一种in-line真空沉积系统技术方案

本实用新型专利技术实施例提供了一种in

【技术实现步骤摘要】
一种in
‑
line真空沉积系统


[0001]本技术涉及沉积系统
，尤其涉及一种in
‑
line真空沉积系统。

技术介绍

[0002]In
‑
line沉积系统可以是PVD，蒸镀，也可以是PECVD。in
‑
line真空沉积系统的产出取决于每个载板的载片量，以及交换一个载板所需要的时间(TACT)。载板可承载硅片，且载板带着硅片在沉积室中连续移动或处于静止状态以进行薄膜沉积。
[0003]上料腔的TACT时间组成包括：阀门开关时间，载板从上料平台移动进入上料腔时间，腔体抽真空时间，载板从上料腔移动到真空沉积系统时间，以及腔体从真空到大气所需要的时间。当硅片变薄时，提高抽气速率或排气速率会增加硅片破损机率。
[0004]所以，现有技术的技术问题在于：如何提高沉积系统的产量。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种in
‑
line真空沉积系统，解决了现有技术中如何提高沉积系统的产量的技术问题；达到沉积系统的产量提高的技术效果。
[0006]本申请实施例提供一种in
‑
line真空沉积系统，所述沉积系统包括：沉积机构；上料机构，所述上料机构设置在沉积机构的前端，且所述上料机构和沉积机构连接；以及下料机构，所述下料机构设置在沉积机构的后端，且所述下料机构和沉积机构连接；其中，所述上料机构和下料机构均设置有多组，通过多组上料机构为沉积机构交替上料，通过多组下料机构为沉积机构交替下料。
[0007]作为优选，所述上料机构和沉积机构之间连通设置有上料缓冲腔，且所述上料缓冲腔对应多组上料机构；所述下料机构和沉积机构之间连通设置有下料缓冲腔，且所述下料缓冲腔对应多组下料机构。
[0008]作为优选，所述沉积系统还包括：第一位移机构，所述第一位移机构设置有多个，且多个所述第一位移机构分别设置在上料机构、上料缓冲腔、沉积机构、下料缓冲腔以及下料机构中；第二位移机构，所述第二位移机构设置有多个，设置在上料机构和上料缓冲腔之内，设置在下料缓冲腔和下料机构之内；其中，所述第一位移机构和第二位移机构可带动载板运动，且所述第一位移机构和第二位移机构之间可相对升降，通过相对升降来切换对裁板的控制，使得载板的运动方向切换。
[0009]作为优选，所述第二位移机构位于第一位移机构的下方，且所述第二位移机构的下方设置有一升降件，通过升降件使得第二位移机构相对于第一位移机构上升。
[0010]作为优选，所述上料机构设置有两组，两组上料机构分别对称设置在上料缓冲腔的两侧，且所述第二位移机构一直线的设置在两组上料机构和上料缓冲腔之内；所述下料机构设置有两组，两组下料机构分别对称设置在下料缓冲腔的两侧，且所述第二位移机构一直线的设置在两组下料机构和下料缓冲腔之内。
[0011]作为优选，所述第二位移机构具体为一导轮组件，且导轮组件作用在载板的边缘。
[0012]作为优选，所述载板为一矩形载板；所述第一位移机构具有第一运动方向，所述第二位移机构具有第二运动方向，且第一运动方向和第二运动方向分别对矩形载板的长度方向和宽度方向。
[0013]作为优选，所述上料机构包括：上料平台，可承载一载板；上料腔，所述上料腔位于上料平台和上料缓冲腔之间，且所述上料腔相对于上料平台设置有一上料进口闸，所述上料腔相对于上料缓冲腔设置有一上料出口闸；通过上料进口闸和上料出口闸使得上料腔处于可抽真空状态。
[0014]作为优选，所述下料机构包括：下料平台，可承载一载板；下料腔，所述下料腔位于下料平台和下料缓冲腔之间，且所述下料腔相对于下料缓冲腔设置有一下料进口闸，所述下料腔相对于下料平台设置有一下料出口闸；通过下料进口闸和下料出口闸使得下料腔处于可抽真空状态。
[0015]作为优选，所述上料缓冲腔对应上料机构和沉积机构分别设置有缓冲闸，通过缓冲闸使得上料缓冲腔处于可抽真空状态；所述下料缓冲腔对应下料机构和沉积机构分别设置有缓冲闸，通过缓冲闸使得下料缓冲腔处于可抽真空状态。
