一种快速响应低压差线性稳压器制造技术

本发明专利技术涉及一种快速响应低压差线性稳压器，包括运算放大器、缓冲器、调整管、反馈电阻组、米勒电容和瞬态增强电路，所述米勒电容设置在运算放大器的反相端和输出端之间，所述缓冲器设置在所述运算放大器的输出端和调整管的栅极之间，所述反馈电阻组的中间节点与所述运算放大器的同相端耦接，所述瞬态增强电路设置在所述调整管的栅极与源极之间；其中，所述瞬态增强电路包括瞬态提升电路、瞬态拉低电路。本发明专利技术针对低压差稳压器不同的输出状态给出对应的瞬态增强方式，有效稳定了电压且实现了快速响应的目的；同时电路集成度高，电路结构简单，进一步降低了功耗。进一步降低了功耗。进一步降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种快速响应低压差线性稳压器


[0001]本专利技术涉及和LDO(Low Dropout Regulator)
，具体涉及一种快速响应低压差线性稳压器。

技术介绍

[0002]LDO是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET)，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。由于LDO电路采用PMOS做输出调整管，增加一级共源反相放大，有着较高的输出阻抗，使得输出极点的位置会随着负载变化，电路稳定性不高，并且LDO是一个闭环系统，稳定性不高会直接导致输出电压振荡而不能使用。
[0003]目前的LDO为了实现快速响应稳定电压的目的，往往电路结构设计复杂，或者不能精准调节，致使输出电压仍然有所振荡，或者集成度不高，功耗较大。

