本实用新型专利技术涉及上变频器技术领域,公开了一种上变频器,包括沿微波传输方向依次设置的开关选频电路、开关模块、变频模块、第一滤波模块、压控衰减模块、数控衰减模块和低通滤波模块,所述开关选频电路的输入端用于接收L/S波段源,还包括控制模块,所述控制模块用于控制所述开关选频电路、开关模块和数控衰减模块。本实用新型专利技术一种上变频器可以适应不同输入波段的波源,适用范围更广。适用范围更广。适用范围更广。
【技术实现步骤摘要】
一种上变频器
[0001]本技术涉及上变频器
,具体涉及一种上变频器。
技术介绍
[0002]上变频器的作用是将中频信号进行变频与放大,将变频后的射频信号输出至功放,因此上变频器是射频信道设备的重要组成部分。
[0003]在不同的应用环境中,上变频器输入端的中频信号电平是不确定的,射频波的波段可能不同,因此,特此对设计一款可以适应不同输入波段的上变频器,使该上变频器的适用范围变广。
技术实现思路
[0004]本技术提供一种可选择多种输出功率的功率放大合成设备,以解决上述问题。
[0005]本技术通过下述技术方案实现:
[0006]一种上变频器,包括沿微波传输方向依次设置的开关选频电路、开关模块、变频模块、第一滤波模块、压控衰减模块、数控衰减模块和低通滤波模块,所述开关选频电路的输入端用于接收L/S波段源的信号,还包括控制模块,所述控制模块用于控制所述开关选频电路、开关模块和数控衰减模块。
[0007]作为优化,所述开关选频电路和开关模块之间设有第一功分模块,所述第一功分模块的输入端与所述开关选频电路的输出端连接,所述第一功分模块的其中一个输出端与所述开关模块连接,所述第一功分模块的另一个输出端与第一检波器连接。
[0008]作为优化,还包括第二功分器,所述低通滤波模块的输出端与所述第二功分器的输入端连接,所述第二功分器的其中一个输出端与第二检波器连接,所述第二功分器的另一个输出端连接输出通道。
[0009]作为优化,所述开关模块包括第一开关和第二开关,所述第一功分模块包括第一功分器和第三功分器,所述第一功分器的输入端与所述开关选频电路的输出端连接,所述第一功分器的两个输出端分别连接所述第一开关和第三功分器,所述第三功分器的两个输出端分别连接所述第二开关和第一检波器,所述第一开关和第二开关的输出端均与所述变频模块连接,所述控制模块分别控制所述第一开关和第二开关。
[0010]作为优化,所述变频模块包括高通滤波器、第一低通滤波器、第一放大器、第一衰减器、锁相环、第一带通滤波器、第二放大器、第三放大器和混频器,所述高通滤波器的输入端与所述第一开关连接,所述高通滤波器的输出端通过所述第三放大器与所述混频器的其中一个输入端连接,所述第一低通滤波器的输入端与所述第二开关连接,所述第一低通滤波器的输出端依次通过所述第一放大器、第一衰减器、锁相环、第一带通滤波器、第二放大器与所述混频器的另一个输入端连接,所述控制模块与所述锁相环的控制端连接。
[0011]作为优化,所述第一滤波模块包括第二带通滤波器和第四放大器,所述第二带通
滤波器的输入端与所述混频器的输出端连接,所述第二带通滤波器的输出端与所述第四放大器的输入端连接。
[0012]作为优化,所述压控衰减模块包括压控衰减器和第五放大器,所述压控衰减器的输入端与所述第四放大器的输出端连接,所述压控衰减器的输出端与所述第五放大器的输入端连接。
[0013]作为优化,所述数控衰减模块包括数控衰减器和第六放大器,所述数控衰减器的输入端与所述第五放大器的输出端连接,所述数控衰减器的输出端与所述第六放大器的输入端连接,所述控制模块与所述数控衰减器的控制端连接。
[0014]作为优化,所述控制模块为单片机。
[0015]作为优化,所述单片机的型号为STM32F103C8T6。
[0016]本技术与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:
[0017]1、本技术一种上变频器可以适应不同输入波段的波源,适用范围更广;
[0018]2、本技术通过在输出端和输入端设置检波器,可以更好地对输入输出信号进行监控。
附图说明
[0019]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本技术实施例的限定。在附图中:
[0020]图1为本技术所述的一种上变频器的总结构示意图;
[0021]图2为图1中的详细结构示意图。
[0022]附图中标记及对应的零部件名称:
