一种用于制造半导体装置的方法和系统，用于制造半导体装置的方法包括于基板上方形成包含光阻剂组合物的光阻层，以形成光阻剂涂布基板。光阻层选择性地曝光于光化辐射中以在光阻层中形成潜伏图案。通过施加一显影剂至该经选择性曝光光阻层来显影该潜伏图案，以形成一经图案化光阻层，进而暴露该基板的一部分，且施加净化气体至经图案化光阻层来显影潜伏图案。案。案。
【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体装置的方法和系统
[0001]本揭露关于一种用于制造半导体装置的方法和系统。
技术介绍
[0002]在集成电路(integrated circuit，IC)设计期间，在基板上产生用于IC处理的不同步骤的许多IC图案。图案可通过在晶圆的光阻层上投影(例如，成像)遮罩的布局图案来产生。微影术制程将遮罩的布局图案转移至晶圆的光阻层，使得蚀刻、布植、或其他步骤仅应用于晶圆的预定区域。期望在基板上无误差地产生布局图案，使得蚀刻在基板上不产生缺陷。
技术实现思路
[0003]根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体装置的方法包含以下步骤：在一基板上方形成包含一光阻剂组成物的一光阻层，以形成一光阻剂涂布基板；将该光阻层选择性地曝光于一光化辐射中以在该光阻层中形成一潜伏图案；通过施加一显影剂至该经选择性曝光光阻层来显影该潜伏图案，以形成一经图案化光阻层，进而暴露该基板的一部分；及施加一净化气体至该经图案化光阻层。
[0004]根据本揭露的一些实施例，一种制造半导体装置的方法包含以下步骤：在一晶圆的一第一主表面上方形成一光阻层；将该光阻层以图形方式曝光于光化辐射以在该光阻层中形成一潜伏图案；将一显影溶液施加于该潜伏图案以在该光阻层中形成一图案；在施加该显影溶液之后，施加去离子水至该图案；及在该施加去离子水之后，透过一喷嘴施加一气流至该图案。
[0005]根据本揭露的一些实施例，一种用于制造半导体装置的系统包含：一可旋转晶圆台，其用以支撑设置于一腔室中的一光阻剂涂布晶圆；一第一喷嘴，设置于该腔室中，用以将一液体分配至该光阻剂涂布晶圆的一第一主表面上；一第二喷嘴，设置于该腔室中，用以将一气体施加于该光阻剂涂布晶圆的该第一主表面上；及一控制器，经程序化以控制：该可旋转晶圆台的一自旋速率；自该第一喷嘴分配一液体；自该第二喷嘴施加一气体；该第一喷嘴及该第二喷嘴的平移运动；及该第一喷嘴或该第二喷嘴相对于该光阻剂涂布晶圆的该第一主表面的一角度。
附图说明
[0006]本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0007]图1显示在半导体基板上产生经蚀刻图案的制程流程；
[0008]图2显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0009]图3显示用于在晶圆上产生光阻图案的微影术系统的曝光装置的示意图；
[0010]图4A及图4B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0011]图5显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0012]图6A及图6B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0013]图7A、图7B、图7C、图7D、及图7E显示显影及清洗制程、用于显影及清洗基板的系统、基板上的显影材料及水残留物、以及由基板上经蚀刻图案中残留物造成的缺陷；
[0014]图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F、图8G、图8H、图8I、及图8J显示根据本揭露一些实施例的清洗显影材料及气体净化基板，用于气体净化的气体净化系统及喷嘴，以及使用及不使用气体净化的显影材料及水残留物；
[0015]图9A及图9B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0016]图10A及图10B显示根据本揭露一些实施例的基板表面上残留物及缺陷的检查系统以及控制基板的气体净化的系统；
[0017]图11显示根据本揭露一些实施例的用于控制基板的气体净化的控制系统；
[0018]图12显示根据本揭露一些实施例的显影制程之后对基板进行气体净化的制程的流程图；
[0019]图13A及图13B图示根据本揭露一些实施例的用于控制基板的气体净化的装置；
[0020]图14显示用于在晶圆上产生光阻图案的微影术系统的曝光装置的示意图；
[0021]图15A及图15B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0022]图16显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0023]图17A及图17B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段；
[0024]图18A、图18B、图18C、及图18D显示根据本揭露实施例的显影及清洗制程；
[0025]图19A及图19B显示根据本揭露实施例的顺序操作的制程阶段。
[0026]【符号说明】
[0027]10:半导体基板
[0028]15:光阻层
[0029]29:辐射光束
[0030]30:光罩
[0031]31:经图案化光束
[0032]35:不透明图案
[0033]40:光罩基板
[0034]45:光化辐射
[0035]50:曝光区域
[0036]52:未曝光区域
[0037]55a～55b:开口图案
[0038]55a'～55b':开口图案
[0039]55a”～55b”:开口图案
[0040]57:显影剂
[0041]60:待图案化层
[0042]62:喷嘴
[0043]70:低热膨胀玻璃基板
[0044]75:反射多层
[0045]80:覆盖层
[0046]85:吸收层
[0047]90:后导电层
[0048]100:制程
[0049]109:辐射源
[0050]160:载台
[0051]170:载台控制器
[0052]200:光学微影术工具
[0053]205a～205b:遮罩光学器件
[0054]205c:反射遮罩
[0055]205d～205e:还原投影光学器件
[0056]206:显影残留物材料
[0057]208:喷嘴
[0058]210:去离子水
[0059]212:显影材料
[0060]214:移动
[0061]216:阻止
[0062]220:基板
[0063]222:中心区域
[0064]224:显影材料残留物
[0065]226:边缘区域
[0066]228:残留物
[0067]230:经蚀刻图案
[0068]232:缺陷
[0069]255:基板旋转
[0070]300:系统
[0071]333:方向
[0072]401:主光罩台
[0073]402:喷嘴
[0074]404:气流
[0075]405:顺时针方向
[0076]406:真空压力控制器
[0077]407:喷嘴
[0078]408:压力感测器
[0079]409:径向
[0080]410A～410B:喷嘴系统
[0081]411:延伸喷嘴
[0082]412:角度
[0083]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：在一基板上方形成包含一光阻剂组成物的一光阻层，以形成一光阻剂涂布基板；将该光阻层选择性地曝光于一光化辐射中以在该光阻层中形成一潜伏图案；通过施加一显影剂至该经选择性曝光光阻层来显影该潜伏图案，以形成一经图案化光阻层，进而暴露该基板的一部分；及施加一净化气体至该经图案化光阻层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：在施加该净化气体之后，检查该经图案化光阻层，且判定在该显影之后留在该基板上的一残留物量。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当该残留物量超过一临限值量时，在一后续光阻剂涂布基板上显影一潜伏图案之前，改变施加一净化气体图案的一参数。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，施加一气体净化图案的该参数包括选自由以下各者组成的群组中的一或多个参数：一净化气体流速、施加该净化气体的一持续时间、一净化气流相对于图案的一角度、该基板的一转速、跨该经图案化光阻层的一表面供应该净化气体的一气体喷嘴的一平移速度。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：蚀刻该基板的多个暴露部分。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：在蚀刻该基板的该些暴露部分之后检...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄韦涵，张浩元，高耀寰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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