制造适合于图象传感器的半导体装置的方法制造方法及图纸

技术编号:3611998 阅读:131 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在制造适合于图象传感器的半导体装置的方法中,在一衬底上形成一下部绝缘层之后在该下部绝缘层上形成一结合区。接着,在该衬底上形成一上部绝缘层以覆盖该结合区。该上部绝缘层被有选择地去除以露出该结合区的顶部部分。随后,在该衬底上形成一保护层。在该保护层上形成若干滤色元件之后,形成一平面层以覆盖这些滤色元件。最后,在平面层形成上若干微透镜。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
制造适合于图象传感器的半导体装置的方法,该方法包括以下步骤:在一衬底上形成一下部绝缘层;在该下部绝缘层上形成一结合区;在该下部绝缘层上形成一上部绝缘层以覆盖该结合区;有选择地去除该上部绝缘层以暴露该结合区的顶部部分;在该 上部绝缘层上形成一保护层以保护该结合区的暴露部分;在该保护层上形成多个滤色元件;形成一平面层以覆盖这些滤色元件;以及在该平面层上形成多个微透镜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:金载甲
申请(专利权)人:东部电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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