一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法及系统技术方案

本申请公开了一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法及系统，其涉及微型LED巨量转移技术领域，该方法包括如下步骤：将用于装载MicroLED芯片的芯片装载模具放置于芯片装载区；获取芯片装载模具的模具图片；基于模具图片获取芯片装载槽的分布区域和分布特征；根据分布区域划定转移基板的吸附区域；基于分布特征在转移基板上的吸附区域内生成特征磁场；控制转移基板吸附MicroLED芯片；将吸附有MicroLED芯片的转移基板移动至芯片装载区上方，并使得分布区域和吸附区域对齐；消除转移基板上的特征磁场以使所有MicroLED芯片落入对应的芯片装载槽中。本申请具有MicroLED芯片巨量转移效率较高的效果。巨量转移效率较高的效果。巨量转移效率较高的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法及系统


[0001]本申请涉及微型LED芯片巨量转移
，尤其是涉及一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法及系统。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro light emitting diode，Micro LED)通常是指在传统MicroLED芯片结构基础上，将红、绿、蓝三色MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，COMS)上所形成的能够实现全彩显示的微器件。
[0003]MicroLED显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点。MicroLED芯片在制作完成之后，需要将大量MicroLED芯片倾倒至驱动电路板等装载模具上，再通过震荡装载模具的方式使得MicroLED芯片落入装载模具上预先开设的装载槽中，最终在装载模具形成LED阵列，这一过程被称为巨量转移。
[0004]针对上述中的相关技术，专利技术人认为存在有以下缺陷：震荡装载模具的过程中，装载模具上的MicroLED芯片会进行无规则运动，由于MicroLED芯片体积很小且装载模具上的装载槽数量非常多，因此欲使所有装载槽中均落入一个MicroLED芯片需要耗费较长的时间，并且较先落入装载槽中的MicroLED芯片还可能会因后续的持续震荡而震出装载槽，导致MicroLED芯片巨量转移的效率较低。

