反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法技术

本发明专利技术涉及一种反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法，涉及硅电极加工加工技术领域。采用专用的反倒角刀具，该反倒角刀具在制造时能够根据待加工硅电极的要求在二维空间内预先设定好切削的参数制得刀具。接下来，再对硅电极加工之前，通过三维仿真模拟确定好切削参数的刀具对待加工硅电极的加工过程，并观察模拟的结果，最后保证刀具的足够的刃长及角度，同时仿真的模拟能够排除不过切不撞机且同时保证刀具刚性，满足切削强度，避免在加工中出现刀具折断的现象，从而提高了倒角的加工精度，而且适用于直径较小的螺纹孔螺纹的倒角。螺纹的倒角。螺纹的倒角。

【技术实现步骤摘要】
反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法


[0001]本专利技术涉及硅电极加工
，尤其涉及一种反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术朝向高性能化、精密化的迅猛发展，对硅电极加工的尺寸性能及装配性能均提出了更高要求。也就是说，硅电极在加工制造过程中几何尺寸和形位公差的控制以及表面粗糙度都极为重要。
[0003]目前，硅电极呈圆环状，对硅电极的通透螺纹孔加工是其主要的加工工序。具体为：首先将硅电极呈水平状态通过夹具夹持，接下来通过打孔专用工具在硅电极的上端面打一个贯穿下端面的通孔，为了防止通孔在靠近上端面和下端面处出现崩边的现象，然后，在通孔的上下两端部进行倒角处理，最后再通过螺纹刀对通孔的内部进行螺纹孔的成型。
[0004]但是现有的对于通孔的上下两端倒角采用的方式是，先通过常规的锐角倒角刀从上端面对通孔的上端进行倒角。接下来，再将硅电极的上下端面互相翻转(即将下端面倒置于上方)，然后，继续通过常规的锐角倒角刀从未翻转之前的下端面对通孔的下端进行倒角，最后完成对硅电极通孔上下两端的倒角，因此，现有的通孔上下两端的倒角方式需要夹具的二次装夹，从而造成倒角的精度降低，尤其，对于直径较小的螺纹孔螺纹的倒角，倒角的精度显得格外重要。

