【技术实现步骤摘要】
将离子注入静电阱的设备和方法
[0001]本专利技术总体上涉及质谱法和质谱仪,更特别地,涉及静电阱质量分析器的操作和采用静电阱质量分析器的质谱仪系统的操作。
技术介绍
[0002]静电阱是一类离子光学设备,其中移动的离子在基本上静电场中经历多次反射或偏转。与RF场离子阱中的捕获不同,静电阱中的捕获仅可能用于移动离子。因此,需要高真空以确保在数据采集时间T
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内发生这种运动时,由于碰撞导致的离子能量损失最小。ORBITRAP
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质量分析器,其属于静电阱质量分析器类别,自2005年商业推出以来已被广泛认为是质谱分析的有用工具。简而言之,ORBITRAP
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质量分析器(可从美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的赛默飞世尔科技公司(Thermo Fisher Scientific of Waltham Massachusetts USA)购得)是一种由早期的Kingdon离子阱大幅改进的静电阱质量分析器。下面将进一步讨论图1A和图1B,图1A和图1B分别提供了ORBITRAP
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质谱仪系统和ORBITRAP
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质量分析器的各部分的示意图。图1A至1B所示类型的静电捕获质谱仪系统和质量分析器提供精确的质荷比(m/z)测量和高m/z分辨率,类似于用傅立叶变换离子回旋共振(FT
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ICR)质谱仪可实现的,而不需要高强度磁体。ORBITRAP
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质量分析器和采用这种质量分析器的质谱仪的结构和操作细节在Makaro ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,所述方法包含:将由离子源生成的离子流的一部分作为第一离子包存储在所述质谱仪系统的离子存储设备内;将存储的第一离子包通过一组静电透镜转移到静电阱质量分析器中,其中,在将所述第一离子包转移到所述静电阱质量分析器中期间,所述静电透镜以第一操作模式操作,或者将具有第一预定量值的注入电压施加到所述质量分析器的电极;使用所述静电阱质量分析器对所述第一离子包进行质量分析;将所述离子流的第二部分作为第二离子包存储在所述离子存储设备内;将存储的第二离子包通过所述一组静电透镜转移到所述静电阱质量分析器中,其中在将所述第二离子包转移到所述静电阱质量分析器中期间,所述静电透镜以第二操作模式操作,或者将具有第二预定量值的注入电压施加到所述质量分析器的电极;以及使用所述静电阱质量分析器对所述第二离子包进行质量分析。2.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述静电透镜的操作模式从所述第一操作模式改变到所述第二操作模式或所述注入电压从所述第一预定量值改变到所述第二预定量值使得相对于由对所述第一离子包进行所述质量分析所生成的第一质谱,由对所述第二离子包进行所述质量分析所生成的第二质谱中的质谱峰的聚结减少。3.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述静电透镜的所述操作模式从所述第一操作模式改变到所述第二操作模式或所述注入电压从所述第一预定量值改变到所述第二预定量值使得相对于由对所述第一离子包进行所述质量分析所生成的第一质谱,由对所述第二离子包进行所述质量分析所生成的第二质谱中的质谱峰的分辨率提高或者信噪比改善。4.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中响应于所述第一离子包与所述第二离子包的离子群体大小之间的差异,将所述静电透镜的所述操作模式从所述第一操作模式改变到所述第二操作模式或将所述注入电压从所述第一预定量值改变到所述第二预定量值。5.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述静电透镜的所述操作模式从所述第一操作模式改变到所述第二操作模式包含改变施加到透镜电极的至少一个电压。6.根据权利要求5所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述改变所述至少一个电压引起离子聚焦位置相对于所述静电阱质量分析器的离子入口孔移位。7.根据权利要求5所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述改变所述至少一个电压包含改变施加到DC四极透镜的至少一个电压。8.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述静电透镜的所述操作模式从所述第一操作模式改变到所述第二操作模式包含改变透镜电极的位置。9.根据权利要求8所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中所述改变所述透镜位置引起离子聚焦位置相对于所述静电阱质量分析器的离子入口孔移
位。10.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中:第一注入电压和第二注入电压都施加到静电阱的中央心轴电极,并且具有吸引所述第一离子包和所述第二离子包中的离子的极性;并且所述注入电压从所述第一预定量值改变到所述第二预定量值包含相对于所述第一注入电压的量值增加所述第二注入电压的量值,以便使得相对于由对所述第一离子包进行所述质量分析所生成的第一质谱,由对所述第二离子包进行所述质量分析所生成的第二质谱中的质谱峰的聚结减少。11.根据权利要求1所述的用于操作包含静电阱质量分析器的质谱仪系统的方法,其中:所述第一注入电压和所述第二注入电压都施加到静电阱的中央心轴电极,并且具有吸引所述第一离子包和所述第二离子包中的离子的极性;并且所述注入电压从所述第一预定量值改变到所述第二预定量值包含相对于所述第一注入电压的量值减小所述第二注入电压的量值,以便相对于所述静电阱质量分析器的分析室内所述...
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