光芯片及激光雷达制造技术

本申请提供了一种光芯片及激光雷达，其中，光芯片的出光口处设置有热敏胆固醇液晶层；当光芯片随工作温度升高导致出光口处的出射光产生波长红移时，热敏胆固醇液晶层因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射光芯片的出光口处的出射光。本申请通过在光芯片的出光口处设置热敏胆固醇液晶层，可以在光芯片因热导致波长红移时给于相应的波长反射，从而遮挡激光发出，给于使用者提醒。给于使用者提醒。给于使用者提醒。

【技术实现步骤摘要】
光芯片及激光雷达


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种光芯片及激光雷达。

技术介绍

[0002]随著雷射在车载雷达上使用的频率越来越高，对于雷射动态的可靠性检测，也应当被完善，目前所知在LiDAR(激光雷达，是一种集激光，全球定位系统(GPS)和惯性导航系统(INS)三种技术于一身的系统，用于获得点云数据并生成精确的数字化三维模型)上并无一种可以动态侦测器件是否过热的技术，当激光雷达工作温度增高时会影响其性能，而如果温度高过一定值时，甚至可能会造成雷达烧毁。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种光芯片及激光雷达，通过在光芯片的出光口处设置热敏型热敏胆固醇液晶层，可以在光芯片因热红移时给于相应的波长反射，从而遮挡激光发出，给于使用者提醒。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种光芯片，光芯片的出光口处设置有热敏胆固醇液晶层；当光芯片随工作温度升高导致出光口处的出射光产生波长红移时，热敏胆固醇液晶层因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射光芯片的出光口处的出射光。
[0005]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层通过虹吸方式置于光芯片的出光口处。
[0006]在本申请较佳的实施方式中，上述光芯片的出光口最外层为导电玻璃层；热敏胆固醇液晶层设置于组件内部且与导电玻璃层贴合。
[0007]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层为掺杂有TCD热敏手性掺杂剂的胆固醇液晶材料。
[0008]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层通过调节TCD的掺杂浓度，调节反射光波长，以适应于不同出射光波长的光芯片。
[0009]在本申请较佳的实施方式中，上述光芯片还包括：从下到上依次设置的衬底、N型接触层、N型掺杂层、多对量子阱层、激光发射层、氧化层和P型掺杂层；热敏胆固醇液晶层设置于P型掺杂层和导电玻璃层之间。
[0010]在本申请较佳的实施方式中，上述衬底为GaAs基板。
[0011]在本申请较佳的实施方式中，上述N型掺杂层为GaAs层或AlGaAs层。
[0012]在本申请较佳的实施方式中，上述激光发射层为GaAs层或AlGaAs层。
[0013]第二方面，本申请实施例还提供一种激光雷达，激光雷达包括如第一方面所述的光芯片。
[0014]本申请实施例提供的光芯片及激光雷达中，光芯片的出光口处设置有热敏胆固醇液晶层；当光芯片随工作温度升高导致出光口处的出射光产生波长红移时，热敏胆固醇液晶层因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射光芯片的出光口处的出射光。本申请实
施例通过在光芯片的出光口处设置热敏胆固醇液晶层，可以在光芯片因热红移时给于相应的波长反射，从而遮挡激光发出，给于使用者提醒。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本申请实施例提供的一种光芯片的结构框图；
[0017]图2为本申请实施例提供的一种光芯片的示意图；
[0018]图3为本申请实施例提供的一种光芯片的制备过程示意图；
[0019]图4为本申请实施例提供的一种激光雷达的结构框图。
具体实施方式
[0020]下面将结合实施例对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0021]现有技术中，在LiDAR激光雷达上并无一种可以动态侦测器件是否过热的技术，当激光雷达工作温度增高时会影响其性能，而如果温度高过一定值时，甚至可能会造成雷达烧毁。
[0022]基于此，本申请实施例提供一种光芯片及激光雷达，通过在光芯片的出光口处设置热敏型热敏胆固醇液晶层，可以在光芯片因热红移时给于相应的波长反射，从而遮挡激光发出，给于使用者提醒。
[0023]为便于对本实施例进行理解，首先对本申请实施例所公开的一种光芯片进行详细介绍。
[0024]图1为本申请实施例提供的一种光芯片的示意图，该光芯片100的出光口101处设置有热敏胆固醇液晶层102；当光芯片100随工作温度升高导致出光口101处的出射光产生波长红移时，热敏胆固醇液晶层102因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射光芯片100的出光口101处的出射光。
[0025]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层通过虹吸方式置于光芯片100的出光口101处。
[0026]在本申请较佳的实施方式中，上述光芯片100的出光口101最外层为导电玻璃层；热敏胆固醇液晶层设置于组件内部且与导电玻璃层贴合。
[0027]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层为掺杂有TCD(Thermosensitive Chiral Dopant，热敏手性掺杂剂)的材料。
[0028]在本申请较佳的实施方式中，上述热敏胆固醇液晶层通过调节TCD的掺杂浓度，调节热敏胆固醇液晶层的反射光波长，以适应于不同出射光波长的光芯片。
[0029]在本申请较佳的实施方式中，参见图2所示，上述光芯片还包括：从下到上依次设
置的衬底11、N型接触层12、N型掺杂层13、多对量子阱层14、激光发射层15，分别对应Substrate、N
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Contact
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layout、N
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DBR、MQW和P
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DBR；在激光发射层15上，还设置有氧化层16和P型掺杂层17；热敏胆固醇液晶层18设置于P型掺杂层17和导电玻璃层19之间。图中黑色表示金属，用作电极。该光芯片为在衬底上以MOCVD沉积方式所制，其属于半导体，提供电流以发出光。
[0030]其中，衬底11(Substrate):可以为GaAs基板；
[0031]N型接触层12(N
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Contact
‑
layout):可以为N型金属适配公函数生长层。
[0032]N型掺杂层13(N
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DBR):可以为N型参杂堆栈方式GaAs/AlGaAs。
[0033]多对量子阱层14(MQW):可以为多对量子阱层提高复合。
[0034]激光发射层15(P
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DBR):可以为散式布拉格反射器，即激光发射层。
[0035]图3中示出了该光芯片的制备过程，如第一步制备好多个层，然后进行刻蚀、氧化、金属化、最后在P型掺杂层17和导电玻璃层19之间，设置热敏胆固醇液晶层18，得到最终的光芯片。
[0036]与现有技术相比，本申请实施例有如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光芯片，其特征在于，所述光芯片的出光口处设置有热敏胆固醇液晶层；当所述光芯片随工作温度升高导致出光口处的出射光产生波长红移时，所述热敏胆固醇液晶层因热进行螺距旋转，使反射光波长改变，以反射所述光芯片的出光口处的出射光。2.根据权利要求1所述的光芯片，其特征在于，所述热敏胆固醇液晶层通过虹吸方式置于所述光芯片的出光口处。3.根据权利要求2所述的光芯片，其特征在于，所述光芯片的出光口最外层为导电玻璃层；所述热敏胆固醇液晶层设置于组件内部且与所述导电玻璃层贴合。4.根据权利要求1所述的光芯片，其特征在于，所述热敏胆固醇液晶层为掺杂有TCD热敏手性掺杂剂的胆固醇液晶材料。5.根据权利要求4所述的光芯片，其特征在于，所述热敏胆固醇液晶层通过调节T...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳勋，
申请(专利权)人：深圳市德明利光电有限公司，
类型：新型
国别省市：