技术实现思路

[0005]为了改善MicroLED芯片巨量转移效率较低的缺陷，本申请提供一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法及系统。
[0006]第一方面，本申请提供一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法，包括如下步骤：将用于装载MicroLED芯片的芯片装载模具放置于芯片装载区；获取所述芯片装载模具的模具图片；基于所述模具图片分析得到所述芯片装载模具中用于放置单个所述MicroLED芯片的芯片装载槽的分布区域和分布特征；根据所述分布区域划定转移基板的吸附区域；基于所述分布特征在所述转移基板上的所述吸附区域内生成特征磁场；控制所述转移基板吸附所述MicroLED芯片；将吸附有所述MicroLED芯片的转移基板移动至所述芯片装载区上方，并使得所述分布区域和所述吸附区域对齐；消除所述转移基板上的所述特征磁场以使所有所述MicroLED芯片落入对应的所述芯片装载槽中。
[0007]通过采用上述技术方案，通过获取放置于芯片装载区中芯片装载模具的模具图片，可以分析出芯片装载模具上芯片装载槽的分布区域和分布特征，根据分布区域在转移
基板上划定吸附区域，并根据分布特征在转移基板上吸附区域内生成特定磁场，通过生成的特定磁场可以使MicroLED芯片吸附在转移基板表面，且MicroLED芯片在转移基板表面上的矩阵排列方式与芯片装载槽的矩阵排列方式相同，再将吸附有MicroLED芯片的转移基板移动至芯片装载区上方，并使得吸附区域和分布区域对齐，此时消除转移基板上的特定磁场，MicroLED芯片将会脱离转移基板而全部落入芯片装载槽中，相较于将大量MicroLED芯片倾倒在芯片装载模具上再震荡芯片装载模具的巨量转移方式，具有更高的巨量转移效率，并且可以适用于不同类型的芯片装载模具。
[0008]可选的，所述分布特征包括所述分布区域的区域面积、所述分布区域的区域形状和所述分布区域中芯片装载槽的装载槽布置特征，所述芯片装载槽用于放置单个所述MicroLED芯片；所述基于所述模具图片分析得到所述芯片装载模具中用于放置单个所述MicroLED芯片的芯片装载槽的分布区域和分布特征包括如下步骤：模糊处理所述模具图片，得到模糊模具图片；二值化处理所述模糊模具图片，得到二值化模具图片；通过预设的边缘检测算法分析所述二值化模具图片，并划定出所述芯片装载模具中聚集有所述芯片装载槽的分布区域；识别所述区域形状，并基于所述区域形状计算得到所述区域面积；根据预设的缩放倍数缩放所述模具图片，得到缩放模具图片；基于所述缩放模具图片分析得到所述芯片装载槽的装载槽布置特征。
[0009]通过采用上述技术方案，分布特征包括分布区域的区域面积和分布区域的区域形状，可以先识别出分布区域的区域形状，再确定区域面积公式并计算出区域面积，由于包含有所有芯片装载槽的分布区域与模具图片中其他区域相比颜色更深，因此区域形状的识别则可以通过边缘检测算法进行识别，在识别之前需要对模具图片进行预处理，预处理步骤包括模糊处理和二值化处理，模糊处理步骤的作用在于消除图片中芯片装载槽之间的间隙。
[0010]可选的，所述基于所述缩放模具图片分析得到所述芯片装载槽的装载槽布置特征包括如下步骤：通过预设的图像识别算法识别所述缩放模具图片中的所有所述芯片装载槽；将位于所述缩放模具图片中间位置的所述芯片装载槽标记为目标芯片装载槽；测量所述目标芯片装载槽与所述目标芯片装载槽相邻的芯片装载槽之间的测量间距；结合所述缩放倍数和所述测量间距计算得到任意两个所述芯片装载槽之间的实际间距。
[0011]通过采用上述技术方案，通过缩放处理得到缩放模具图片后，可以根据预设的图像识别算法识别出缩放模具图片中的所有芯片装载槽，并测量出目标芯片装载槽与目标芯片装载槽相邻的芯片装载槽之间的测量间距，再结合缩放处理时的缩放倍数，可以计算出芯片装载模具中任意两个芯片装载槽之间的实际间距。
[0012]可选的，所述转移基板中设置有多个电磁体，且所述电磁体的数量大于所述芯片装载槽的数量，所述基于所述分布特征在所述转移基板上的所述吸附区域内生成特征磁场
包括如下步骤：结合所述装载槽布置特征和所述区域面积计算得到所述电磁体的配置数量；结合所述装载槽布置特征和所述区域形状生成虚拟电磁体点阵；移动所述转移基板中的所述电磁体，使得所述吸附区域内的目标电磁体的数量与所述配置数量相等；基于所述虚拟电磁体点阵移动所述目标电磁体，使得所有所述目标电磁体与所述虚拟电磁体点阵中的所有虚拟点一一对应；向所有所述目标电磁体通电，所有所述目标电磁体通电后所生成的磁场为特征磁场。
[0013]通过采用上述技术方案，结合装载槽布置特征和区域面积计算得到电磁体的配置数量后，可以移动转移基板中的电磁体，使得吸附区域内的目标电磁体的数量与配置数量相等，再结合装载槽布置特征和区域形状生成虚拟电磁体点阵，虚拟电磁体点阵中所有虚拟点的矩阵排布和芯片装载模具中所有芯片装载槽的矩阵排布相同，因此可以移动吸附区域内的目标电磁体使得所有目标电磁体与虚拟电磁体点阵中的所有虚拟点一一对应，此时向吸附区域内的向所有目标电磁体通电，所有目标电磁体通电后所将会生成特征磁场，通过特征磁场将MicroLED芯片吸附在转移基板表面后，所有MicroLED芯片的矩阵排布与所有芯片装载槽的矩阵排布相同。
[0014]可选的，所述控制所述转移基板吸附所述MicroLED芯片包括如下步骤：控制所述转移基板移动至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：将用于装载MicroLED芯片的芯片装载模具放置于芯片装载区；获取所述芯片装载模具的模具图片；基于所述模具图片分析得到所述芯片装载模具中用于放置单个所述MicroLED芯片的芯片装载槽的分布区域和分布特征；根据所述分布区域划定转移基板的吸附区域；基于所述分布特征在所述转移基板上的所述吸附区域内生成特征磁场；控制所述转移基板吸附所述MicroLED芯片；将吸附有所述MicroLED芯片的转移基板移动至所述芯片装载区上方，并使得所述分布区域和所述吸附区域对齐；消除所述转移基板上的所述特征磁场以使所有所述MicroLED芯片落入对应的所述芯片装载槽中。2.根据权利要求1所述的一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述分布特征包括所述分布区域的区域面积、所述分布区域的区域形状和所述分布区域中芯片装载槽的装载槽布置特征，所述芯片装载槽用于放置单个所述MicroLED芯片；所述基于所述模具图片分析得到所述芯片装载模具中用于放置单个所述MicroLED芯片的芯片装载槽的分布区域和分布特征包括如下步骤：模糊处理所述模具图片，得到模糊模具图片；二值化处理所述模糊模具图片，得到二值化模具图片；通过预设的边缘检测算法分析所述二值化模具图片，并划定出所述芯片装载模具中聚集有所述芯片装载槽的分布区域；识别所述区域形状，并基于所述区域形状计算得到所述区域面积；根据预设的缩放倍数缩放所述模具图片，得到缩放模具图片；基于所述缩放模具图片分析得到所述芯片装载槽的装载槽布置特征。3.根据权利要求2所述的一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述基于所述缩放模具图片分析得到所述芯片装载槽的装载槽布置特征包括如下步骤：通过预设的图像识别算法识别所述缩放模具图片中的所有所述芯片装载槽；将位于所述缩放模具图片中间位置的所述芯片装载槽标记为目标芯片装载槽；测量所述目标芯片装载槽与所述目标芯片装载槽相邻的芯片装载槽之间的测量间距；结合所述缩放倍数和所述测量间距计算得到任意两个所述芯片装载槽之间的实际间距。4.根据权利要求2所述的一种基于MicroLED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述转移基板中设置有多个电磁体，且所述电磁体的数量大于所述芯片装载槽的数量，所述基于所述分布特征在所述转移基板上的所述吸附区域内生成特征磁场包括如下步骤：结合所述装载槽布置特征和所述区域面积计算得到所述电磁体的配置数量；结合所述装载槽布置特征和所述区域形状生成虚拟电磁体点阵；移动所述转移基板中的所述电磁体，使得所述吸附区域内的目标电磁体的数量与所述配置数量相等；基于所述虚拟电磁体点阵移动所述目标电磁体，使得所有所述目标电磁体与所述虚拟
电磁体点阵中的所有虚拟点一一对应；向所有所述目标电磁体通电，所有所述目标电磁体通电后所生成的磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴志明，曾银海，王超，张鹏，
申请(专利权)人：深圳蓝普视讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：