一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构制造技术

技术编号:36124175 阅读:21 留言:0更新日期:2022-12-28 14:30
本发明专利技术公开了一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,涉及滤波器结构技术领域。本发明专利技术包括腔体,所述盖板的顶端安装有调谐螺钉,所述调谐螺钉的底端穿过所述盖板伸入所述腔体内,所述腔体的顶端固定安装有输入接头和输出接头,所述电容铜片位于所述腔体的中心处,所述耦合谐振柱共有四个,四个所述耦合谐振柱均匀分布在所述腔体内,所述电容铜片的两端分别朝向所述第一谐振柱和所述第四谐振柱,所述第一谐振柱和所述第四谐振柱与所述电容铜片耦合处的柱壁厚度加厚,能在不改变总长度的前提下更靠近耦合谐振柱,使得电容铜片本身的谐波和频率不影响自有通带,减少次生耦合风险,达到耦合性更强的目的。达到耦合性更强的目的。达到耦合性更强的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构


[0001]本专利技术属于滤波器结构
,具体地说,涉及一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构。

技术介绍

[0002]在带阻滤波器设计与调试过程中,不同的产品有着不同的产品指标,由于一些产品指标要求比较严格,频率相对比较高的原因,电容铜片总长度尺寸不可过长,总长度过长的情况下会引起铜片本身产生的频率和谐波影响自身通带,从而影响指标,在以往的设计中会采用哑铃形式的电容来避免铜片总长度过长的问题,但是这种方案设计比较敏感,不易调节,零件加工特殊成本高,也就使得产品的加工成本也随着上涨。
[0003]因此,有必要对现有技术的不足和缺陷进行改进,提供一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种可以克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术采用技术方案的基本构思是:一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,包括腔体,所述腔体的顶端固定按照有盖板,所述盖板的顶端安装有调谐螺钉,所述调谐螺钉的底端穿过所述盖板伸入所述腔体内,所述腔体的顶端固定安装有输入接头和输出接头,所述输入接头和所述输出接头的内芯均所述腔体内,所述腔体内固定安装有电容铜片和耦合谐振柱,所述电容铜片位于所述腔体的中心处,所述耦合谐振柱共有四个,四个所述耦合谐振柱均匀分布在所述腔体内,四个所述耦合谐振柱分别为第一谐振柱、第二谐振柱、第三谐振柱和第四谐振柱,所述第一谐振柱上固定安装有输入铜片,所述输入铜片与所述输入接头的内芯相抵,所述第二谐振柱上固定安装有输出铜片,所述输出铜片与所述输出接头的内芯相抵,所述电容铜片的两端分别朝向所述第一谐振柱和所述第四谐振柱,所述第一谐振柱和所述第四谐振柱与所述电容铜片耦合处的柱壁厚度加厚。
[0006]为了对耦合谐振柱的位置进行限定,优选地,所述腔体内固定安装有隔离板,所述隔离板将所述腔体内部分为四个滤波腔,四个滤波腔之间两两连通,所述隔离板将所述第一谐振柱和所述第二谐振柱所在的两个所述滤波腔进行隔离,四个所述耦合谐振柱均分布在四个所述滤波腔的中心处,所述电容铜片位于所述隔离板中心处。
[0007]为了对调谐螺钉的位置进行限定,进一步地,所述调谐螺钉共有七个,其中四个所述调谐螺钉位于四个所述耦合谐振柱的正上方并伸入所述耦合谐振柱顶端的凹槽内,另外三个所述调谐螺钉位于所述滤波器连通处的中心正上方。
[0008]为了对盖板进行固定,进一步地,所述腔体的顶端和所述隔离板的顶端均与所述盖板设有相配合的盖板螺孔,所述盖板螺孔内螺纹安装有盖板固定螺钉。
[0009]为了对电容铜片的高度进行调节,进一步地,所述隔离板中心处固定安装有电容铜片非金属支撑件,所述电容铜片固定安装在所述电容铜片非金属支撑件上。
[0010]为了对电容铜片进行固定,更进一步地,所述隔离板、所述电容铜片非金属支撑件和所述电容铜片上设有相匹配的电容螺孔,所述电容螺孔内螺纹安装有电容铜片非金属固定螺钉。
[0011]为了对输入铜片进行固定,优选地,所述第一谐振柱和所述输入铜片上设有相匹配的输入铜片螺孔,所述输入铜片螺孔内螺纹安装有输入铜片固定螺钉。
[0012]为了对输出铜片进行固定,优选地,所述第二谐振柱和所述输出铜片上设有相匹配的输出铜片螺孔,所述输出铜片螺孔内螺纹安装有输出铜片固定螺钉。
[0013]为了对输入接头进行固定,优选地,所述输入接头的固定板部分和所述腔体上设有相配合的输入接头螺孔,所述输入接头螺孔内螺纹安装有输入接头固定螺钉。
[0014]为了对输出接头进行固定,优选地,所述输出接头的固定板部分和所述腔体上设有相配合的输出接头螺孔,所述输出接头螺孔内螺纹安装有输出接头固定螺钉。
[0015]采用上述技术方案后,本专利技术与现有技术相比具有以下有益效果:本专利技术一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,通过增加耦合谐振柱靠近电容铜片的一侧增加耦合谐振柱的尺寸厚度,使得电容铜片在不改变总长度的前提下更靠近耦合谐振柱,使得电容铜片本身的谐波和频率不影响自有通带,减少次生耦合风险,达到耦合性更强的目的,这种结构打破常规设计思路,结构简单易于实现,尺寸易于控制,成本低廉,且可调节,范围大。
[0016]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
[0017]附图作为本专利技术的一部分,用来提供对本专利技术的进一步的理解,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,但不构成对本专利技术的不当限定。显然,下面描述中的附图仅仅是一些实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
[0018]在附图中:图1是本专利技术的外部前视结构示意图;图2是本专利技术的外部上视结构示意图;图3是本专利技术的内部上视结构示意图;图4是本专利技术的内部斜视结构示意图;图5是本专利技术的隐藏盖板三维立体结构示意图。
[0019]图中:1、盖板;2、腔体;3、输入接头;4、输入接头固定螺钉;5、输出接头;6、输出接头固定螺钉;7、输入铜片固定螺钉;8、输入铜片;9、输出铜片固定螺钉;10、输出铜片;11、调谐螺钉;12、盖板固定螺钉;13、电容铜片;14、电容铜片非金属固定螺钉;15、电容铜片非金属支撑件;16、耦合谐振柱;161、第一谐振柱;162、第二谐振柱;163、第三谐振柱;164、第四谐振柱;17、隔离板。
[0020]需要说明的是,这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本专利技术的构思范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,以下实施例用于说明本专利技术,但不用来限制本专利技术的范围。
[0022]实施例:参照图1

