本实用新型专利技术属于微晶体技术领域，公开了一种四极点卧式结构的微晶体装置，外壳上侧固定有第一多层陶瓷基板，外壳下侧固定有第二多层陶瓷基板；外壳正面安装有节点补偿电容、匹配元件，外壳后面安装有匹配元件；外壳内侧安装有晶体组，晶体组左右两侧分别安装有变量器。变量器正面安装有调谐元件，变量器上侧安装有微调元件；第一多层陶瓷基板和第二多层陶瓷基板上分别固定有射频焊盘，射频焊盘内侧设置有接地焊盘，第二多层陶瓷基板左右侧端面设置有电装焊盘。本实用新型专利技术封装体积小，同时本实用新型专利技术能够解决插针式的封装在接地时有较长的引线，引线存在电阻与电感，对远端抑制和镜像干扰产生不利影响的问题。干扰产生不利影响的问题。干扰产生不利影响的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种四极点卧式结构的微晶体装置
[0001]本技术属于微晶体
，尤其涉及一种四极点卧式结构的微晶体装置。
技术介绍
[0002]目前，微晶体单元存在主要三个缺陷：1)封装体积大；2)现有技术基本上均为插针式封装，插针式的封装在接地时有较长的引线，引线同时存在电阻与电感，因而会对远端抑制和镜像干扰产生不利影响(通常不会超过70dB)；3)外国同类产品为了满足屏蔽要求外壳多使用多层结构屏蔽
[0003]通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：
[0004](1)现有技术封装体积大。
[0005](2)现有技术基于缩减元件封装，为缩小元件尺必须缩小外壳和内部晶片的尺寸，如果一味缩小尺寸，那么会使元件的电阻增加，动态电感和动态电容等参数性能下降，而且因晶片尺寸设计不合理还会带来有害的面切边机械耦合，使元件的动态曲线出现突跳点和机械损耗点，严重影响器件的幅频特性，因而会对临道抑制和温度特性产生不利影响。
[0006](3)现有技术外国同类产品为了满足屏蔽要求外壳多使用多层结构屏蔽。
技术实现思路
[0007]针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种四极点卧式结构的微晶体装置。
[0008]本技术是这样实现的，一种四极点卧式结构的微晶体装置设置有外壳；
[0009]外壳上侧固定有第一多层陶瓷基板，外壳下侧固定有第二多层陶瓷基板；
[0010]外壳正面安装有节点补偿电容、匹配元件，外壳后面安装有匹配元件；
[0011]外壳内侧安装有晶体组，晶体组左右两侧分别安装有变量器。
[0012]进一步，所述变量器正面安装有调谐元件，变量器上侧安装有微调元件。
[0013]进一步，所述第一多层陶瓷基板和第二多层陶瓷基板上分别固定有射频焊盘，射频焊盘内侧设置有接地焊盘。
[0014]进一步，所述第二多层陶瓷基板左右侧端面设置有电装焊盘。
[0015]进一步，所述第一多层陶瓷基板设置有盖板面，盖板面通过钎焊与顶板面连接，顶板面为半刻结构。
[0016]进一步，所述外壳设置有表层板，外壳为半封闭壳体。
[0017]结合上述的技术方案和解决的技术问题，请从以下几方面分析本技术所要保护的技术方案所具备的优点及积极效果为：
[0018]第一、针对上述现有技术存在的技术问题以及解决该问题的难度，紧密结合本技术的所要保护的技术方案以及研发过程中结果和数据等，详细、深刻地分析本技术技术方案如何解决的技术问题，解决问题之后带来的一些具备创造性的技术效果。具体描述如下：
[0019]本技术封装体积小，同时本技术能够解决小尺寸的封装解决元器件的动态电阻动态电容和动态电感问题，同时解决有害的机械耦合和曲线突跳，使器件具备小插损，小群时延和高性能临道抑制，良好的镜像干扰及阻带防卫度。
[0020]第二，把技术方案看做一个整体或者从产品的角度，本技术所要保护的技术方案具备的技术效果和优点，具体描述如下：
[0021]基于避免有害的机械耦合加工小尺寸晶片，保证动态参数的情况下。烧结微型基座时解决绝缘子的密封性和引线机械强度与晶片尺寸和位置的矛盾。
附图说明
[0022]图1是本技术实施例提供的四极点卧式结构的微晶体装置结构示意图；
[0023]图2是本技术实施例提供的四极点卧式结构的微晶体装置后示意图；
[0024]图3是本技术实施例提供的四极点卧式结构的微晶体装置侧视图；
[0025]图4是本技术实施例提供的外壳结构示意图；
[0026]图中：1、变量器；2、第一多层陶瓷基板；3、晶体组；4、调谐元件；5、接地焊盘；6、节点补偿电容；7、射频焊盘；8、匹配元件；9、微调元件；10、外壳；11、第二多层陶瓷基板；12、匹配元件；13、电装焊盘；14、盖板面；15、顶板面；16、表层板。
具体实施方式
[0027]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]一、解释说明实施例。为了使本领域技术人员充分了解本技术如何具体实现，该部分是对权利要求技术方案进行展开说明的解释说明实施例。
[0029]如图1
‑
图4所示，本技术实施例提供的四极点卧式结构的微晶体装置中外壳10上侧固定有第一多层陶瓷基板2，外壳10下侧固定有第二多层陶瓷基板11；外壳10正面安装有节点补偿电容6、匹配元件8，外壳10后面安装有匹配元件12。第一多层陶瓷基板2和第二多层陶瓷基板11上分别固定有射频焊盘7，射频焊盘7内侧设置有接地焊盘5，第二多层陶瓷基板11左右侧端面设置有电装焊盘13。外壳10内侧安装有晶体组3，晶体组3左右两侧分别安装有变量器1，变量器1正面安装有调谐元件4，变量器1上侧安装有微调元件9。
[0030]第一多层陶瓷基板2设置有盖板面14，盖板面14通过钎焊与顶板面15连接，顶板面15为半刻结构；盖板面14使用材质4J42；外壳10设置有表层板16，外壳10为半封闭壳体，五面封闭，水平四面为腔体面，使用材质4J29合金，可以满足三防实验；第二多层陶瓷基板2为四层板结构，自下而上分别为：焊盘层(材质为铜镀金)、地线层(铜层)、信号层(铜层)、元件焊接层(铜镀金)。
[0031]本技术的工作原理为：用晶体元件具备的十分优秀的等效高Q值特性，优良的动态参数和温度特性，在保证性能参数的情况下，利用惠斯登电桥原理，即在不同的频率段，电桥产生的平衡和不平衡，从而产生阻带和通带。形成滤波器的幅频特性。
[0032]在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关
系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种四极点卧式结构的微晶体装置，其特征在于，所述四极点卧式结构的微晶体装置设置有：外壳；外壳上侧固定有第一多层陶瓷基板，外壳下侧固定有第二多层陶瓷基板；外壳正面安装有节点补偿电容、匹配元件，外壳后面安装有匹配元件；外壳内侧安装有晶体组，晶体组左右两侧分别安装有变量器。2.如权利要求1所述的四极点卧式结构的微晶体装置，其特征在于，所述变量器正面安装有调谐元件，变量器上侧安装有微调元件。3.如权利要求1所述的四极点卧式结构的微晶体装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宁，刘建国，刘浩松，
申请(专利权)人：咸阳振峰电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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