多芯衬底制造技术

公开了各种封装件配置及其制造方法。在一些方面，封装件可以包括芯层和第一层，该第一层直接附接到芯层的第一面，其中第一器件被嵌入在第一层中。第二层可以直接附接到芯层的与第一面相对的第二面，其中第二无源器件被嵌入在第二层中。第一堆积层可以直接附接到第一层，与芯层相对，并且第二堆积层可以直接附接到第二层，与芯层相对。与芯层相对。与芯层相对。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多芯衬底
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]对于本专利申请要求2020年5月29日提交的标题为“MULTICORE SUBSTRATE”的美国临时专利申请第63/031,881号和2021年5月27日提交的标题为“MULTICORE SUBSTRATE”的美国非临时专利申请第17/332,962号的权益，这两个专利申请都已转让给本申请的受让人，并且通过引用明确地将其全部内容并入本文。


[0003]本公开总体涉及衬底，并且更具体地，但非排他地，涉及多芯衬底。

技术介绍

[0004]如今，集成电路封装件广泛应用于电子电路中。例如，人工智能(AI)、计算和服务器封装件今天被广泛使用。然而，由于对这些类型的封装件的刚度要求，这些封装件通常在衬底中具有厚的层压芯。此厚芯会影响从电路板到封装件中半导体芯片上的逻辑的功率输送。现有的常规解决方案有管芯侧电容器(DSC)、底面电容器(LSC)和嵌入式无源衬底(EPS)。不幸的是，这些常规的方法仍然有许多局限性，诸如：DSC——横向连接，不利于用于功率输送网络；LSC——远离管芯逻辑，由于厚芯和更多层玻璃纤维浸渍树脂(预浸料)，效率较低；以及EPS——比LSC好，但仍然远离逻辑，因为这些产品的衬底总层数为8
‑
20层。
[0005]因此，需要用于克服包括由此提供的方法、系统和装置在内的常规方法的缺陷的系统、装置和方法。

