本申请涉及一种错误复现修复方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录原始文件的写入顺序；控制主控芯片读取闪存颗粒中成功写入的原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的原始文件；按照写入顺序控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，写入期间记录主控芯片的工作状态；基于工作状态对主控芯片进行错误修复；对主控芯片进行错误修复后把最后一个发生数据错误对应的原始文件追加写入至闪存颗粒中，写入期间记录主控芯片的工作状态；基于工作状态对主控芯片进行错误修复。本申请能够复现主控芯片对历史数据写入过程，并快速、准确、定位和修复主控芯片，提高主控芯片的稳定性。提高主控芯片的稳定性。提高主控芯片的稳定性。
【技术实现步骤摘要】
错误复现修复方法、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种错误复现修复方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]闪存颗粒（NAND Flash，NF）因具有高容量、改写速度快等优点，其被广泛使用于各行各业当中，但由于闪存颗粒其不稳定的特点，闪存颗粒需要专门配置主控芯片来控制闪存颗粒实现数据的写入、读取等操作。
[0003]相关技术中需要测试主控芯片控制闪存颗粒写入数据时数据是否会发生错误，以此验证主控芯片的稳定性。但由于无法复现主控芯片对历史数据写入过程，导致无法快速、准确、定位和修复主控芯片的问题，这无疑会影响主控芯片的稳定性。
技术实现思路
[0004]为解决或者部分解决相关技术中的问题，本专利技术提供一种错误复现方法、装置、设备及存储介质，以解决无法复现主控芯片对历史数据写入过程，导致无法快速、准确、定位和修复主控芯片，影响主控芯片的稳定性的问题。
[0005]本申请第一方面提供一种错误复现修复方法，该错误复现修复方法，包括：控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录原始文件的写入顺序；控制主控芯片读取闪存颗粒中成功写入的原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的原始文件；按照写入顺序再次控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，其中本次写入过程不写入最后一个发生数据错误对应的原始文件，写入期间记录主控芯片的工作状态；基于工作状态对主控芯片进行错误修复；对主控芯片进行错误修复后再把最后一个发生数据错误对应的原始文件追加写入至闪存颗粒中，写入期间再次记录主控芯片的工作状态；基于工作状态再次对主控芯片进行错误修复。
[0006]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录原始文件的写入顺序之前，还包括：对需要写入至闪存颗粒中的原始文件进行编号；记录原始文件的写入顺序，包括：根据原始文件对应的编号，记录原始文件的写入顺序。
[0007]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，读取闪存颗粒中成功写入的原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的原始文件之后，还包括：控制主控芯片基于预设擦除指令将闪存颗粒中成功写入的原始文件进行擦除。
[0008]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，该错误复现修复方法，还包括：
判断主控芯片对应的错误复现修复次数；若主控芯片对应的错误修复次数大于或者等于预设调试次数，则结束执行对主控芯片的错误复现修复过程；若主控芯片对应的错误修复次数小于预设调试次数，则继续执行对主控芯片的错误复现修复过程。
[0009]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，记录主控芯片的工作状态，包括：通过逻辑分析仪记录主控芯片的I/O端口时序状态；和/或通过协议分析仪记录主控芯片的协议处理；和/或通过ARM仿真器记录主控芯片的闪存转换层的算法逻辑。
[0010]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，主控芯片进行错误修复，包括：通过调整主控芯片的I/O端口时序对主控芯片进行错误修复；和/或通过调整主控芯片的协议处理对主控芯片进行错误修复；和/或通过调整主控芯片的闪存转换层的算法逻辑对主控芯片进行错误修复。
[0011]本申请第二方面提供错误复现修复装置，包括：文件写入模块，用于控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录原始文件的写入顺序；文件读取模块，用于控制主控芯片读取闪存颗粒中成功写入的原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的原始文件；第一状态记录模块，用于按照写入顺序再次控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，其中本次写入过程不写入最后一个发生数据错误对应的原始文件，写入期间记录主控芯片的工作状态；第一错误修复模块，用于基于工作状态对主控芯片进行错误修复；第二状态记录模块，用于对主控芯片进行错误修复后再把最后一个发生数据错误对应的原始文件追加写入至闪存颗粒中，写入期间再次记录主控芯片的工作状态；第二错误修复模块，用于基于工作状态再次对主控芯片进行错误修复。
