一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及磁控溅射离子镀技术领域，且公开了一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，包括底座，所述底座顶部固定连接有真空炉体，所述真空炉体顶部设置有功能机构，所述功能机构左侧固定连接有过滤机构，所述底座左侧固定连接有移动机构。该带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，通过设置功能机构，微波等离子比RF

【技术实现步骤摘要】
一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置


[0001]本专利技术涉及磁控溅射离子镀
，具体为一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置。

技术介绍

[0002]目前等离子辅助磁控溅射离子镀设备使用的离子辅助方式多是射频电源方式，称之为RF
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ICP(射频感应耦合)离子源，本专利技术采用微波等离子 (Microwave plasma)具有电离能力强、等离子体密度高(10～10"cm')、气压低(10”Pa量级)、性能稳定等特点。反应粒子活性高、离子能量低、无高能粒子损伤、没有污染、磁场约束、减少等离子体与反应室壁的相互作用。是一种低气压、高密度等离子体源，能够在较低的气压下产生大面积均匀的高密度等离子体，比RF
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ICP(射频感应耦合)离子源更有优势；但是微波等离子辅助方法在矩形的装置上容易存在均匀性问题，本专利在于设计缝隙谐振天线方式的机构，可以很方便去做大面积矩形离子源的均匀性调整。
[0003]现有的微波辅助离子源多使用于MPCVD方法沉积金刚石膜，而且都使用固定格式的波导(BJ26)，以波导将微波等离子体导入钟罩式和圆柱式的真空炉体，不适用于长矩形靶的磁控溅射设备，所以现在的等离子辅助磁控溅射光学离子镀设备都使用射频离子源，无法将微波离子源拿来做辅助离化，由于矩形和圆柱形长条靶的磁控溅射没有对应的波导可使用，本专利可让微波等离子符合长形磁控溅射靶的设备，微波等离子辅助方法在矩形的装置上容易存在均匀性问题，在此设计一种缝隙谐振天线方式的机构，可以很方便去做大面积矩形离子源的均匀性调整，方便应用在鼓型或矩形真空炉的磁控溅射设备上。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，包括底座，所述底座顶部固定连接有真空炉体，所述真空炉体顶部设置有功能机构，所述功能机构左侧固定连接有过滤机构，所述底座左侧固定连接有移动机构。
[0006]所述功能机构包括功放器，所述真空炉体顶部设置有功放器，所述功放器右侧设置有微波监测器，所述微波检测器右侧固定连接有弯波导，所述弯波导右侧设置有三销钉，所述弯波导底端固定连接有直波导，所述直波导底端固定连接有狭缝谐振天线组，所述狭缝谐振天线组底端固定连接有短路棒。
[0007]优选的，所述真空炉体左侧固定连接有插板阀一，所述插板阀一左侧固定连接有分子泵一，插板阀一对分子泵一进行控制。
[0008]优选的，所述真空炉体左侧固定连接有插板阀二，所述插板阀二左侧固定连接有分子泵二，插板阀二对分子泵二进行控制。
[0009]优选的，所述真空炉体前侧固定连接有溅射靶座，所述溅射靶座设置有两个，两个
溅射靶座分别位于真空炉体正面左右两侧，提高溅射的效果。
[0010]优选的，所述移动机构包括支架，所述支架固定连接于底座左侧，所述支架内侧开设有空腔，所述空腔内右侧固定连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆左端固定连接有活动块，所述活动块左侧固定连接有推块，所述支架底部固定连接有支撑块。
[0011]优选的，所述支撑块顶部开设有通槽，所述通槽内侧设置有支撑杆，所述支撑杆底端固定连接有滚轮，所述支撑杆左右两侧均固定连接有滑块，所述通槽内左右两侧均开设有滑槽，所述滑块滑动连接在滑槽内侧，滑块和滑槽对支撑杆进行限位。
[0012]优选的，所述滑块顶部固定连接有弹簧，所述弹簧顶端固定连接有限位块，所述限位块固定连接于空腔底部，所述支撑杆顶端设置为斜面，所述推块底部设置为斜面，所述支架顶部固定连接有斜杆，所述斜杆固定连接在真空炉体左侧，所述电动伸缩杆外表面固定连接有固定环，所述固定环固定连接在空腔内侧，固定环对伸缩杆左端进行限位，在斜面的作用下推块可以推动支撑杆向下移动。
[0013]优选的，所述过滤机构包括过滤盒，所述过滤盒固定连接于分子泵一左侧，所述过滤盒内侧设置有安装板，所述安装板中间设置有过滤网，所述过滤盒内侧固定连接有连接块一。
[0014]优选的，所述连接块一右侧通过轴承活动连接有传动杆，所述传动杆右端通过轴承活动连接有连接块二，所述连接块二固定连接在过滤盒内侧，所述传动杆外表面固定连接有扇叶，传动杆可以带动扇叶转动。
