叠体在圆环上磁性体磁极侧的Z轴方向厚度比摄像空间的中心部薄，且层叠体的圆环状磁性体磁极侧的层叠体端部的铅垂方向最下部位于比层叠体的摄像区域侧的层叠体中央部的最下部高的位置。
[0017]此外，为了达成上述的目的，在本专利技术中提供如下结构的磁共振成像装置，该磁共振成像装置具备：以摄像空间为中心对置配置的一对静磁场磁铁；和以所述摄像空间为中心对置配置的一对倾斜磁场线圈，静磁场磁铁具有圆盘状磁性体磁极和圆环状磁性体磁极，倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中在Z轴方向上提供倾斜的磁场的第1线圈；和对圆盘状磁性体磁极遮蔽从第1线圈产生的磁通的层叠体，层叠体在圆环上磁性体磁极侧的Z轴方向厚度比摄像空间的中心部厚，层叠体的圆环状磁性体磁极侧的层叠体端部的铅垂方向最下部配置在比层叠体的中央部最下部低的位置。
[0018]专利技术效果
[0019]根据本专利技术，能提供一种MRI装置，不根据位置而改变层叠体的直径，就可抑制向构成静磁场磁铁的磁极发生泄漏，防止画质变差，不增大层叠体的制造成本，就可减少涡电流。
附图说明
[0020]图1是表示具备实施例1所涉及的层叠体的开放型MRI装置的一结构的图。
[0021]图2是表示将实施例1所涉及的层叠体端部相对于层叠体中央部的Z轴配置在中央部的层叠体、磁性体磁极以及倾斜磁场线圈所形成的磁通的流动的图。
[0022]图3是表示将实施例1所涉及的层叠体端部相对于层叠体中央部的Z轴配置在上侧的层叠体、磁性体磁极、以及倾斜磁场线圈所形成的磁通的流动的图。
[0023]图4是表示实施例1所涉及的层叠体的一结构的图。
[0024]图5是表示实施例1所涉及的绝缘体和层叠体的一结构的图。
[0025]图6是表示实施例2所涉及的绝缘体和层叠体的其他结构的图。
[0026]图7是表示具备实施例2所涉及的层叠体的MRI装置的一结构的图。
[0027]附图标记的说明
[0028]1：开放型MRI装置
[0029]101：摄像空间
[0030]201：圆盘状磁性体磁极
[0031]202：圆环状磁性体磁极
[0032]204：倾斜磁场线圈
[0033]301：层叠体
[0034]301a：层叠体端部
[0035]301b：层叠体中央部
[0036]301c：具有比层叠体中央部301b厚的厚度的层叠体端部
[0037]401：径向
[0038]401a：径向正分量
[0039]401b：径向负分量
[0040]402：高度方向
[0041]501：薄膜体
[0042]502：绝缘材料
[0043]601：磁通
[0044]602：磁通
具体实施方式
[0045]以下使用附图来说明本专利技术的各种实施例。另外，在各图中，相同部分赋予相同编号。
[0046]【实施例1】
[0047]实施例1是如下结构的MRI装置的实施例，具备：以摄像空间为中心对置配置的一对静磁场磁铁；和以摄像空间为中心对置配置的一对倾斜磁场线圈，静磁场磁铁具有圆盘状磁性体磁极和圆环状磁性体磁极，倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中在Z轴方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁共振成像装置，其特征在于，具备：以摄像空间为中心对置配置的一对静磁场磁铁；和以所述摄像空间为中心对置配置的一对倾斜磁场线圈，所述静磁场磁铁具有圆盘状磁性体磁极和圆环状磁性体磁极，所述倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中在Z轴方向上提供倾斜的磁场的第1线圈；和对所述圆盘状磁性体磁极遮蔽从第1线圈产生的磁通的层叠体，所述层叠体在圆环上磁性体磁极侧的Z轴方向厚度比所述摄像空间的中心部薄，所述层叠体的圆环状磁性体磁极侧的层叠体端部的铅垂方向最下部位于比所述层叠体的摄像区域侧的层叠体中央部的最下部高的位置。2.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述层叠体为厚度20mm以上。3.根据权利要求2所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述层叠体通过将直径100mm以下的薄膜体层叠来构成，所述薄膜体的形状全都大致同等。4.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所述倾斜磁场线圈配置在所述静磁场磁铁的直径的内侧。5.根据权利要求1所述的磁共振成像装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤研吾，青木学，高柳泰介，星野伸，今村幸信，竹内博幸，中山武，
申请(专利权)人：富士胶片医疗健康株式会社，
类型：发明
国别省市：