技术实现思路

[0004]为了解决以上问题，本专利技术提供一种快速响应低压差线性稳压器，通过采样输出侧的电压，针对输出电压的振荡情况给出针对性的解决电路结构，例如输出电压过高时，拉低输出的电压，而输出电压过低时，提升输出的电压，同时电路结构设计简单且集成度高，功耗小。
[0005]本专利技术涉及一种快速响应低压差线性稳压器，包括运算放大器、缓冲器、调整管、反馈电阻组、米勒电容和瞬态增强电路，所述米勒电容设置在所述缓冲器的输入端与稳压器输出端之间，所述缓冲器设置在所述运算放大器的输出端和调整管的栅极之间，所述反馈电阻组的中间节点与所述运算放大器的同相端耦接，所述瞬态增强电路设置在所述调整管的栅极与稳压器输出端之间；其中，所述瞬态增强电路包括瞬态提升电路、瞬态拉低电路。
[0006]进一步的，所述瞬态增强电路还包括不动作电路。
[0007]进一步的，所述瞬态提升电路包括：第一电流源，所述第一电流源的一端与电源耦接，另一端与第一MOS管和第二MOS管耦接，第一MOS管和第三MOS管耦接后接地，第二MOS与第四MOS管耦接后接地；所述第一MOS管的栅极接采样电压；所述第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极耦接并与第一MOS管的源极耦接；第二电流源，所述第二电流源一端与电源、第二三极管、第五三极管耦接，另一端与第一三极管耦接；所述第一三极管与第三三极管耦接后接地，所述第二三极管与第四三极管耦接后接地；所述第二三极管的基极与所述第五三极管的基极耦接并与第五三极管的发射极连接；所述第五三极管的发射极通过一电阻输出瞬态提升信号，该瞬态提升信号提供给所述调整管。
[0008]进一步的，所述瞬态拉低电路包括：第三电流源，所述第三电流源一端与电源耦接，另一端与第五MOS管和第六MOS管耦接，第五MOS管和第七MOS管耦接后接地，第六MOS与第八MOS管耦接后接地；所述第五MOS管的栅极接采样电压；所述第七MOS管的栅极和第八
时，则不存在中间元件。还应理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦合”至另一元件时，则不存在中间元件。
[0024]在本文中可以使用诸如“在...下方”或“在上方”，“在上方”或“在下方”或“水平”或“垂直”之类的相对术语来描述一个元件，层或区域与另一元件，层或区域的管系。如图所示，将理解的是，这些术语除了附图中描绘的取向之外还意图涵盖装置的不同取向。
[0025]本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数形式“一”，“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。将进一步理解的是，当在本文中使用时，术语“包括”，“包含”，“包括”和/或“包括”指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其组。
[0026]除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。将进一步理解的是，除非在此明确地定义，否则本文中使用的术语应被解释为具有与本说明书和相管领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义来解释。
[0027]下面参考根据本专利技术实施例的方法，系统和计算机程序产品的流程图和/或框图描述本专利技术。将理解的是，可以通过计算机程序指令来实现流程图图示和/或框图的一些框以及流程图图示和/或框图中的一些框的组合。这些计算机程序指令可以存储或实现在微控制器，微处理器，数字信号处理器(DSP)，现场可编程门阵列(FPGA)，状态机，可编程逻辑控制器(PLC)或其他处理电路，通用计算机，专用计算机中。用途计算机或其他可编程数据处理设备(例如生产机器)，以便通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令创建用于实现流程图和/或中指定的功能/动作的装置或方框图块。
[0028]这些计算机程序指令还可以存储在计算机可读存储器中，该计算机可读存储器可以指导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作，从而使得存储在计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制品。实现流程图和/或框图中指定的功能/动作。
[0029]也可以将计算机程序指令加载到计算机或其他可编程数据处理设备上，以使一系列操作步骤在计算机或其他可编程设备上执行以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机或其他可编程设备上执行的指令成为可能。其他可编程装置提供用于实现流程图和/或框图方框中指定的功能/动作的步骤。应当理解，方框中指出的功能/动作可以不按照操作图中指出的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/动作，实际上可以基本上同时执行连续示出的两个框，或者有时可以以相反的顺序执行这些框。尽管一些图在通信路径上包括箭头以示出通信的主要方向，但是应当理解，通信可以在与所描绘的箭头相反的方向上发生。
[0030]本专利技术具体实施过程如下：
[0031]如图1所示，本专利技术涉及一种快速响应低压差线性稳压器，包括运算放大器、缓冲器、调整管、反馈电阻组、米勒电容和瞬态增强电路，所述米勒电容设置在所述缓冲器的输入端与稳压器输出端之间，所述缓冲器设置在所述运算放大器的输出端和调整管的栅极之间，所述反馈电阻组的中间节点与所述运算放大器的同相端耦接，所述瞬态增强电路设置在所述调整管的栅极与稳压器输出端之间；其中，所述瞬态增强电路包括瞬态提升电路、瞬态拉低电路。
[0032]优选的，所述瞬态增强电路还包括不动作电路。
[0033]优选的，如图2所示，所述瞬态提升电路包括：第一电流源I1，所述第一电流源I1的一端与电源V
CC
耦接，另一端与第一MOS管M1和第二MOS管M2耦接，第一MOS管M1和第三MOS管M2耦接后接地，第二MOS管M2与第四MOS管M4耦接后接地；所述第一MOS管M1的栅极接采样电压S；所述第三MOS管M3的栅极和第四MOS管M4的栅极耦接并与第一MOS管M1的源极(s)耦接；第二电流源I2，所述第二电流源I2一端与电源V
CC
、第二三极管J2、第五三极管J5耦接，另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速响应低压差线性稳压器，其特征在于，包括运算放大器、缓冲器、调整管、反馈电阻组、米勒电容和瞬态增强电路，所述米勒电容设置在所述缓冲器的输入端与稳压器输出端之间，所述缓冲器设置在所述运算放大器的输出端和调整管的栅极之间，所述反馈电阻组的中间节点与所述运算放大器的同相端耦接，所述瞬态增强电路设置在所述调整管的栅极与稳压器输出端之间；其中，所述瞬态增强电路包括瞬态提升电路、瞬态拉低电路。2.根据权利要求1所述的快速响应低压差线性稳压器，其特征在于，所述瞬态增强电路还包括不动作电路。3.根据权利要求1所述的快速响应低压差线性稳压器，其特征在于，所述瞬态提升电路包括：第一电流源，所述第一电流源的一端与电源耦接，另一端与第一MOS管和第二MOS管耦接，第一MOS管和第三MOS管耦接后接地，第二MOS与第四MOS管耦接后接地；所述第一MOS管的栅极接采样电压；所述第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极耦接并与第一MOS管的源极耦接；第二电流源，所述第二电流源一端与电源、第二三极管、第五三极管耦接，另一端与第一三极管耦接；所述第一三极管与第三三极管耦接后接地，所述第二三极管与第四三极管耦接后接地；所述第二三极管的基极与所述第五三极管的基极耦接并与第五三极管的发射极连接；所述第五三极管的发射极通过一电阻输出瞬态提升信号，该瞬态提升信号提供给所述调整管。4.根据权利要求1所述的快速响应低压差线性稳压器，其特征在于，所述瞬态拉低电路包括：第三电流源，所述第三电流源一端与电源耦接，另一端与第五MOS管和第六MOS管耦接，第五MOS管和第七MOS管耦接后接地，第六MOS与第八...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨全，黄允隆，朱赞嘉，谷申，
申请(专利权)人：南京市智凌芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：