本公开提供一种加热装置，加热装置包括壳体、加热基座和气流板，壳体具有容纳腔，加热基座和气流板均位于容纳腔中，加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔，待加热件位于第一容纳腔中，且位于加热基座的承载面上；气流板上间隔设置有多个通孔，各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板，多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔，多个排气孔围设在所有进气孔的外周。由于将多个排气孔围设在进气孔的外周，使得多个排气孔较为分散，排气孔较易将分散于第一容纳腔中的气体排出去。因此，本公开提供的加热装置，加热装置可以减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上，从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响，保证最终产品的质量与良率。产品的质量与良率。产品的质量与良率。
【技术实现步骤摘要】
加热装置
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种加热装置。
技术介绍
[0002]在半导体工艺制程中，通常需要对晶圆进行烘焙，例如，在晶圆上涂布涂层(以光刻胶为例)后，需要对晶圆进行软烘焙，以去除晶圆上的溶剂，干燥光刻胶。在显影后需要对晶圆进行硬烘焙，以进一步去除晶圆上的溶剂以使光刻胶变硬，提高光刻胶对晶圆表面的黏附性。
[0003]相关技术中，可以采用加热装置对晶圆进行烘焙，以去除晶圆上的涂层(例如光刻胶)中的溶剂。加热装置可以包括加热室和位于加热室内的加热板，晶圆设置在加热板上，加热板对晶圆加热以使晶圆上的涂层中的溶剂蒸发。蒸发的溶剂通过排气通道排出加热室。
[0004]然而，上述蒸发的溶剂易在加热室中冷凝而滴落回晶圆上，从而对晶圆上的涂层造成影响。
技术实现思路
[0005]本公开实施例提供一种加热装置，加热装置可以减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上，从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响，保证最终产品的质量与良率。
[0006]本公开实施例提供如下技术方案：
[0007]本公开实施例提供一种加热装置，加热装置包括壳体、加热基座和气流板，壳体具有容纳腔，加热基座和气流板均位于容纳腔中，加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔，待加热件位于第一容纳腔中，且位于加热基座的承载面上；气流板上间隔设置有多个通孔，各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板，多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔，多个排气孔围设在所有进气孔的外周。
[0008]加热装置可以包括壳体、加热基座和气流板，壳体具有容纳腔，加热基座和气流板均位于容纳腔中。其中，加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔，待加热件位于第一容纳腔中，且位于加热基座的承载面上。第一容纳腔中的气体可以通过气流板后排出。气流板上间隔设置有多个通孔，各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板，多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔，多个排气孔围设在所有进气孔的外周。由于将多个排气孔围设在进气孔的外周，而非将排气孔集中设置于气流板的中心，使得多个排气孔较为分散，排气孔更容易将分散于第一容纳腔中的气体(例如，待加热件上的涂层中的溶剂产生的溶剂蒸汽)排出去，从而提高排气孔对容纳腔中的溶剂蒸汽的排出效果，减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上，从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响，保证最终产品的质量与良率。
[0009]在一种可能的实施方式中，气流板包括进气区和排气区，排气区围设在进气区的外周；进气孔位于进气区，排气孔位于排气区。
[0010]在一种可能的实施方式中，排气区包括第一排气区和第二排气区，第二排气区围设在第一排气区的外周；排气孔包括第一排气孔和第二排气孔，第一排气孔位于第一排气区，第二排气孔位于第二排气区；单位面积内的第一排气区的所有第一排气孔的气体流速之和小于单位面积内的第二排气区的所有第二排气孔的气体流速之和。
[0011]从而使得第二排气区的气流板的排气效果优于第一排气区的气流板的排气效果，可以更快的将与加热基座边缘对应的第一容纳腔中的溶剂蒸汽排出第一容纳腔，以缓解由于加热基座的边缘各处加热不均导致的溶剂蒸汽冷凝。
[0012]在一种可能的实施方式中，单位面积内的第一排气区的所有第一排气孔的横截面面积之和小于单位面积内的第二排气区的所有第二排气孔的横截面面积之和。
[0013]在一种可能的实施方式中，各排气孔的横截面面积均相同，单位面积内的第一排气区的第一排气孔的数量小于单位面积内的第二排气区的第二排气孔的数量。
[0014]在一种可能的实施方式中，气流板还包括辅助排气区，辅助排气区位于排气区远离进气区的一侧，通孔还包括位于辅助排气区的辅助排气孔；辅助排气区在承载面上的正投影位于待加热件在承载面上的正投影外，排气区在承载面上的正投影位于待加热件在承载面上的正投影内；单位面积内的辅助排气区的所有辅助排气孔的气体流速之和大于单位面积内的排气区的所有排气孔的气体流速之和。
