一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，包括：干扰信号发生单元产生射频干扰信号，通过屏蔽电缆传递至位于全电波暗室内的极化天线，极化天线经过校准和调节，精准对准屏蔽箱体开孔的中心，再经过强场探头和场强监测仪对感应到场强进行监测和反馈，调节导轨滑块组合体，使极化天线产生的强场达到预定强场范围，将与受试IC进行连接的IC试验板覆盖于开口处，以此使受试IC的受试面最大限度接收射频干扰信号，并防止受试IC的非受试面接收到射频干扰信号，通过测试台监测受试IC的工作状态并对电磁辐射抗扰度进行评估。提高了集成电路电磁辐射抗扰度测试的精准度，提升了电磁辐射干扰信号的测试范围，适用性更强。适用性更强。适用性更强。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置


[0001]本技术涉及集成电路测试
，尤其涉及一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置。

技术介绍

[0002]随着集成电路的广泛应用，其所面临的电磁兼容问题也越发突出，尤其在汽车芯片行业，为了提高其安全性和便利性，车载毫米波雷达、 5G通信终端等毫米波用频设备在汽车中大量使用，而其工作频率范围宽至1GHz～80GHz，频率的提升使得芯片互连线之间的串扰问题也愈发严重，为了使集成电路电磁辐射抗扰度的试验频率范围覆盖18GHz～80GHz或更高。而当前的集成电路电磁辐射抗扰度测试的装置与方法的测试频率较低，在工作频率更高的情况下无法进行测试，导致应用范围不够广，亟需一种新的集成电路电磁辐射抗扰度试验装置及方法。
[0003]基于以上，本技术公开了一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，实现对集成电路在频率更高、频率范围更广的电磁辐射下进行更精准和快速地抗扰度测试的。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，通过干扰信号发生单元产生射频干扰信号，通过屏蔽电缆或波导传递至极化天线，极化天线经过激光发射器和导轨滑块组合体的校准和调节，精准对准屏蔽箱体开孔的中心，再经过强场探头和场强监测仪对感应到场强进行监测和反馈，再次调节导轨滑块组合体，使极化天线产生的强场达到预定强场范围，将与受试IC进行连接的IC试验板覆盖于开口处，以此使受试IC的受试面最大限度接收射频干扰信号，并防止受试IC的非受试面接收到射频干扰信号，通过测试台监测受试IC 的工作状态并对电磁辐射抗扰度进行评估。提高了集成电路电磁辐射抗扰度测试的精准度，提升了电磁辐射干扰信号的测试范围，适用性更强。
[0005]本技术提供了一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，包括：
[0006]全电波暗室，所述全电波暗室为密封盒状物，所述密封盒状物的外部和内部均覆盖有吸波材料和/或电磁屏蔽材料，所述全电波暗室内底面采用绝缘材料；
[0007]干扰信号发生单元，设置于所述全电波暗室的外部，用于产生预定频率和预定强度的射频干扰信号，所述预定频率的范围为 150kHz～80GHz；
[0008]极化天线，设置于所述全电波暗室的内部，通过屏蔽电缆或波导与所述干扰信号发生单元电连接，所述极化天线高度和极化方向可调，用于向预定方向发射射频干扰信号；
[0009]屏蔽箱体，设置于所述全电波暗室的内部，所述屏蔽箱体为方形盒装物，所述方形盒装物的一面开孔，其余五面均覆盖有吸波材料和 /或电磁屏蔽材料；
[0010]IC试验板，可拆卸设置于所述屏蔽箱体的开孔处并完全覆盖所述开孔，用于固定受试IC并与所述受试IC电连接；所述受试IC的非受试面与所述IC试验板的一面贴合连接，所述受试IC的受试面正对所述极化天线，所述受试IC的中心与所述开孔中心重合；所述IC
试验板采用若干层电路板制成；
[0011]激光发射器，设置于所述屏蔽箱体的内部且发射方向可调，用于从所述开孔中心并垂直于所述开孔平面发射激光，以便校准所述极化天线的方向；
[0012]场强探头，设置于所述屏蔽箱体的内部并位于所述开孔的中心位置处，用于感应所述极化天线发射的射频干扰信号的感应场强；
[0013]导轨滑块组合体，包括导轨和滑块，所述导轨设置于所述全电波暗室的内底部且位于所述屏蔽箱体的外部，所述滑块可滑动设置于所述导轨上，所述极化天线可滑动设置于所述滑轨上，所述导轨滑块组合体用于固定所述极化天线和调节所述极化天线在水平方向上的位移；
[0014]场强监测仪，设置于所述全电波暗室的外部，并通过屏蔽线缆槽与所述场强探头电连接，用于显示和监测感应场强的大小；
[0015]测试台，设置于所述全电波暗室的外部，并通过屏蔽线缆槽与所述IC试验板电连接，用于监测所述受试IC的工作状态并对根据所述工作状态对电磁辐射抗扰度进行评估。
[0016]进一步地，所述装置还包括：
[0017]控制计算机，设置于所述全电波暗室的外部，分别与所述干扰信号发生单元和所述场强监测仪电连接，用于接收、处理和发送数据，以便控制抗扰度测试的过程。
[0018]进一步地，所述干扰信号发生单元包括：
[0019]射频信号发生器，设置于所述全电波暗室的外部，用于产生射频干扰信号；
[0020]功率放大器，设置于所述全电波暗室的外部，与所述射频信号发生器电连接，用于将所述射频干扰信号放大；
[0021]定向耦合器，设置于所述全电波暗室的外部，与所述功率放大器电连接，用于将射频干扰信号按预定的比例和方向进行功率分配；
[0022]功率计，设置于所述全电波暗室的外部，分别与所述定向耦合器和所述控制计算机电连接，用于测量所述定向耦合器输出的预定比例的前向功率和/或反向功率。