[0023]1‑
L/S波段源,2
‑
开关选频电路,3
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第一功分模块,3a
‑
第一功分器,3b
‑
第三功分器,4
‑
开关模块,4a
‑
第一开关,4b
‑
第二开关,5
‑
变频模块,5a
‑
高通滤波器,5b
‑
第三放大器,5c
‑
混频器,5d
‑
第一低通滤波器,5e
‑
第一放大器,5f
‑
第一衰减器,5g
‑
锁相环,5h
‑
第一带通滤波器,5i
‑
第二放大器,6
‑
第一滤波模块,6a
‑
第二带通滤波器,6b
‑
第四放大器,7
‑
压控衰减模块,7a
‑
压控衰减器,7b
‑
第五放大器,8
‑
数控衰减模块,8a
‑
数控衰减器,8b
‑
第六放大器,9
‑
低通滤波模块,10
‑
第二功分器,11
‑
第一检波器,12
‑
第二检波器,13
‑
控制模块。
具体实施方式
[0024]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本技术作进一步的详细说明,本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术,并不作为对本技术的限定。
[0025]实施例1
[0026]本实施例1提供一种上变频器,如图1
‑
图2所示,
[0027]包括沿微波传输方向依次设置的开关选频电路2、开关模块4、变频模块5、第一滤波模块6、压控衰减模块7、数控衰减模块8和低通滤波模块9,所述开关选频电路2的输入端用于接收L/S波段源1的信号,还包括控制模块13,所述控制模块13用于控制所述开关选频电路2、开关模块4和数控衰减模块8。所述控制模块13为单片机,所述单片机的型号为STM32F103C8T6。
[0028]本技术方案中,通过控制电模块的切换控制信号,将外部输入的L/S波段信号的射频信号进行选频切换后输出给开关模块4,可以另外设置一个采集模块,对各放大模块的状态进行采集,当上变频器中的各放大模块出现过热、反射过大、输入过激励、过流、过压等任意一种情况时,采集模块将信号传输给控制模块13,控制模块13控制开关模块4断开,以保护该上变频器,变频模块5用于实现变频功能,使输入的中频信号变为高频信号,压控衰减模块7用来通过压控衰减器7a来调整的第五放大器7b的全温范围内的增益,让全温范围内,第五放大器7b的增益保本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上变频器,其特征在于,包括沿微波传输方向依次设置的开关选频电路、开关模块、变频模块、第一滤波模块、压控衰减模块、数控衰减模块和低通滤波模块,所述开关选频电路的输入端用于接收L/S波段源的信号,还包括控制模块,所述控制模块用于控制所述开关选频电路、开关模块和数控衰减模块。2.根据权利要求1所述的一种上变频器,其特征在于,所述开关选频电路和开关模块之间设有第一功分模块,所述第一功分模块的输入端与所述开关选频电路的输出端连接,所述第一功分模块的其中一个输出端与所述开关模块连接,所述第一功分模块的另一个输出端与第一检波器连接。3.根据权利要求1或2所述的一种上变频器,其特征在于,还包括第二功分器,所述低通滤波模块的输出端与所述第二功分器的输入端连接,所述第二功分器的其中一个输出端与第二检波器连接,所述第二功分器的另一个输出端连接输出通道。4.根据权利要求2所述的一种上变频器,其特征在于,所述开关模块包括第一开关和第二开关,所述第一功分模块包括第一功分器和第三功分器,所述第一功分器的输入端与所述开关选频电路的输出端连接,所述第一功分器的两个输出端分别连接所述第一开关和第三功分器,所述第三功分器的两个输出端分别连接所述第二开关和第一检波器,所述第一开关和第二开关的输出端均与所述变频模块连接,所述控制模块分别控制所述第一开关和第二开关。5.根据权利要求4所述的一种上变频器,其特征在于,所述变频模块包括高通滤波器、第一低通滤波...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗志刚,孙良,宋旭,
申请(专利权)人:成都旭思特科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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