配备聚焦环的基板处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术的基板处理装置，可以包括：腔室，用于执行处理工程；卡盘，安装在腔室内部，用于对所述晶圆进行支撑；以及，聚焦环，与所述卡盘的边缘相向。本发明专利技术的基板处理方法，可以包括：第一工程，用于执行对晶圆的工程；以及，第二工程，用于执行对聚焦环的工程。用于执行对聚焦环的工程。用于执行对聚焦环的工程。

【技术实现步骤摘要】
配备聚焦环的基板处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及一种用于防止在半导体工程中使用的聚焦环发生腐蚀的基板处理装置及方法。

技术介绍

[0002]半导体整体工程大体上可以包括用于形成电路图案的曝光、蚀刻、净化以及沉积工程。蚀刻是对通过曝光沉积的薄膜进行雕刻的工程，最近伴随着电路图案的精细化，对蚀刻精度的要求也变得越来越高，因此原子层蚀刻(ALE：Atomic Layer Etching)以及原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)作为发展前景良好的半导体生产相关技术而备受人们的关注。

技术实现思路

[0003]技术课题
[0004]可以配备用于在蚀刻或蚀刻以及净化工程之后将源气体或反应气体集中到晶圆上的聚焦环(Focus ring)(或边缘换(Edge ring))。但是蚀刻工程的蚀刻气体中所包含的化学物质可能会对聚焦环造成腐蚀并因此降低其耐久性，从而进一步导致如工程经时变化以及设备运行率下降等问题。
[0005]因此，本专利技术涉及一种可以提升所述聚焦环的耐久性的基板处理装置及方法。
[0006]技术方案
[0007]本专利技术的基板处理装置，可以包括：腔室，用于执行处理工程；卡盘，安装在腔室内部，用于对所述晶圆进行支撑；以及，聚焦环，与所述卡盘的边缘相向。
[0008]处理工程，可以包括：第一工程，用于执行对所述晶圆的工程；以及，第二工程，用于执行对所述聚焦环的工程。
[0009]本专利技术的基板处理方法，可以包括：第一工程，用于执行对晶圆的工程；以及，第二工程，用于执行对聚焦环的工程。
[0010]可以在第一工程之后执行所述第二工程，而在第一工程以及第二工程之间可以追加执行用于对所述第一工程的副产物进行去除或对聚合物性颗粒进行去除的净化工程。
[0011]专利技术效果
[0012]在为了执行处理工程而将晶圆安置到卡盘上时，借助于对晶圆的边缘进行围绕的形状的聚焦环，可以保护卡盘的上部面、侧面一部分以及形成聚焦环的结合部的上侧面免受腔室内部的等离子体环境的影像。
[0013]可以执行用于执行对晶圆的工程的第一工程以及用于执行对聚焦环的工程的第二工程，在第一工程之后执行所述第二工程，而在第一工程以及第二工程之间可以追加执行用于对所述第一工程的副产物进行去除或对聚合物性颗粒进行去除的净化工程。
[0014]作为第二工程的一实施例，第一工程可以是蚀刻工程，第一工程可以包含蚀刻气体，而蚀刻气体可以包含第一化学物质，在第二工程中可以向聚焦环供应用于防止因为第
一化学物质而导致所述聚焦环发生腐蚀的第二化学物质，在第二化学物质与所述第一化学物质发生反应而生成第三化学物质时，第一化学物质可以是氟(F)，而第二化学物质可以是硅(Si)。
[0015]作为第二工程的另一实施例，在晶圆的沉积膜是通过原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)方式形成时，在第二工程中向聚焦环供应的第二化学物质可以与所述原子层沉积(ALD)前驱体相同，而且在供应所述第二化学物质之后，可以追加执行供应用于在所述聚焦环中形成与晶圆的沉积膜相同的追加膜的反应气体或吹扫气体中的至少一个的工程。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的聚焦环以及卡盘的平面图，图1中的(a)是聚焦环与卡盘结合之前的状态的平面图，而(b)是聚焦环与卡盘结合的状态的平面图。
[0017]图2是本专利技术的基板处理方法的顺序图。
[0018]图3是本专利技术的基板处理装置的概要性说明图。
[0019]图4是本专利技术的聚焦环以及卡盘的实施例。
[0020]符号说明
[0021]10：腔室，100：卡盘，120：安置部，140：下部电极，200：聚焦环，300：结合部，S100：第一工程，S200：第二工程，S300：净化工程。
具体实施方式
[0022]本专利技术作为半导体制造工程的一部分工程，可以包括蚀刻(Etching)、净化(Cleaning)以及沉积(Deposition)工程中的至少一个。