[0023]进一步地，所述装置还包括：
[0024]激光发射器支架，所述激光发射器支架设置于所述激光发射器下端，用于固定和支撑所述激光发射器，所述激光发射器支架高度可调且可移动设置于所述屏蔽箱体的内底部；
[0025]探头支架，所述探头支架设置于所述场强探头的下端，用于固定和支撑所述场强探头，所述探头支架高度可调且可移动设置于所述屏蔽箱体的内底部。
[0026]进一步地，所述激光发射器支架与所述探头支架为一整体支架，所述整体支架包括支架上部和支架下部，所述激光发射器和所述场强探头分别设置在所述支架上部水平方向的两端，所述支架下部固定设置在所述屏蔽箱体的内底部，所述支架上部与所述支架下部旋转连接，用于通过旋转所述支架上部使所述激光发射器或所述场强探头对准所述屏蔽箱体开孔的中心。
[0027]进一步地，所述装置还包括：非导电支撑物，所述非导电支撑物设置于所述全电波暗室的内底部，所述导轨滑块组合体、所述全电波暗室均设置在所述非导电支撑物上部；
[0028]所述非导电支撑物包括至少三个非导电脚，所述非导电脚垫用于支撑所述非导电支撑物并使所述非导电支撑物与所述全电波暗室保持预定距离。
[0029]进一步地，所述装置还包括：
[0030]天线支架，所述天线支架设置于所述极化天线下端，用于固定和支撑所述极化天线，所述天线支架高度可调且可移动设置于所述导轨滑块组合体上；
[0031]屏蔽箱体支架，所述屏蔽箱体支架设置于所述屏蔽箱体下端，用于固定和支撑所述屏蔽箱体并使所述屏蔽箱体与所述全电波暗室保持预定距离。
[0032]进一步地，所述IC试验板采用至少四层印制电路板，所述四层印制电路板的顶层和底层均为地层，此两层除电子元器件和电子线路外均大面积铺地，顶层与底层之间通过四周的过孔带连接，中间两层分别为电源层和信号层，电源层采用负片工艺分隔电源，信号层除电子线路外均大面积铺地，差分信号线按差分对的形式布线。
[0033]本技术实施例提供的技术方案至少带来以下有益技术效果：
[0034]本技术提供了一种集成电路电磁辐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，其特征在于，包括：全电波暗室(1)，所述全电波暗室(1)为密封盒状物，所述密封盒状物的外部和内部均覆盖有吸波材料和/或电磁屏蔽材料，所述全电波暗室(1)内底面采用绝缘材料；干扰信号发生单元(2)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，用于产生预定频率和预定强度的射频干扰信号，所述预定频率的范围为150kHz～80GHz；极化天线(3)，设置于所述全电波暗室(1)的内部，通过屏蔽电缆或波导与所述干扰信号发生单元(2)电连接，所述极化天线(3)高度和极化方向可调，用于向预定方向发射射频干扰信号；屏蔽箱体(4)，设置于所述全电波暗室(1)的内部，所述屏蔽箱体(4)为方形盒装物，所述方形盒装物的一面开孔，其余五面均覆盖有吸波材料和/或电磁屏蔽材料；IC试验板(5)，可拆卸设置于所述屏蔽箱体(4)的开孔处并完全覆盖所述开孔，用于固定受试IC(16)并与所述受试IC(16)电连接；所述受试IC(16)的非受试面与所述IC试验板(5)的一面贴合连接，所述受试IC(16)的受试面正对所述极化天线(3)，所述受试IC(16)的中心与所述开孔中心重合；所述IC试验板(5)采用若干层电路板制成；激光发射器(6)，设置于所述屏蔽箱体(4)的内部且发射方向可调，用于从所述开孔中心并垂直于所述开孔平面发射激光，以便校准所述极化天线(3)的方向；场强探头(7)，设置于所述屏蔽箱体(4)的内部并位于所述开孔的中心位置处，用于感应所述极化天线(3)发射的射频干扰信号的感应场强；导轨滑块组合体(8)，包括导轨(9)和滑块(10)，所述导轨(9)设置于所述全电波暗室(1)的内底部且位于所述屏蔽箱体(4)的外部，所述滑块(10)可滑动设置于所述导轨(9)上，所述极化天线(3)可滑动设置于所述导轨(9)上，所述导轨滑块组合体(8)用于固定所述极化天线(3)和调节所述极化天线(3)在水平方向上的位移；场强监测仪(11)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，并通过屏蔽线缆槽(15)与所述场强探头(7)电连接，用于显示和监测感应场强的大小；测试台(12)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，并通过屏蔽线缆槽(15)与所述IC试验板(5)电连接，用于监测所述受试IC(16)的工作状态并对根据所述工作状态对电磁辐射抗扰度进行评估。2.如权利要求1所述的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，其特征在于，还包括：控制计算机(17)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，分别与所述干扰信号发生单元(2)和所述场强监测仪(11)电连接，用于接收、处理和发送数据，以便控制抗扰度测试的过程。3.如权利要求2所述的一种集成电路电磁辐射抗扰度测试装置，其特征在于，所述干扰信号发生单元(2)包括：射频信号发生器(18)，设置于所述全电波暗室(1)的外部，用于产生射频干扰信号；功率放大器(19)，设置于所述全电波暗...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱赛，陈梅双，项道才，叶畅，陈世钢，崔强，王酣，张强，付君，蔡利花，李志鹏，
申请(专利权)人：中国电子技术标准化研究院，
类型：新型
国别省市：