技术实现思路

[0006]以下呈现与与本文公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化的
技术实现思路
。因此，以下
技术实现思路
不应被认为是与所有设想方面和/或示例相关联的广泛综述，也不应被认为是标识与所有设想方面和/或示例相关联的关键或重要要素，或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下
技术实现思路
的唯一目的是在下文呈现的具体实施方式之前，以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文公开的装置和方法相关的示例。
[0007]在一个方面，一种封装件包括：芯层；第一层，直接附接到芯层的第一面；第二层，直接附接到芯层的第二面，芯层的第二面与芯层的第一面相对；第一堆积层(buildup layer)，直接附接到第一层，与芯层相对；第二堆积层，直接附接到第二层，与芯层相对；第一层中的第一无源器件；以及第二层中的第二无源器件。
[0008]在另一个方面，一种装置包括：封装件衬底，该封装件衬底包括：芯结构；第一嵌入式无源衬底(EPS)层，直接附接到该芯结构的第一面，其中第一无源器件被嵌入在该第一层中；第二EPS层，直接附接到与芯结构的第一面相对的芯结构的第二面，其中第二无源器件被嵌入在第二EPS层中；第一堆积层，直接附接到第一层，与芯结构相对；以及第二堆积层，直接附接到第二EPS层，与芯结构相对。
[0009]在又一个方面，一种封装件包括：用于绝缘的部件；第一用于嵌入的部件，直接附接到用于绝缘的部件的第一面；第二用于嵌入的部件，直接附接到用于绝缘的部件的第二面，用于绝缘的部件的第二面与用于绝缘的部件的第一面相对；第一用于支撑的部件，直接附接到第一用于嵌入的部件，与用于绝缘的部件相对；第二用于支撑的部件，直接附接到第二用于嵌入的部件，与用于绝缘的部件相对；第一用于嵌入的部件中的第一无源器件；以及第二用于嵌入的部件中的第二无源器件。
[0010]在又一个方面，一种用于制造封装件的方法，该方法包括：提供芯层；直接在芯层的第一面上形成第一层；直接在芯层的第二面上形成第二层，芯层的第二面与芯层的第一面相对；在第一层中嵌入第一无源器件；在第二层中嵌入第二无源器件；在第一层上直接形成第一堆积层，与芯层相对；以及直接在第二层上形成第二堆积层，与芯层相对。
[0011]在又一个方面，一种包括指令的非暂态计算机可读介质，当该指令由处理器执行时使处理器执行包括以下的方法：提供芯层；直接在芯层的第一面上形成第一层；直接在芯层的第二面上形成第二层，芯层的第二面与芯层的第一面相对；在第一层中嵌入第一无源器件；在第二层中嵌入第二无源器件；与芯层相对地在第一层上直接形成第一堆积层；以及与芯层相对地在第二层上直接形成第二堆积层。
[0012]基于附图和具体实施方式，与本文公开的装置和方法相关联的其他特征和优点对于本领域技术人员来说将是显而易见的。
附图说明
[0013]当结合附图考虑时，通过参考下面的具体实施方式，将容易获得对本公开的各方面及其许多伴随的优点的更完整的理解，附图仅用于说明而非限制本公开，并且在附图中：
[0014]图1图示了根据本公开的至少一个方面的封装件；
[0015]图2A和图2B图示了根据本公开的至少一个方面的另外的封装件；
[0016]图3A至图3L图示了根据本公开的至少一个方面的用于制造封装件的方法；
[0017]图4A至图4C图示了根据本公开的至少一个方面的用于制造封装件的另外的方法；
[0018]图5图示了根据本公开的至少一个方面的另外的封装件配置；
[0019]图6图示了根据本公开的至少一个方面的示例性移动器件；以及
[0020]图7图示了根据本公开的至少一个方面的可以与任一前述方法、器件、半导体器件、集成电路、管芯、中介层、封装件或层叠封装(pop)集成的各种电子器件。
[0021]按照惯例，附图所描绘的特征可能不是按比例绘制的。因此，为了清楚起见，所描绘的特征的尺寸可以任意扩大或缩小。根据惯例，为了清楚起见，对附图中的一些进行了简化。因此，附图可能没有描绘特定装置或方法的所有部件。此外，在整个说明书和附图中，相同的附图标记表示相同的特征。
具体实施方式
[0022]本文公开的方法、装置和系统减轻了常规方法、装置和系统的缺点，以及其他先前未识别的需求。本文的示例提供了比从嵌入式无源衬底、底面(land side)电容器或管芯侧电容器可获得的更靠近半导体管芯的连接性、比非预封装/嵌入式部件更好的间距布局、高密度配置、结构对称性、更好的机械稳定性，并且不需要用于底面无源器件的球栅阵列去弹
出过程。本文描述的示例相对于常规方法具有显著的改善，包括但不限于：允许电容器更靠近管芯附接以获得更好的配电网络(PDN)性能；通过在衬底芯的相对面的平衡的嵌入式无源结构/位置，更好的翘曲管理；通过去除管芯侧无源元件能够减小封装件尺寸；避免球栅阵列(BGA)引脚由于底面无源器件而被移除或去弹出；有助于电气和机械稳定性；由于BGA球高的高度限制，多层陶瓷电容器(MLCC)的选择比底面无源器件更灵活。应当理解，尽管本文的示例可以图示BGA配置中的实现方式，但是本公开的范围不限于具有BGA的封装件/器件，而是还可以实现或应用于类似的配置，诸如衬底栅格阵列(LGA)配置(例如，用于服务器器件)。
[0023]图1图示了根据本公开的至少一个方面的示例性封装件。如图1中所示，封装件100可以包括衬底110，该衬底包括：芯层120；第一层130，其直接附接到芯层120的第一面122；第二层140，其直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装件，包括：芯层；第一层，直接附接到所述芯层的第一面，其中第一器件被嵌入在所述第一层中；第二层，直接附接到所述芯层的与所述第一面相对的第二面，其中第二无源器件被嵌入在所述第二层中；第一堆积层，直接附接到所述第一层，与所述芯层相对；以及第二堆积层，直接附接到所述第二层，与所述芯层相对。2.根据权利要求1所述的封装件，还包括在所述第一堆积层上的、与所述第一层相对的半导体管芯。3.根据权利要求1所述的封装件，还包括在所述第二堆积层上的、与所述第二层相对的多个焊球。4.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一无源器件和所述第二无源器件对称地位于所述芯层的相对面上。5.根据权利要求1所述的封装件，其中所述芯层包括多个层压层。6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一层包括多个电介质层。7.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第二层包括多个电介质层。8.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第一堆积层包括多个预浸料层。9.根据权利要求1所述的封装件，其中所述第二堆积层包括多个预浸料层。10.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装件被并入选自由以下组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。11.一种包括封装件衬底的装置，所述封装件衬底包括：芯结构；第一嵌入式无源衬底(EPS)层，直接附接到所述芯结构的第一面，其中第一无源器件被嵌入在所述第一层中；第二EPS层，直接附接到与所述芯结构的所述第一面相对的所述芯结构的第二面，其中第二无源器件被嵌入在所述第二EPS层中；第一堆积层，直接附接到所述第一层，与所述芯结构相对；以及第二堆积层，直接附接到所述第二EPS层，与所述芯结构相对。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述芯结构包括：第一芯层。13.根据权利要求12所述的装置，其中所述芯结构还包括：第二芯层；以及中心电介质，设置在所述第一芯层和所述第二芯层之间。14.根据权利要求11所述的装置，还包括半导体管芯，所述半导体管芯耦合到所述封装件衬底的所述第一堆积层，与所述第一EPS层相对。15.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一无源器件和所述第二无源器件对称地位于所述芯结构的相对面上。
16.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一EPS层包括：第一多个电介质层。17.根据权利要求16所述的装置，其中所述第一EPS层还包括：第一EPS芯，设置在所述第一多个电介质层中的两个电介质层之间，其中所述第一无源器件设置在所述第一EPS芯的腔中。18.根据权利要求17所述的装置，其中所述第二EPS层包括：第二多个电介质层。19.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二EPS层还包括：第二EPS芯，设置在所述第二多个电介质层中的两个电介质层之间，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：