[0012]作为本申请一种可能的实施方式，在该实施方式中，错误复现修复装置，还包括：编号模块，用于对需要写入至闪存颗粒中的原始文件进行编号；文件写入模块，用于根据原始文件对应的编号，记录原始文件的写入顺序。
[0013]本申请第三方面提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，其上存储有可执行代码，当可执行代码被处理器执行时，使处理器执行如上的错误复现修复方法。
[0014]本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有可执行代码，当可执行代码被电子设备的处理器执行时，使处理器执行如上的错误复现修复方法。
[0015]本申请的技术方案，包括：通过控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录原始文件的写入顺序；控制主控芯片读取闪存颗粒中成功写入的原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的原始文件；按照写入顺序再次控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文
件，其中本次写入过程不写入最后一个发生数据错误对应的原始文件，写入期间记录主控芯片的工作状态；基于工作状态对主控芯片进行错误修复；对主控芯片进行错误修复后再把最后一个发生数据错误对应的原始文件追加写入至闪存颗粒中，写入期间再次记录主控芯片的工作状态；基于工作状态再次对主控芯片进行错误修复。与相关技术相比，本申请复现主控芯片对历史数据写入过程，并能够快速、准确、定位和修复主控芯片的问题，大大提高主控芯片的稳定性。
[0016]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0017]通过结合附图对本申请示例性实施方式进行更详细地描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本申请示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0018]图1是本申请一实施例示出的错误复现修复方法的流程示意图；图2是本申请一实施例示出的错误复现修复方法的应用示意图；图3是本申请另一实施例示出的错误复现修复方法的流程示意图；图4是本申请另一实施例示出的错误复现修复方法的流程示意图；图5是本申请另一实施例示出的错误复现修复方法的流程示意图；图6是本申请一实施例示出的错误复现修复装置的结构示意图；图7是本申请另一实施例示出的错误复现修复装置的结构示意图；图8是本申请另一实施例示出的错误复现修复装置的结构示意图；图9是本申请一实施例示出的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面将参照附图更详细地描述本申请的实施方式。虽然附图中显示了本申请的实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本申请更加透彻和完整，并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0020]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种错误复现修复方法，其特征在于，包括：控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录所述原始文件的写入顺序；控制主控芯片读取所述闪存颗粒中成功写入的所述原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的所述原始文件；按照所述写入顺序再次控制所述主控芯片往所述闪存颗粒写入所述原始文件，其中本次写入过程不写入所述最后一个发生数据错误对应的所述原始文件，写入期间记录所述主控芯片的工作状态；基于所述工作状态对所述主控芯片进行错误修复；对所述主控芯片进行错误修复后再把所述最后一个发生数据错误对应的所述原始文件追加写入至所述闪存颗粒中，写入期间再次记录所述主控芯片的所述工作状态；基于所述工作状态再次对所述主控芯片进行错误修复。2.根据权利要求1所述的错误复现修复方法，其特征在于，所述控制主控芯片往闪存颗粒写入原始文件，并记录所述原始文件的写入顺序之前，还包括：对需要写入至闪存颗粒中的原始文件进行编号；所述记录所述原始文件的写入顺序，包括：根据所述原始文件对应的编号，记录所述原始文件的写入顺序。3.根据权利要求1所述的错误复现修复方法，其特征在于，所述读取所述闪存颗粒中成功写入的所述原始文件，并定位出最后一个发生数据错误对应的所述原始文件之后，还包括：控制所述主控芯片基于预设擦除指令将所述闪存颗粒中成功写入的所述原始文件进行擦除。4.根据权利要求1所述的错误复现修复方法，其特征在于，还包括：判断所述主控芯片对应的错误复现修复次数；若所述主控芯片对应的所述错误修复次数大于或者等于预设调试次数，则结束执行对所述主控芯片的错误复现修复过程；若所述主控芯片对应的所述错误修复次数小于所述预设调试次数，则继续执行对所述主控芯片的错误复现修复过程。5.根据权利要求1至4中任一项所述的错误复现修复方法，其特征在于，所述记录所述主控芯片的工作状态，包括：通过逻辑分析仪记录所述主控芯片的I/O端口时序状态；和/或通过协议分析仪记录所述主控芯片的协议处理；和/或通过ARM仿...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾庆聪，胡来胜，陈向兵，张如宏，张辉，
申请(专利权)人：深圳三地一芯电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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