[0015]可以同时使得待加热件的涂层的厚度均匀性和气流板的排气效果均较好。
[0016]在一种可能的实施方式中，加热装置还包括进气通道和排气通道，进气通道和排气通道均位于容纳腔中，进气通道和排气通道均与壳体的外部连通，进气孔和进气通道连通，排气孔与排气通道连通。
[0017]在一种可能的实施方式中，排气通道包括第一排气通道和第二排气通道，第一排气通道与第一排气孔连通，第二排气通道与第二排气孔连通，第一排气通道和第二排气通道分别设置有气压控制阀。
[0018]不同的气压控制阀可以分别用于控制第一排气通道和第二排气通道的气体流速大小，从而分别控制第一排气孔和第二排气孔的气体流速。
[0019]在一种可能的实施方式中，所有辅助排气孔的气体流速与所有排气孔的气体流速的加和值等于所有进气孔的气体流速的加和值。
[0020]从而可以使得进入第一容纳腔的气体总量与排出第一容纳腔的气体总量一致，以维持第一容纳腔中的气压稳定。
[0021]在一种可能的实施方式中，排气区的面积大于进气区的面积。
[0022]从而使得排气区的面积较大，可以在排气区设置较多的排气孔，另外，可以使得排气孔的分布范围较广，从而提高各排气孔对第一容纳腔中的溶剂蒸汽的排出效果。
[0023]在一种可能的实施方式中，进气区位于气流板的中心。
[0024]使得通过进气孔进入到第一容纳腔中的气体对通过各排气孔排出第一容纳腔的气体的影响均较小。
[0025]在一种可能的实施方式中，加热装置还包括加热件，容纳腔还包括第二容纳腔，第二容纳腔位于气流板背离第一容纳腔的一侧；进气通道和排气通道均位于第二容纳腔内，加热件位于排气通道内。
[0026]加热件可以对进入排气通道中溶剂蒸汽加热，从而可以避免溶剂蒸汽在排气通道
中冷凝。
[0027]在一种可能的实施方式中，排气孔中设置有吸附件，吸附件具有透气通道，透气通道沿气流板的厚度方向贯穿吸附件。
[0028]吸附件可以用于对气体中的溶剂蒸汽进行吸附，从而更好的减少溶剂蒸汽残留，进一步缓解溶剂蒸汽的冷凝。
[0029]在一种可能的实施方式中，吸附件包括容置壳和吸附剂，容置壳中具有容置腔，吸附剂位于容置腔中，容置壳沿厚度方向的相对两个壳壁上均设置有第一透气孔，两个壳壁上的第一透气孔与容置腔连通并共同形成透气通道。
[0030]在一种可能的实施方式中，吸附件包括沿气流板的厚度方向层叠设置的至少两层透气层和至少一层吸附层，每相邻两层透气层之间均设置有吸附层，透气层中设置有第二透气孔，至少两层透气层的第二透气孔相互连通并形成透气通道。
[0031]本公开的构造以及它的其他专利技术目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其特征在于，包括：壳体、加热基座和气流板，所述壳体具有容纳腔，所述加热基座和所述气流板均位于所述容纳腔中，所述加热基座、所述气流板和部分所述壳体共同围设形成第一容纳腔，待加热件位于所述第一容纳腔中，且位于所述加热基座的承载面上；所述气流板上间隔设置有多个通孔，各所述通孔均沿所述气流板的厚度方向贯穿所述气流板，多个所述通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔，多个所述排气孔围设在所有所述进气孔的外周。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述气流板包括进气区和排气区，所述排气区围设在所述进气区的外周；所述进气孔位于所述进气区，所述排气孔位于所述排气区。3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述排气区包括第一排气区和第二排气区，所述第二排气区围设在所述第一排气区的外周；所述排气孔包括第一排气孔和第二排气孔，所述第一排气孔位于所述第一排气区，所述第二排气孔位于所述第二排气区；单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的气体流速之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的气体流速之和。4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的横截面面积之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的横截面面积之和。5.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，各所述排气孔的横截面面积均相同，单位面积内的所述第一排气区的所述第一排气孔的数量小于单位面积内的所述第二排气区的所述第二排气孔的数量。6.根据权利要求2
‑
5任一所述的加热装置，其特征在于，所述气流板还包括辅助排气区，所述辅助排气区位于所述排气区远离所述进气区的一侧，所述通孔还包括位于所述辅助排气区的辅助排气孔；所述辅助排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影外，所述排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影内；单位面积内的所述辅助排气区的所有所述辅助排气孔的气体流速之和大于单位面积内的所述排气区的所有所述排气孔的气体流速之和。7.根据权利要求3
...
【专利技术属性】
技术研发人员：董万如，魏毅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。