遮蔽装置及具有遮蔽装置的薄膜沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘及一遮蔽装置，其中部分遮蔽装置及承载盘位于反应腔体内。遮蔽装置包括两个遮蔽板及一驱动装置，其中驱动装置连接并驱动两个遮蔽板朝相反方向摆动。两个遮蔽板分别包括一彼此面对的侧面，其中两个侧面分别设置一凹部及一凸部。在进行沉积制程时，驱动装置带动两个遮蔽板相互远离，并切换到开启状态。在进行清洁制程时，驱动装置带动两个遮蔽板相互靠近，切换为遮蔽状态，其中一个遮蔽板的凸部会进入另一个遮蔽板的凹部，并可有效的遮蔽承载盘。并可有效的遮蔽承载盘。并可有效的遮蔽承载盘。

【技术实现步骤摘要】
遮蔽装置及具有遮蔽装置的薄膜沉积设备


[0001]本专利技术有关于一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，主要通过遮蔽装置完整的遮挡承载盘，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。
[0004]腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
[0005]在经过一段时间的使用后，腔体的内表面会形成沉积薄膜，因此需要周期性的清洁腔体，以避免沉积薄膜在制程中掉落，进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物，因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言，通常会通过预烧(burn
‑
in)制程，以电浆离子撞击腔体内的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。
[0006]在进行上述清洁腔体及靶材时，需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出，或者隔离晶圆承载盘，以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。