[0015]优选的，所述传动杆外表面固定连接有安装环，所述安装环顶部固定连接有清理刷，所述清理刷右侧与过滤网左侧相接触，所述过滤盒左侧固定连接有进气管，清理刷对过滤网进行清理。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]1、该带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，通过设置功能机构，微波等离子比RF
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ICP(射频感应耦合)离子源更具有电离能力强、等离子体密度高、气压低、性能稳定等特点，反应粒子活性高、离子能量低、无高能粒子损伤、没有污染、磁场约束、减少等离子体与反应室壁的相互作用。微波等离子是一种低气压、高密度等离子体源，能够在较低的气压下产生大面积均匀的高密度等离子体，成功解决过往微波等离子无法适用于长形磁控溅射缺憾，并透过缝隙尺寸和分布的调整达到提高谐振天线的均匀性之目的。
[0018]2、该带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，通过设置移动机构，在使用过程中，在需要移动时可以将滚轮放下，当不需要移动时将滚轮收起，提高了该装置的实用性，当不需要进行移动时支撑块和防滑垫可以对该装置进行支撑，避免其在使用时发生位移的现象，增加了该装置的稳定性。
[0019]3、该带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，通过设置过滤机构，在使用过程中，通过对进入到该装置内的气体进行过滤，从而避免空气中的杂质进入到装置内部，造成装置内部出现堵塞的现象，通过对过滤网的清理，从而避免杂质堵塞过滤网影响过滤效果的现象，出现，提高了该装置的过滤效果以及使用寿命。
附图说明
[0020]图1为本专利技术整体结构正面一侧示意图；
[0021]图2为本专利技术部分结构正面一侧示意图；
[0022]图3为本专利技术缝隙谐振天线组示意图；
[0023]图4为本专利技术移动机构正面部分剖面示意图；
[0024]图5为本专利技术过滤机构正面部分剖面示意图；
[0025]图6为本专利技术图4中A处放大结构示意图。
[0026]图7为本专利技术功能机构原理示意图；
[0027]图8为本专利技术功能机构波导出口面示意图。
[0028]图中：1、真空炉体；2、底座；3、移动机构；301、支架；302、活动块；303、斜杆；304、推块；305、空腔；306、支撑块；307、防滑垫；308、固定环；309、电动伸缩杆；310、支撑杆；311、限位块；312、滑块；313、滚轮；314、弹簧；4、功能机构；401、分子泵一；402、分子泵二；403、插板阀一；404、插板阀二；405、短路棒；406、功放器；407、弯波导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，包括底座(2)，其特征在于：所述底座(2)顶部固定连接有真空炉体(1)，所述真空炉体(1)顶部设置有功能机构(4)，所述功能机构(4)左侧固定连接有过滤机构(5)，所述底座(2)左侧固定连接有移动机构(3)；所述功能机构(4)包括功放器(406)，所述真空炉体(1)顶部设置有功放器(406)，所述功放器(406)右侧设置有微波监测器(410)，所述微波检测器右侧固定连接有弯波导(407)，所述弯波导(407)右侧设置有三销钉(408)，所述弯波导(407)底端固定连接有直波导(411)，所述直波导(411)底端固定连接有狭缝谐振天线组(409)，所述狭缝谐振天线组(409)底端固定连接有短路棒(405)。2.根据权利要求1所述的一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，其特征在于：所述真空炉体(1)左侧固定连接有插板阀一(403)，所述插板阀一(403)左侧固定连接有分子泵一(401)。3.根据权利要求1所述的一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，其特征在于：所述真空炉体(1)左侧固定连接有插板阀二(404)，所述插板阀二(404)左侧固定连接有分子泵二(402)。4.根据权利要求1所述的一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，其特征在于：所述真空炉体(1)前侧固定连接有溅射靶座，所述溅射靶座设置有两个，两个溅射靶座分别位于真空炉体(1)正面左右两侧。5.根据权利要求1所述的一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置，其特征在于：所述移动机构(3)包括支架(301)，所述支架(301)固定连接于底座(2)左侧，所述支架(301)内侧开设有空腔(305)，所述空腔(305)内右侧固定连接有电动伸缩杆(309)，所述电动伸缩杆(309)左端固定连接有活动块(302)，所述活动块(302)左侧固定连接有推块(304)，所述支架(301)底部固定连接有支撑块(306)。6.根据权利要求5所述的一种带有缝隙谐振天线结构的磁控溅射离子镀装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炳州，
申请(专利权)人：南通派锐泰特精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：