基片处理装置和静电吸盘制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置和静电吸盘。基片处理装置包括腔室、基片支承部和至少1个控制阀，所述基片支承部配置在所述腔室内，具有至少1个第1气体供给路径，所述基片支承部具有基座和配置在所述基座上的具有上表面的静电吸盘，所述上表面具有多个突起和第1环状槽组，所述第1环状槽组包含第1内侧环状槽、第1中间环状槽和第1外侧环状槽，所述第1内侧环状槽、所述第1中间环状槽和所述第1外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第1气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。根据本发明专利技术，能够适当地控制基片的温度，提高基片面内的等离子体处理的均匀性。提高基片面内的等离子体处理的均匀性。提高基片面内的等离子体处理的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和静电吸盘


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和静电吸盘。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了静电吸盘具有位于吸盘表面上的多个密闭带。多个密闭带与基片接触而在相邻的冷却带之间形成密闭。
[0003]在专利文献2中公开了在静电吸盘的基片保持面设置有环状地包围最外周的外周环。外周环在将基片载置于基片保持面时与基片接触。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2020
‑
512692号公报。
[0007]专利文献2：日本特开2006
‑
257495号公报。

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本专利技术的技术是适当地控制基片的温度，提高基片面内的等离子体处理的均匀性。
[0010]用于解决问题的技术手段
[0011]本专利技术的一方式包括腔室、基片支承部和至少1个控制阀，所述基片支承部配置在所述腔室内，具有至少1个第1气体供给路径，所述基片支承部具有基座和配置在所述基座上的具有上表面的静电吸盘，所述上表面具有多个突起和第1环状槽组，所述第1环状槽组包含第1内侧环状槽、第1中间环状槽和第1外侧环状槽，所述第1内侧环状槽、所述第1中间环状槽和所述第1外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第1气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术，能够适当地控制基片的温度，提高基片面内的等离子体处理的均匀性。
附图说明
[0014]图1是示意性地表示等离子体处理系统的结构的说明图。
[0015]图2是表示等离子体处理装置的概略结构的纵截面图。
[0016]图3是表示静电吸盘的概略结构的俯视图。
[0017]图4是表示静电吸盘的一部分结构的概略的俯视图。
[0018]图5是表示静电吸盘的概略结构的纵截面图。
[0019]图6是表示环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0020]图7是表示第1环状槽组的概略结构的俯视图。
[0021]图8是表示第2环状槽组的概略结构的俯视图。
[0022]图9是表示第3环状槽组的概略结构的俯视图。
[0023]图10是表示环状槽的功能的说明图。
[0024]图11是表示比较例中的实验结果(传热空间的压力)的曲线图。
[0025]图12是表示本实施方式的实验结果(传热空间的压力)的曲线图。
[0026]图13是表示比较例中的实验结果(基片的温度)的曲线图。
[0027]图14是表示本实施方式中的实验结果(基片的温度)的曲线图。
[0028]图15是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0029]图16是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0030]图17是表示另一实施方式的环状槽的概略结构的俯视图。
[0031]图18是表示另一实施方式的环状槽的概略结构的俯视图。
[0032]图19是表示另一实施方式的环状槽的概略结构的俯视图。
[0033]图20是表示另一实施方式的环状槽的概略结构的俯视图。
[0034]图21是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0035]图22是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的俯视图。
[0036]图23是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0037]图24是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的俯视图。
[0038]图25是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的俯视图。
[0039]图26是表示另一实施方式的环状槽周边的概略结构的纵截面图。
[0040]图27是表示另一实施方式的静电吸盘的一部分结构的概略的俯视图。
[0041]附图标记说明
[0042]1ꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理装置
[0043]10
ꢀꢀꢀ
等离子体处理腔室
[0044]11
ꢀꢀꢀ
基片支承部
[0045]113
ꢀꢀ
基座
[0046]114
ꢀꢀ
静电吸盘
[0047]210
ꢀꢀ
基片接触部
[0048]220a 第1内侧环状槽
[0049]220b 第1中间环状槽
[0050]220c 第1外侧环状槽
[0051]231a 第1传热气体供给路径
[0052]233a 第1控制阀
