互补金属氧化物半导体图像传感器制造技术

技术编号:3612194 阅读:140 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种通过按顺序输出在根据X-Y寻址象矩阵那样布置的像素区域的每一个中检测的图像信号来获得图像的CMOS图像传感器,该传感器包括: 多个像素电路,象矩阵那样布置,并且每个包括一个光电转换元件以进行入射光的光电转换以便输出与一个像素相对应的图像信号; 多个信号处理电路,按等于在水平方向上排列的像素电路的数量排列,并且连接到在垂直方向上排列的所有像素电路上,用来对于来自在垂直方向排列的所有像素电路中的每一个的图像信号进行预定信号处理; 一个水平扫描电路,用来按顺序切换和输出来自多个信号处理电路的图像信号;及 彼此平行的固定电位布线,并且每个布置在排列的多个信号处理电路的两个之间。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:国分政利
申请(专利权)人:富士通株式会社
类型:发明
国别省市:

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