LDMOS器件及其形成方法技术

一种LDMOS器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底内的深阱区，深阱区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；位于深阱区表面的场氧结构，场氧结构顶部表面高于衬底顶部表面，场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，第一场氧层、第二场氧层和若干第三场氧层均相互分立；位于深阱区内的体区，体区与第一场氧层相邻，且体区为第一导电类型；位于部分第一场氧层表面和部分体区表面的第一栅场板；位于部分第二场氧层表面的第二栅场板；位于场氧结构两侧的源区和漏区，源区位于体区内，漏区位于深阱区内，源区和漏区为第二导电类型，提高了器件的耐压能力。提高了器件的耐压能力。提高了器件的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]BCD(Bipolar
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CMOS
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DMOS)工艺一种单片集成工艺技术，该技术在同一芯片上制作双极晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)器件、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide Semiconductor，CMOS)器件和双扩散金属氧化物半导体(Double
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diffused Metal
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Oxide Semiconductor，DMOS)器件的工艺。采用BCD工艺制造的器件广泛应用于电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。
[0003]目前高压BCD工艺中，采用横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double
‑
Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,缩写为LDMOS)器件作为耐压器件。
[0004]然而，现有的LDMOS器件技术形成的半导体结构有待进一步改善。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种LDMOS器件及其形成方法，以提高形成的器件的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种LDMOS器件，包括：衬底，所述衬底为第一导电类型；位于所述衬底内的深阱区，所述深阱区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；位于所述深阱区表面的场氧结构，所述场氧结构顶部表面高于所述衬底顶部表面，所述场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，所述第一场氧层、所述第二场氧层和所述若干第三场氧层均相互分立；位于所述深阱区内的体区，所述体区与所述第一场氧层相邻，且所述体区为第一导电类型；位于部分所述第一场氧层表面和部分所述体区表面的第一栅场板；位于部分所述第二场氧层表面的第二栅场板；位于所述场氧结构两侧的源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述深阱区内，所述源区和所述漏区为第二导电类型。
[0007]可选的，还包括：位于所述体区的引出区，所述引出区与所述源区相接触，且所述引出区较所述源区远离所述场氧结构，所述引出区为第一导电类型。
[0008]可选的，还包括：位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层和第三导电层；所述第一导电层与所述引出区和所述源区电连接，且所述第一导电层延伸至所述第一栅场板上方；所述第二导电层与所述第二栅场板、所述漏区电连接；所述第三导电层浮置，且位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。
[0009]可选的，所述第三导电层位于至少一个所述第三场氧层上方。
[0010]可选的，在沿自所述源区至所述漏区的方向上，所述第三导电层与所述第二导电层之间的距离范围为0.1微米至20微米。
[0011]可选的，所述第一场氧层、所述第二场氧层和各个所述第三场氧层均呈环状，所述
第一场氧层、所述若干第三场氧层和所述第二场氧层自所述漏区向所述源区方向排布，且环绕所述漏区设置。
[0012]可选的，包括：所述体区环绕设置在所述漏区的外侧；所述场氧结构，环绕设置在所述漏区的外侧，且位于所述体区内侧的所述深阱区上；所述第二栅场板，环绕设置在所述漏区的外侧，且位于所述体区内侧；所述第一栅场板，环绕设置所述第二栅场板外侧，且位于所述体区内侧，并延伸至部分所述体区表面。
[0013]可选的，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区、第二区和第三区；所述源区包围所述漏区，所述漏区包括位于第一区的第一漏区、位于所述第二区与所述第一漏区相接的若干第二漏区、以及位于所述第三区与所述第二漏区相接的若干第三漏区，一个第二漏区对应一个第三漏区，所述第一漏区沿第二方向延伸，所述第二漏区平行于所述第一方向且沿所述第二方向排布；所述第二栅场板包括位于第一区的第一栅部、位于所述第二漏区外侧的若干第一线栅部和位于所述第三区的第二栅部，一个所述第二漏区对应两条第一线栅部，所述若干第一线栅部平行于所述第一方向，且沿第二方向排布，所述第一栅部、所述第二栅部使所述若干第一线栅部连接到一起，并环绕设置于所述漏区外侧；位于所述源区内侧的所述第一栅场板，所述第一栅场板包括位于第一区的第三栅部、位于所述第二漏区外侧的若干第二线栅部和位于所述第三区的第四栅部，一个所述第二漏区对应两条第二线栅部，所述若干第二线栅部平行于所述第一方向，且沿第二方向排布，所述第三栅部、所述第四栅部使所述若干第二线栅部连接到一起，并环绕设置于所述第二栅场板外侧。
[0014]可选的，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
[0015]可选的，所述若干第三场氧层的数量范围为0个至50个；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，所述第一场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，所述第二场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，各个所述第三场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米。