[0023]在本专利技术的晶圆中沉积膜的方法，可以包括原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)，也可以是等离子体强化原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，PEALD)，因为等离子体强化原子层沉积(PEALD)可以在较低的温度下形成薄膜，因此最近被广泛适用于半导体工程。
[0024]作为本专利技术的一实施例，在等离子体强化原子层沉积(PEALD)中，执行工程的腔室10内的等离子体生成方式可以是电感耦合等离子体(Inductively coupled plasma，ICP)方式或电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，CCP)方式。
[0025]等离子体可以由带电粒子构成，而且等离子体可以通过对如电场以及磁场等变量进行调节而轻易地对等离子体内的电子、离子、质子以及活性物质等进行控制，并大幅提升等离子体化的源气体或反应气体的反应性。在接下来的内容中，等离子体可以是包含反应性得到提升的离子的基团或等离子体化的气体的含义。
[0026]本专利技术可以包括用于执行对晶圆的处理工程的腔室10以及可以在工程期间内对晶圆进行支撑的卡盘(chuck)100。
[0027]在卡盘100中可以配备可供晶圆安置的安置部120，而且可以配备可供聚焦环200(Focus ring)结合的结合部300。
[0028]卡盘100可以是利用静电力对晶圆进行固定的静电卡盘100(Electro Static Chuck，ESC)。静电卡盘100可以在与晶圆的整体接触面上借助于均匀的静电力作用对晶圆
进行固定，而且可以维持晶圆表面的平整度，还可以通过使晶圆与静电卡盘ESC表面整体紧密接触而有效地对晶圆的热量进行释放并借此轻易地实现温度调节。
[0029]在静电卡盘100中可以配备用于生成静电的下部电极140。在向下部电极140加载电压时，在晶圆上也将感应生成与下部电极140相反的电荷，从而即使是在没有如夹钳等机械固定装置的情况下，也可以将晶圆固定到卡盘100上。
[0030]在将晶圆安置到安置部120时，聚焦环200可以位于晶圆的外部，从而在工程过程中对晶圆的移动进行限制。借此，可以使得腔室10内的等离子体状态的离子与晶圆上侧面发生碰撞，而且在执行蚀刻工程的干燥蚀刻中更为有效。
[0031]聚焦环200可以是对晶圆的边缘进行围绕的边缘环(edge ring)形状，只要是可以起到在本说明书中进行说明的等离子体集中、静电卡盘100防腐蚀等作用的部件就可以不受限制地使用。
[0032]本专利技术的陈集工程可以包括原子层沉积(ALD)或等离子体强化原子层沉积(PE
‑
ALD)，蚀刻工程可以包括原子层蚀刻(Atomic Layer Etching，ALE)。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，用于执行处理工程；卡盘，安装在所述腔室内部，用于对晶圆进行支撑；以及，聚焦环，与所述卡盘的边缘相向；所述处理工程，包括：第一工程，用于执行对所述晶圆的工程；以及，第二工程，用于执行对所述聚焦环的工程。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一工程中，向所述晶圆喷射蚀刻气体，在所述第二工程中，向所述腔室内部供应用于防止所述聚焦环因为所述蚀刻气体而发生腐蚀的第二化学物质，供应到所述腔室内部的所述第二化学物质被供应到暴露于腔室内部的所述聚焦环上。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一工程以及第二工程之间，追加执行用于去除所属第一工程额副产物或去除聚合物性颗粒的净化工程。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一工程为蚀刻工程，在所述第一工程中向所述腔室供应蚀刻气体，所述蚀刻气体包含第一化学物质，在所述第二工程中，将通过与所述第一化学物质发生反应而生成第三化学物质的第二化学物质供应到所述聚焦环中。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一化学物质为氟，所述第二化学物质为硅。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，通过原子层沉积工程在所述晶圆上层叠沉积膜，在所述第一工程中，向所述晶圆喷射用于对所述沉积膜进行蚀刻的蚀刻气体，在所述第二工程中，向所述聚焦环供应用于防止所述聚焦环因为所述蚀刻气体而发生腐蚀的第二化学物质，所述第二化学物质为所述晶圆的原子层沉积工程的原子层沉积前驱体，在向所述聚焦环供应所述原子层沉积前驱体之后，追加执行为了在所述聚焦环上形成追加膜而供应反应气体或吹扫气体中的至少一个的工程，所述追加膜的成分与在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李白朱，徐东源，
申请(专利权)人：韩华株式会社，
类型：发明
国别省市：