半导体封装制造工艺用胶带及其制造方法技术

本发明专利技术涉及附着于形成有多个突出电极的半导体封装的下表面的半导体封装制造工艺用胶带，其包括：第一基膜；第一粘结层，层叠于上述第一基膜的上部，并包含丙烯酸类共聚物；第二基膜，层叠于上述第一粘结层的上部，并包含金属材料，以与上述半导体封装下表面的拓扑对应的方式改变形态后，保持工艺之间变形的形态；以及第二粘结层，层叠于上述第二基膜的上部，包含具有螺旋网状结构的硅。包含具有螺旋网状结构的硅。包含具有螺旋网状结构的硅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体封装制造工艺用胶带及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装制造工艺用胶带，更详细地，涉及如下的半导体封装制造工艺用胶带：当进行半导体封装的电磁干扰(EMI，Electro Magnetic Interference)屏蔽层形成工艺时，有效地保护半导体封装的下表面及形成于半导体封装的下表面的多个突出电极。

技术介绍

[0002]作为在半导体封装中执行与外部的端子接触的方式，在以往，广泛使用引脚网格阵列(PGA，Pin Grid Array)方式或引脚框架(Lead Frame)方式，但近来广泛使用球状网格阵列(BGA，Ball Grid Array)方式。
[0003]BGA方式通过利用在半导体封装的底面突出形成的多个突出电极，即，焊球(Solder Ball)来实现与外部的端子接触，相比于以往的PGA方式或引脚框架方式，可传递更多的信号。
[0004]BGA方式因这种特性，用作新一代高速存储器的主要封装类型，将限定于移动电话或数码相机等便携式信息通信设备的芯片级封装(CSP，Chip Scale Package)的使用领域扩张至个人计算机(PC)或工作台等的计算机领域。
[0005]另外，在如移动电话的移动领域中，为了增强终端的便携性，减少终端的大小的必要性增加，由此，为了减少终端的大小，减少在终端中所占比重相对大的印制电路板(PCB，Printed Circuit Board)的大小的必要性增加。
[0006]但是，若减少PCB的大小，则包括在PCB的半导体器件之间的间隔变窄，由此，不可避免地发生半导体器件相互之间的电磁波干扰引起的误差。为了抑制这种器件之间的电磁波干扰，研发及引入覆盖器件屏蔽用帽(CAP)的方法或通过电磁干扰溅射技术在器件的外表面形成屏蔽用金属涂敷的技术。其中，通过溅射的屏蔽用金属涂敷技术是指通过溅射工艺，向除半导体器件的联接端子之外的剩余外表面形成用于屏蔽电磁波的金属薄膜。
[0007]与此相关地，作为与进行用于BGA类型半导体封装的电磁波屏蔽的溅射工艺时不影响联接端子的方法相关的现有技术，公开了韩国授权专利公报第10
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1501735号(专利文献1)及韩国授权专利公报第10
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1662068号(专利文献2)。
[0008]专利文献1涉及半导体封装的电磁干扰屏蔽处理工艺，其特征在于，包括：胶带附着步骤，在框架的下表面附着胶带的边缘，在框架的内周形成胶带；胶带切割步骤，在上述胶带以规定间隔形成孔；半导体封装粘结设置步骤，将半导体封装的下表面边缘配置于胶带的上表面来将上述半导体封装以规定间隔粘结设置于胶带的上表面，使得形成于半导体封装的下表面的凸点插入于胶带的孔中；以及涂敷步骤，在上述胶带的上部进行涂敷作业来对粘结于胶带的上表面的半导体封装及胶带的上表面进行涂敷处理，由此，除半导体封装的下表面之外的5面进行涂敷。
[0009]但是，在专利文献1中公开的技术，在胶带中以规定间隔形成孔的胶带切割步骤中具有发生过多费用的风险，在半导体封装粘结设置步骤中，当未将半导体封装准确地配置
于胶带的孔时，在通过电磁干扰溅射进行屏蔽用金属涂敷时，具有薄膜不良沉积的问题。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献1：韩国授权专利公报第10
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1501735号(2015年03月05日授权)
[0012]专利文献2：韩国授权专利公报第10
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1662068号(2016年09月27日授权)