[0053]G1
ꢀꢀꢀ
第1环状槽组
具体实施方式
[0054]在半导体器件的制造工序中，例如在等离子体处理装置中对半导体基片(以下，称为“基片”)进行等离子体处理。在等离子体处理装置中，通过在腔室的内部使处理气体激发而生成等离子体，利用该等离子体对支承于静电吸盘的基片进行处理。
[0055]在等离子体处理中，为了提高对基片进行的等离子体处理的面内均匀性，要求适当地控制处理对象的基片的温度。因此，例如向基片的背面与静电吸盘的表面之间的空间供给氦气等传热气体，通过控制该传热气体的压力来控制基片的温度。
[0056]另外，近年来，为了应对基片的温度控制的进一步的高精度化，将上述基片的背面与静电吸盘的表面的空间划分为多个区域，在区域间设置传热气体的压力差，由此对每个区域控制基片的温度。现有技术中，为了对每个区域控制传热气体的压力，例如在静电吸盘的表面设置被称为所谓的密封带的、与基片的背面直接接触的分隔件。例如，在上述的专利文献1中，公开了在静电吸盘的表面设置有多个密闭带作为密封带的结构。另外，在上述的专利文献2中记载了，也可以在静电吸盘的表面，在最外周的外周环的内侧设置内周环。
[0057]然而，由于密封带与基片的背面直接接触，所以接触部分成为局部的温度特异点。具体而言，在接触部分向基片传热，该接触部分的基片的温度降低。基片的温度特异点带来等离子体处理的速率影响，其结果是，存在等离子体处理在基片面内不均匀地进行的情况。因此，在现有技术的等离子体处理中存在改善的余地。
[0058]本专利技术的技术是鉴于上述情况而完成的，适当地控制基片的温度，提高基片面内的等离子体处理的均匀性。以下，参照附图，对本实施方式的等离子体处理装置和静电吸盘进行说明。注意，在本说明书和附图中，用相同的附图标记表示具有实质上相同的功能结构的元件，并且省略对这些元件的重复说明。
[0059]＜等离子体处理系统＞
[0060]首先，用图1对一个实施方式的等离子体处理系统进行说明。图1是示意性地表示等离子体处理系统的结构的说明图。
[0061]在一个实施方式中，等离子体处理系统包括作为基片处理装置的等离子体处理装置1和控制部2。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于：包括腔室、基片支承部和至少1个控制阀，所述基片支承部配置在所述腔室内，具有至少1个第1气体供给路径，所述基片支承部具有基座和配置在所述基座上的具有上表面的静电吸盘，所述上表面具有多个突起和第1环状槽组，所述第1环状槽组包含第1内侧环状槽、第1中间环状槽和第1外侧环状槽，所述第1内侧环状槽、所述第1中间环状槽和所述第1外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第1气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片支承部还具有至少1个第2气体供给路径，所述静电吸盘的所述上表面还具有包围所述第1环状槽组的第2环状槽组，所述第2环状槽组包含第2内侧环状槽、第2中间环状槽和第2外侧环状槽，所述第2内侧环状槽、所述第2中间环状槽和所述第2外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第2气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径和所述至少1个第2气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述至少1个控制阀包括：第1控制阀，其构成为能够独立地对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制；和第2控制阀，其构成为能够独立地对经由所述至少1个第2气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。4.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片支承部还具有至少1个第3气体供给路径，所述静电吸盘的所述上表面还具有包围所述第2环状槽组的第3环状槽组，所述第3环状槽组包含第3内侧环状槽和第3外侧环状槽，所述第3内侧环状槽和所述第3外侧环状槽中的任意者与所述至少1个第3气体供给路径连通，所述至少1个控制阀构成为能够对经由所述至少1个第1气体供给路径、所述至少1个第2气体供给路径和所述至少1个第3气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制。5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述至少1个控制阀包含：第1控制阀，其构成为能够独立地对经由所述至少1个第1气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制；第2控制阀，其构成为能够独立地对经由所述至少1个第2气体供给路径供给的气体的流量或压力进行控制；和第3控制阀，其构成为能够独立地对经由所述至少1个第3气体供给路径供给的气体的
流量或压力进行控制。6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1环状槽组、所述第2环状槽组和所述第3环状槽组具有圆形形状。7.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1环状槽组和所述第2环状槽组具有多边形形状。8.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1环状槽组和所述第2环状槽组具有中心非对称的形状。9.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述第1内侧环状槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：大槻兴平，山口伸，佐竹大辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：