[0016]可选的，还包括：位于所述场氧结构下方的所述深阱区内的掺杂区。
[0017]相应的，本专利技术的技术方案还提供一种LDMOS器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底为第一导电类型；在所述衬底内形成深阱区，所述深阱区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在部分所述深阱区表面形成场氧结构，所述场氧结构顶部表面高于所述衬底顶部表面，所述场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，所述第一场氧层、所述第二场氧层和所述若干第三场氧层均相互分立；在所述深阱区内形成体区，所述体区为第一导电类型，所述体区与所述第一场氧层相邻；在部分所述场氧结构表面形成第一栅场板和第二栅场板，所述第一栅场板位于部分所述第一场氧层表面，且还延伸至部分所述体区表面，所述第二栅场板位于部分所述第二场氧层表面；在所述场氧结构两侧形成源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述深阱区内，所述源区和所述漏区为第二导电类型。
[0018]可选的，还包括：在所述体区内形成引出区，所述引出区与所述源区相接触，且所述引出区较所述源区远离所述场氧结构，所述引出区为第一导电类型。
[0019]可选的，在形成所述源区、所述漏区和所述引出区之后，还包括：在所述衬底表面形成层间介质层；在所述层间介质层内形成导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层和第三导电层；所述第一导电层与所述引出区和所述源区电连接，且所述第一导电
层延伸至所述第一栅场板上方；所述第二导电层与所述第二栅场板、所述漏区电连接；所述第三导电层浮置，且位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。
[0020]可选的，所述第一场氧层、所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一导电类型；位于所述衬底内的深阱区，所述深阱区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；位于所述深阱区表面的场氧结构，所述场氧结构顶部表面高于所述衬底顶部表面，所述场氧结构包括第一场氧层、第二场氧层以及位于第一场氧层和第二场氧层之间的若干第三场氧层，所述第一场氧层、所述第二场氧层和所述若干第三场氧层均相互分立；位于所述深阱区内的体区，所述体区与所述第一场氧层相邻，且所述体区为第一导电类型；位于部分所述第一场氧层表面和部分所述体区表面的第一栅场板；位于部分所述第二场氧层表面的第二栅场板；位于所述场氧结构两侧的源区和漏区，所述源区位于所述体区内，所述漏区位于所述深阱区内，所述源区和所述漏区为第二导电类型。2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：位于所述体区的引出区，所述引出区与所述源区相接触，且所述引出区较所述源区远离所述场氧结构，所述引出区为第一导电类型。3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层和第三导电层；所述第一导电层与所述引出区和所述源区电连接，且所述第一导电层延伸至所述第一栅场板上方；所述第二导电层与所述第二栅场板、所述漏区电连接；所述第三导电层浮置，且位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。4.如权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第三导电层位于至少一个所述第三场氧层上方。5.如权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，在沿自所述源区至所述漏区的方向上，所述第三导电层与所述第二导电层之间的距离范围为0.1微米至20微米。6.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一场氧层、所述第二场氧层和各个所述第三场氧层均呈环状，所述第一场氧层、所述若干第三场氧层和所述第二场氧层自所述漏区向所述源区方向排布，且环绕所述漏区设置。7.如权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，包括：所述体区环绕设置在所述漏区的外侧；所述场氧结构，环绕设置在所述漏区的外侧，且位于所述体区内侧的所述深阱区上；所述第二栅场板，环绕设置在所述漏区的外侧，且位于所述体区内侧；所述第一栅场板，环绕设置所述第二栅场板外侧，且位于所述体区内侧，并延伸至部分所述体区表面。8.如权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区、第二区和第三区；所述源区包围所述漏区，所述漏区包括位于第一区的第一漏区、位于所述第二区与所述第一漏区相接的若干第二漏区、以及位于所述第三区与所述第二漏区相接的若干第三漏区，一个第二漏区对应一个第三漏区，所述第一漏区沿第二方向延伸，所述第二漏区平行于所述第一方向且沿所述第二方向排布；所述第二栅场板包括位于第一区的第一栅部、位于所述第二漏区外侧的若干第一线栅部和位于所述第三区的第二栅部，一个所述第二漏区对应两条第一线栅部，所述若干第一线栅部平行于所述第一方向，且沿第二
方向排布，所述第一栅部、所述第二栅部使所述若干第一线栅部连接到一起，并环绕设置于所述漏区外侧；位于所述源区内侧的所述第一栅场板，所述第一栅场板包括位于第一区的第三栅部、位于所述第二漏区外侧的若干第二线栅部和位于所述第三区的第四栅部，一个所述第二漏区对应两条第二线栅部，所述若干第二线栅部平行于所述第一方向，且沿第二方向排布，所述第三栅部、所述第四栅部使所述若干第二线栅部连接到一起，并环绕设置于所述第二栅场板外侧。9.如权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。10.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述若干第三场氧层的数量范围为0个至50个；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，所述第一场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，所述第二场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米；在沿自所述源区向所述漏区的方向上，各个所述第三场氧层的尺寸范围为0.1微米至10微米。11.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锋，朱宇彤，蔡莹，潘山山，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：