技术实现思路

[0005](一)要解决的技术问题
[0006]鉴于现有技术的上述缺点、不足，本专利技术提供一种反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法，其解决了现有的通孔上下两端的倒角方式需要夹具的二次装夹，从而造成倒角的精度降低的技术问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为了达到上述目的，本专利技术采用的主要技术方案包括：
[0009]一种反倒角刀具制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
[0010]S1、结合待加工零部件所要求的加工尺寸以及加工精度得出刀具的外形参数；
[0011]S2、根据所述S1中的刀具的外形参数在二维空间下绘制出刀具图样，并在二维空间下同时绘制出待加工零部件图样；
[0012]S3、将刀具图样移到待加工零部件图样的加工位置，并记录下此时刀具相对于待加工零部件的切削参数；
[0013]S4、将所述S3中的切削参数记录下，并根据所述S1的外形参数制造刀具，得到实物刀具。
[0014]可选地，所述外形参数包括刀具的刀杆长度、刀杆直径和刀头形状。
[0015]可选地，所述切削参数包括轴向距离的切削深度以及径向距离的切削总壁厚，且
根据反倒角加工单侧背吃刀量计算出刀具加工总周数。
[0016]可选地，所述反倒角加工单侧背吃刀量为0.01mm
‑
0.03mm。
[0017]可选地，在所述S4之后还包括如下S5：
[0018]S5、对所述S4的实物刀具进行测量，并与所述S1的刀具设计图样进行比对，若有异常进行反馈说明，若无异常则得到合格的刀具。
[0019]一种反倒角刀具，所述反倒角刀具基于所述的刀具制造方法制造而成，且所述反倒角刀具用于硅电极通透螺纹下端面倒角的加工，所述反倒角刀具包括刀杆和刀头；
[0020]所述刀杆具有与机床加工头相连的连接端以及与所述刀头相连的固定端；
[0021]所述刀头呈圆台状结构件，所述刀头具有相互平行设置的顶部圆形面、底部圆形面和设置于所述顶部圆形面和所述底部圆形面之间的锥形侧面，且所述顶部圆形面与所述刀杆的固定端一体成型，所述顶部圆形面的直径小于所述底部圆形面。
[0022]可选地，所述刀头为金刚石磨头。
[0023]一种加工硅电极通透螺纹的加工方法，所述加工方法采用所述的反倒角刀具，所述加工方法包括以下步骤：
[0024](a)使用三维数控加工仿真软件，构建仿真机床；
[0025](b)根据切削参数对硅电极加工极性模拟验证，得到验证结果；
[0026](d)对比仿真验证结果与理想尺寸的倒角，对倒角偏差评估；
[0027](e)根据评估结果确定刀具参数以及切削参数；
[0028](f)通过夹具将硅电极夹持；
[0029](g)在硅电极的上端面开设有贯穿下端面的通孔；
[0030](h)采用具有所述步骤(e)内确定的刀具参数和切削参数的所述反倒角刀具对所述步骤(g)的通孔进行下端面倒角的加工；
[0031](i)采用常规倒角刀具对所述步骤(g)的通孔进行上端面倒角的加工
[0032](j)通过螺纹刀对所述步骤(g)的通孔内侧壁进行螺纹孔的加工。
[0033]可选地，所述步骤(b)包括以下步骤：
[0034]将所述S1得到的切削参数的刀具和硅电极的参数分别导入三维数控加工仿真软件内，以构建仿真刀具和仿真硅电极，将仿真刀具安装至仿真机床上，仿真刀具在仿真机床的带动下对仿真硅电极进行仿真加工，得到仿真加工结果作为验证结果。
[0035]可选地，在所述步骤(b)中还能够得到起刀点的参数和逼近点的参数。
[0036](三)有益效果
[0037]本专利技术的有益效果是：本专利技术的一种反倒角刀具及其制造方法、加工硅电极通透螺纹加工方法，采用专用的反倒角刀具，该反倒角刀具在制造时能够根据待加工硅电极的要求在二维空间内预先设定好切削的参数制得刀具。接下来，再对硅电极加工之前，通过三维仿真模拟确定好切削参数的刀具对待加工硅电极的加工过程，并观察模拟的结果，最后保证刀具的足够的刃长及角度，同时仿真的模拟能够排除不过切不撞机且同时保证刀具刚性，满足切削强度，避免在加工中出现刀具折断的现象，从而提高了倒角的加工精度，而且适用于直径较小的螺纹孔螺纹的倒角。
附图说明
[0038]图1为本专利技术反倒角刀具在S1中刀具的设计图纸；
[0039]图2为本专利技术反倒角刀具与硅电极在S2中的切削参数(未示出刀柄)。
[0040]【附图标记说明】
[0041]1：刀柄；2：刀杆；3：刀头。
具体实施方式
[0042]为了更好的解释本专利技术，以便于理解，下面结合附图，通过具体实施方式，对本专利技术作详细描述。
[0043]需要说明的是，在硅电极的螺纹孔加工中，对于硅电极的螺纹孔加工，采用常规的锐角刀具对通孔的上下端面分别进行倒角，且不同大小规格的硅电极所需要加工的倒角尺寸规格也不完全相同。例如，现有的对M4螺纹孔所对应的通孔进行倒角加工，仅采用最小规格的常规锐角刀具通过两次装夹分别对上端面和下端面进行加工。但是为了提高倒角加工的精度，在上下端面形成倒角分别采用两种不同形式的刀具分别对其上端面倒角进行加工和下端面倒角进行加工。
[0044]在这里，本专利技术主要针对的是对于下端面倒角加工的所制造出专门的刀具。且该刀具与现有的刀具的选择方式上截然不同。具体地，现有的倒角刀具选择是，倒角刀具本身具有多种规格，且每种规格均能够加工特定规格的倒角。相对于现有技术而言，本申请采用了与
技术介绍
完全不同的倒角方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反倒角刀具制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：S1、结合待加工零部件所要求的加工尺寸以及加工精度得出刀具的外形参数；S2、根据所述S1中的刀具的外形参数在二维空间下绘制出刀具图样，并在二维空间下同时绘制出待加工零部件图样；S3、将刀具图样移到待加工零部件图样的加工位置，并记录下此时刀具相对于待加工零部件的切削参数；S4、将所述S3中的切削参数记录下，并根据所述S1的外形参数制造刀具，得到实物刀具。2.如权利要求1所述的刀具制造方法，其特征在于，所述外形参数包括刀具的刀杆长度、刀杆直径和刀头形状。3.如权利要求2所述的刀具制造方法，其特征在于，所述切削参数包括轴向距离的切削深度以及径向距离的切削总壁厚，且根据反倒角加工单侧背吃刀量计算出刀具加工总周数。4.如权利要求3所述的刀具制造方法，其特征在于，所述反倒角加工单侧背吃刀量为0.01mm
‑
0.03mm。5.如权利要求2所述的刀具制造方法，其特征在于，在所述S4之后还包括如下S5：S5、对所述S4的实物刀具进行测量，并与所述S1的刀具设计图样进行比对，若有异常进行反馈说明，若无异常则得到合格的刀具。6.一种反倒角刀具，其特征在于，所述反倒角刀具基于权利要求1
‑
5任一项所述的刀具制造方法制造而成，且所述反倒角刀具用于硅电极通透螺纹下端面倒角的加工，所述反倒角刀具包括刀杆和刀头；所述刀杆具有与机床加工头相连的连接端以及与所述刀头相连的固定端；所述刀头呈圆台状结构件，所述刀头具有相互平行设置的顶部圆形面、底...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，张海波，宋洋，高哲，
申请(专利权)人：锦州神工半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：