[0016]本申请中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
[0017]1、本申请中，通过为沉积机构设置多套进料机构和多套出料机构，做到可交替进料和交替出料，如，第一侧上料腔在抽真空时，第二侧上料腔已完成抽真空并向上料缓冲腔输送载板；解决了现有技术中如何提高沉积系统的产量的技术问题；达到沉积系统的产量提高的技术效果。
[0018]2、本申请中，设置第一位移机构和第二位移机构，第一位移机构配合矩形载板沿第一方向运动，第二位移机构相对于第一位移机构可升降，已将裁板从受第一位移机构的作用切换到受第二位移机构的作用，从而使得第二位移机构可以带动载板进行第二方向的运动，达到载板转弯运动的目的。
[0019]3、本申请中，上料腔、下料腔、上料缓冲腔以及下料缓冲腔分别设置有闸，以使得上述腔室可以独立，完成抽真空和破空操作。
附图说明
[0020]图1为本申请中一种in
‑
line真空沉积系统的俯视向结构示意图；
[0021]图2为本申请中in
‑
line真空沉积系统的轴测向爆炸结构示意图；
[0022]图3为第一位移机构和第二位移机构在上料腔中的剖视向结构示意图。
[0023]附图标记：100、载板；200、上料机构；210、上料平台；220、上料腔；221、上料进口闸；222、上料出口闸；300、上料缓冲腔；301、第一缓冲闸；302、第二缓冲闸；303、第三缓冲闸；400、沉积机构；500、下料缓冲腔；600、下料机构；610、下料腔；620、下料平台；700、第一位移机构；800、第二位移机构；810、升降件。
具体实施方式
[0024]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、
“
右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0025]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种in
‑
line真空沉积系统，其特征在于，所述沉积系统包括：沉积机构；上料机构，所述上料机构设置在沉积机构的前端，且所述上料机构和沉积机构连接；以及下料机构，所述下料机构设置在沉积机构的后端，且所述下料机构和沉积机构连接；其中，所述上料机构和下料机构均设置有多组，通过多组上料机构为沉积机构交替上料，通过多组下料机构为沉积机构交替下料。2.如权利要求1所述的in
‑
line真空沉积系统，其特征在于，所述上料机构和沉积机构之间连通设置有上料缓冲腔，且所述上料缓冲腔对应多组上料机构；所述下料机构和沉积机构之间连通设置有下料缓冲腔，且所述下料缓冲腔对应多组下料机构。3.如权利要求1所述的in
‑
line真空沉积系统，其特征在于，所述沉积系统还包括：第一位移机构，所述第一位移机构设置有多个，且多个所述第一位移机构分别设置在上料机构、上料缓冲腔、沉积机构、下料缓冲腔以及下料机构中；第二位移机构，所述第二位移机构设置有多个，设置在上料机构和上料缓冲腔之内，设置在下料缓冲腔和下料机构之内；其中，所述第一位移机构和第二位移机构可带动载板运动，且所述第一位移机构和第二位移机构之间可相对升降，通过相对升降来切换对裁板的控制，使得载板的运动方向切换。4.如权利要求3所述的in
‑
line真空沉积系统，其特征在于，所述第二位移机构位于第一位移机构的下方，且所述第二位移机构的下方设置有一升降件，通过升降件使得第二位移机构相对于第一位移机构上升。5.如权利要求3所述的in
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line真空沉积系统，其特征在于，所述上料机构设置有两组，两组上料机构分别对称设置在上料缓冲腔的两侧，且所述第二位移机构一直...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树林，曹建伟，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：