5所示,一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,包括腔体2,腔体2的顶端固定按照有盖板1,盖板1的顶端安装有调谐螺钉11,调谐螺钉11的底端穿过盖板1伸入腔体2内,腔体2的顶端固定安装有输入接头3和输出接头5,输入接头3和输出接头5的内芯均腔体2内,腔体2内固定安装有电容铜片13和耦合谐振柱16,电容铜片13位于腔体2的中心处,耦合谐振柱16共有四个,四个耦合谐振柱16均匀分布在腔体2内,四个耦合谐振柱16分别为第一谐振柱161、第二谐振柱162、第三谐振柱163和第四谐振柱164,第一谐振柱161上固定安装有输入铜片8,输入铜片8与输入接头3的内芯相抵,第二谐振柱162上固定安装有输出铜片10,输出铜片10与输出接头5的内芯相抵,电容铜片13的两端分别朝向第一谐振柱161和第四谐振柱164,第一谐振柱161和第四谐振柱164与电容铜片13耦合处的柱壁厚度加厚。
[0023]腔体2内固定安装有隔离板17,隔离板17将本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,其特征在于:包括腔体(2),所述腔体(2)的顶端固定安装有盖板(1),所述盖板(1)的顶端安装有调谐螺钉(11),所述调谐螺钉(11)的底端穿过所述盖板(1)伸入所述腔体(2)内,所述腔体(2)的顶端固定安装有输入接头(3)和输出接头(5),所述输入接头(3)和所述输出接头(5)的内芯均所述腔体(2)内,所述腔体(2)内固定安装有电容铜片(13)和耦合谐振柱(16),所述电容铜片(13)位于所述腔体(2)的中心处,所述耦合谐振柱(16)共有四个,四个所述耦合谐振柱(16)均匀分布在所述腔体(2)内,四个所述耦合谐振柱(16)分别为第一谐振柱(161)、第二谐振柱(162)、第三谐振柱(163)和第四谐振柱(164),所述第一谐振柱(161)上固定安装有输入铜片(8),所述输入铜片(8)与所述输入接头(3)的内芯相抵,所述第二谐振柱(162)上固定安装有输出铜片(10),所述输出铜片(10)与所述输出接头(5)的内芯相抵,所述电容铜片(13)的两端分别朝向所述第一谐振柱(161)和所述第四谐振柱(164),所述第一谐振柱(161)和所述第四谐振柱(164)与所述电容铜片(13)耦合处的柱壁厚度加厚。2.根据权利要求1所述的一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,其特征在于:所述腔体(2)内固定安装有隔离板(17),所述隔离板(17)将所述腔体(2)内部分为四个滤波腔,四个滤波腔之间两两连通,所述隔离板(17)将所述第一谐振柱(161)和所述第二谐振柱(162)所在的两个所述滤波腔进行隔离,四个所述耦合谐振柱(16)均分布在四个所述滤波腔的中心处,所述电容铜片(13)位于所述隔离板(17)中心处。3.根据权利要求2所述的一种无特殊物料状态下增强电容耦合的结构,其特征在于:所述调谐螺钉(11)共有七个,其中四个所述调谐螺钉(11)位于四个所述耦...

【专利技术属性】
技术研发人员:史作毅汪亭梁文超
申请(专利权)人:苏州诺泰信通讯有限公司
类型:发明
国别省市:

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