技术实现思路

[0007]一般而言，薄膜沉积设备在经过一段时间的使用后，通常需要进行清洁，以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘，因此需要隔离承载盘及污染物。本专利技术提出一种遮蔽装置及具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，主要通过驱动装置带动两个遮蔽板朝相反方向摆动，使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。操作在遮蔽状态的遮蔽板可完整的遮蔽承载盘，以有效避免清洁腔体或靶材时产生的微粒污染承载盘。
[0008]本专利技术的一目的，在于提供一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，主要包括一反应腔体、一承载盘及一遮蔽装置。遮蔽装置包括一驱动装置及两个遮蔽板，其中驱动装置连接并驱动两个遮蔽板分别朝相反方向摆动，使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。
[0009]两个遮蔽板分别包括一侧面，其中两个遮蔽板的侧面相面对，并于两个遮蔽板相面对的侧面上分别设置至少一凹部及至少一凸部。在清洁反应腔体时，驱动装置带动两个遮蔽板以摆动的方式相互靠近，其中一个遮蔽板的侧面上的凸部会进入另一个遮蔽板的侧面上的凹部，并在两遮蔽板之间形成一重迭区域，使得两个遮蔽板构成一个完整的遮蔽构
件。在进行沉积制程时，驱动装置带动两个遮蔽板以摆动的方式相互远离，并可对反应腔体内的基板进行薄膜沉积。
[0010]本专利技术的一目的，在于提供一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，主要通过两个遮蔽板构成一个完整的遮蔽件，可缩小收纳遮蔽板需要的空间。在本专利技术一实施例中，两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内进行相反方向的摆动，其中两个遮蔽板可以在反应腔体的容置空间内操作在开启状态或遮蔽状态，可简化反应腔体的构造及缩小反应腔体的体积。
[0011]本专利技术的一目的，在于提供一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，其中驱动装置通过两个连接臂分别连接及承载两个遮蔽板，以降低连接臂的负重。此外亦可进一步使用厚度较大的遮蔽板，以防止遮蔽板在清洁薄膜沉积设备时发生高温变形，并有利于提高遮蔽板遮挡承载盘的效果。
[0012]为了达到上述的目的，本专利技术提出一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，包括：一反应腔体，包括一容置空间：一承载盘，位于容置空间内，并用以承载至少一基板；及一遮蔽装置，包括：一第一遮蔽板，位于容置空间内，并包括一第一内侧面，其中第一内侧面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，位于容置空间内，并包括一第二内侧面，其中第二内侧面包括至少一凹部，第一内侧面的凸部对应第二内侧面的凹部；及一驱动装置，连接第一遮蔽板及第二遮蔽板，并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向摆动，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中遮蔽状态的第一遮蔽板的第一内侧面及第二遮蔽板的第二内侧面会相互靠近，而第一内侧面上的凸部则会进入第二内侧面上的凹部，并以第一遮蔽板及第二遮蔽板遮挡承载盘。
[0013]本专利技术提出一种遮蔽装置，适用于一薄膜沉积设备，包括：一第一遮蔽板，包括一第一内侧面，其中第一内侧面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，包括一第二内侧面，其中第二内侧面包括至少一凹部，第一内侧面的凸部对应第二内侧面的凹部；及一驱动装置，连接第一遮蔽板及第二遮蔽板，并分别驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向摆动，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中遮蔽状态的第一遮蔽板的第一内侧面及第二遮蔽板的第二内侧面会相互靠近，而第一内侧面上的凸部则会进入第二内侧面上的凹部。
[0014]所述的薄膜沉积设备及遮蔽装置，其中驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达，驱动马达通过轴封装置连接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0015]所述的薄膜沉积设备及遮蔽装置，其中轴封装置包括一外管体及一轴体，外管体包括一空间用以容置轴体，驱动马达通过外管体连接第一遮蔽板，通过轴体连接第二遮蔽板，并同步驱动轴体及外管体朝相反的方向转动。
[0016]所述的薄膜沉积设备及遮蔽装置，包括两个感测区连接反应腔体，两个感测区分别包括一感测空间流体连接容置空间，两个感测区的厚度小于反应腔体，其中两个感测区分别设置至少一位置感测单元，用以感测进入感测空间的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
[0017]所述的薄膜沉积设备及遮蔽装置，包括至少一位置感测单元设置于反应腔体，并用以感测第一遮蔽板及第二遮蔽板的位置。
[0018]所述的薄膜沉积设备及遮蔽装置，其中第一遮蔽板的面积大于第二遮蔽板的面积。
[0019]本专利技术的有益效果是：提供一种具有遮蔽装置的沉积设备，在清洁反应腔体时，驱动装置则会带动第一及第二遮蔽板相互靠近，并切换为遮蔽状态以遮蔽承载盘，避免在清洁薄膜沉积机台的过程中污染承载盘。
附图说明
[0020]图1为本专利技术具有遮蔽装置的薄膜沉积设备操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。
[0021]图2为本专利技术薄膜沉积设备的遮蔽装置操作在开启状态一实施例的立体示意图。
[0022]图3为本专利技术薄膜沉积设备的遮蔽装置操作在遮蔽状态一实施例的立体示意图。
[0023]图4为本专利技术遮蔽装置未操作在遮蔽状态一实施例的部分放大剖面示意图。
[0024]图5为本专利技术遮蔽装置操作在遮蔽状态一实施例的部分放大剖面示意图。
[0025]图6为本专利技术遮蔽装置未操作在遮蔽状态又一实施例的部分放大剖面示意图。
[0026]图7为本专利技术遮蔽装置的驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，其特征在于，包括：一反应腔体，包括一容置空间；一承载盘，位于该容置空间内，并用以承载至少一基板；及一遮蔽装置，包括：一第一遮蔽板，位于该容置空间内，并包括一第一内侧面，其中该第一内侧面包括至少一凸部；一第二遮蔽板，位于该容置空间内，并包括一第二内侧面，其中该第二内侧面包括至少一凹部，该第一内侧面的该凸部对应该第二内侧面的该凹部；及一驱动装置，连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板，并分别驱动该第一遮蔽板及该第二遮蔽板朝相反的方向摆动，使得该第一遮蔽板及该第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换，其中该遮蔽状态的该第一遮蔽板的该第一内侧面及该第二遮蔽板的该第二内侧面会相互靠近，而该第一内侧面上的该凸部则会进入该第二内侧面上的该凹部，并以该第一遮蔽板及该第二遮蔽板遮挡该承载盘。2.根据权利要求1所述的具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，其特征在于，其中该驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达，该驱动马达通过该轴封装置连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。3.根据权利要求2所述的具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，其特征在于，其中该轴封装置包括一外管体及一轴体，该外管体包括一空间用以容置该轴体，该驱动马达通过该外管体连接该第一遮蔽板，通过该轴体连接该第二遮蔽板，并同步驱动该轴体及该外管体朝相反的方向转动。4.根据权利要求1所述的具有遮蔽装置的薄膜沉积设备，其特征在于，包括两个感测区连接该反应腔体，该两个感测区分别包括一感测空间流体连接该容置空间，该两个感测区的厚度小于该反应腔体，其中该两个感测区分别设置至少一位置感测单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，沈祐德，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：