技术实现思路

[0013]技术问题
[0014]为解决前述的问题，本专利技术的目的在于，提供一种半导体封装制造工艺用胶带，其中，粘结特性、保持特性、分离特性及应力特性优秀，当进行配置有多个突出电极的半导体封装的电磁干扰屏蔽层形成工艺时，有效地保护半导体封装的下表面及形成于半导体封装的下表面的多个突出电极。
[0015]并且，本专利技术的目的在于，提供一种半导体封装制造工艺用胶带，其中，第一基膜包含塑料材料或金属材料，由此，当进行电磁干扰屏蔽层形成工艺时，与形成有多个突出电极的半导体封装下表面的拓扑对应，有效保持应力均衡，并容易确保半导体封装制造工艺用胶带所需的应力特性。
[0016]并且，本专利技术的目的在于，提供一种半导体封装制造工艺用胶带，其中，第一粘结层包含丙烯酸类共聚物来在高温下具有优秀的耐热性，由此减少脱气现象，适当支撑金属材料的第二基膜的形态变形，以防止第二基膜撕裂，并且，即使第二基膜被撕裂，很好地包围第二基膜来有效地保护多个突出电极，且第一粘结层具有强于第二粘结层的粘合力，在电磁干扰屏蔽层形成工艺结束后，当从半导体封装分离胶带时，在第二粘结层中分离。
[0017]并且，本专利技术的目的在于，提供一种半导体封装制造工艺用胶带，其中，第二基膜包含金属材料，由此，防止可在第一粘结层中产生的气泡传递至第二粘结层，由于充足的保持特性，当在半导体封装的下表面附着时，以与半导体封装下表面的拓扑对应的方式改变形态后，可保持工艺之间的变形的形态。
[0018]并且，本专利技术的目的在于，提供一种半导体封装制造工艺用胶带，其中，第二粘结层包含具有螺旋网状结构的硅，由此，在半导体封装的下表面与突出电极相接触的区域，向半导体封装与胶带之间赋予充足的粘结特性，即使产生孔隙，也可防止真空状态的制造工艺之间的孔隙过度膨胀。
[0019]技术方案
[0020]本专利技术实施例的半导体封装制造工艺用胶带附着于形成有多个突出电极的半导体封装的下表面，上述半导体封装制造工艺用胶带包括：第一基膜；第一粘结层，层叠于上述第一基膜的上部，并包含丙烯酸类共聚物；第二基膜，层叠于上述第一粘结层的上部，并包含金属材料，以与上述半导体封装下表面的拓扑对应的方式改变形态后，保持工艺之间的变形的形态；以及第二粘结层，层叠于上述第二基膜的上部，包含具有螺旋网状结构的硅。
[0021]在此情况下，优选地，上述第一基膜包含塑料材料或金属材料。
[0022]此时，优选地，上述第一基膜以聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate)、聚酰亚胺(polyimide)或聚烯烃(Polyolefin)中的一种的单层或层叠两种以上的多层结构形成，具有10μm至150μm范围的厚度。
[0023]并且，优选地，上述第一基膜包含至少99重量百分比以上的铝(Al)来具有4.8kgf/mm2至14.4kgf/mm2范围的拉伸强度、6.4％至19.2％范围的伸长率及20μm至80μm范围的厚度，或者包含至少99重量百分比以上的铜(Cu)来具有8kgf/mm2至31.2kgf/mm2范围的拉伸强度、3.2％至14.4％范围的伸长率及20μm至80μm范围的厚度。
[0024]另外，优选地，上述第一粘结层包含丙烯酸丁酯(Butyl acrylate)
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甲基丙烯酸丁酯(Butyl methacrylate)
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甲基丙烯酸(M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体封装制造工艺用胶带，其附着于形成有多个突出电极的半导体封装的下表面，其特征在于，包括：第一基膜；第一粘结层，层叠于上述第一基膜的上部，并包含丙烯酸类共聚物；第二基膜，层叠于上述第一粘结层的上部，并包含金属材料，以与上述半导体封装下表面的拓扑对应的方式改变形态后，保持工艺之间变形的形态；以及第二粘结层，层叠于上述第二基膜的上部，包含具有螺旋网状结构的硅。2.根据权利要求1所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一基膜包含塑料材料或金属材料。3.根据权利要求2所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一基膜以聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚烯烃中的一种的单层或层叠两种以上的多层结构形成，具有10μm至150μm范围的厚度。4.根据权利要求2所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一基膜包含至少99重量百分比以上的铝来具有4.8kgf/mm2至14.4kgf/mm2范围的拉伸强度、6.4％至19.2％范围的伸长率及20μm至80μm范围的厚度，或者包含至少99重量百分比以上的铜来具有8kgf/mm2至31.2kgf/mm2范围的拉伸强度、3.2％至14.4％范围的伸长率及20μm至80μm范围的厚度。5.根据权利要求1所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一粘结层包含丙烯酸丁酯
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甲基丙烯酸丁酯
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甲基丙烯酸
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甲基丙烯酸甲酯
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苯乙烯共聚物以及丙烯酸
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丙烯酸2
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乙基己酯
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甲基丙烯酸2
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乙基己酯
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甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物中的一种以上。6.根据权利要求5所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一粘结层通过将25重量份至30重量份的丙烯酸丁酯
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甲基丙烯酸丁酯
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甲基丙烯酸
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甲基丙烯酸甲酯
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苯乙烯共聚物、70重量份至75重量份的乙酸乙酯的第一粘合组合物及25重量份至30重量份的丙烯酸
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丙烯酸2
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乙基己酯
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甲基丙烯酸2
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乙基己酯
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甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物、50重量份至55重量份的甲苯、15重量份至20重量份的乙酸乙酯的第二粘合组合物中的一种以上与环氧固化剂相混合并涂敷在上述第一基膜后，进行干燥及固化来形成。7.根据权利要求6所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在于，上述第一粘结层通过将80重量份至120重量份的上述第一粘合组合物及0.5重量份至1.5重量份的上述环氧固化剂相混合并涂敷在上述第一基膜后，进行干燥及固化来形成。8.根据权利要求7所述的半导体封装制造工艺用胶带，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炳琏，李承烈，姜淑姬，尹坰柱，
申请(专利权)人：模度技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：