一种复合结构的高磁场磁路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种复合结构的高磁场磁路，设有中空结构的环形磁路体，所述环形磁路体由上下紧贴固定的上导磁层和下导磁层组成，所述环形磁路体内侧设有与下导磁层对齐的铁芯，所述铁芯表面设有多个交错分布的磁铁块和连接件。采用了上导磁层和下导磁层组成的复合型环形磁路体，复合结构的环形磁路体通过改变磁力线从而改变磁场的结构，进一步强化了镀膜表面的场强，促进了靶材表面镀膜效果更均匀，提高了靶材的利用率。提高了靶材的利用率。提高了靶材的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种复合结构的高磁场磁路


[0001]本技术涉及真空镀膜加工
，具体为一种复合结构的高磁场磁路。

技术介绍

[0002]真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面，它是以真空技术为基础，利用物理或化学方法，并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术，为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。在真空中，把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射，使其在被涂覆的物体(称基板、基片或基体)上凝固并沉积。
[0003]真空镀膜就是电子在电磁场的作用下飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子沉积在基片上成膜。传统对磁环的结构较多采用一体成型的结构，这样电磁场的场强效果较弱，没办法满足镀膜的要求，也造成了靶材的利用率低。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术方案的不足，本技术提供一种复合结构的高磁场磁路，能有效的解决
技术介绍
提出的问题。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种复合结构的高磁场磁路，设有中空结构的环形磁路体，所述环形磁路体由上下紧贴固定的上导磁层和下导磁层组成，所述环形磁路体内侧设有与下导磁层对齐的铁芯，所述铁芯表面设有多个交错分布的磁铁块和连接件。
[0007]进一步地，所述下导磁层内侧开口面积小于上导磁层内侧开口面积。
[0008]进一步地，所述铁芯四周与下导磁层内侧留有空隙，并通过两侧的连接条固定。
[0009]进一步地，所述磁铁块和连接件朝向上导磁层一端，并且低于上导磁层顶部水平高度。
[0010]进一步地，所述连接件为可拆卸结构。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]本技术采用了上导磁层和下导磁层组成的复合型环形磁路体，复合结构的环形磁路体通过改变磁力线从而改变磁场的结构，进一步强化了镀膜表面的场强，促进了磁铁表面镀膜效果更均匀，提高了靶材的利用率，整体结构简单，实用性强。
附图说明
[0013]图1为本技术内部结构示意图。
[0014]图中标号：
[0015]1‑
环形磁路体，2
‑
铁芯，3
‑
磁铁块，4
‑
连接件，5
‑
连接条；
[0016]101
‑
上导磁层，102
‑
下导磁层。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]如图1所示，本技术提供了一种复合结构的高磁场磁路，设有中空结构的环形磁路体1，所述环形磁路体1由上下紧贴固定的上导磁层101和下导磁层102组成，所述环形磁路体1内侧设有与下导磁层102对齐的铁芯2，所述铁芯2表面设有多个交错分布的磁铁块3和连接件4，具体地，环形磁路体1从传统一体成型的结构转换成由上导磁层101和下导磁层102组成的复合结构，上导磁层101和下导磁层102可以为同种材质，也可以为不同的材质，包括且不仅限于磁铁材质和其它一些导磁材质，通常上导磁层101采用磁铁材质，而下导磁层102则采用磁屑材质，两者形成复合材质的结构，此时，连接条5可以是上导磁层101和下导磁层102两者材质中的一种，也可以直接采用磁铁代替使用，通过上导磁层101和下导磁层102这样的复合结构和连接条5，改变了镀膜时内部的磁力线，从而改变磁场的结构，达到了加强镀膜表面场强的效果，从而使得耙材3表面镀膜更均匀，提高耙材5的利用率。
[0019]所述下导磁层102内侧开口面积小于上导磁层101内侧开口面积，下导磁层102内部设有凸起的部分，方便与内部铁芯2连接。
[0020]所述铁芯2四周与下导磁层102内侧留有空隙，并通过两侧的连接条5 固定，可以让铁芯2完全置于环形磁路体1的磁场中。
[0021]所述磁铁块3和连接件4朝向上导磁层101一端，并且低于上导磁层101 顶部水平高度，尽量让磁铁块3置于环形磁路体1四周磁场内部，提高其镀膜的效果。
[0022]所述连接件4为可拆卸结构，连接件4拆卸后可以在内部放置并固定不同大小的磁铁块3镀膜加工处理，灵活性更好。
[0023]与传统技术相比，本技术方案采用了上导磁层101和下导磁层102组成的复合型环形磁路体1，复合结构的环形磁路体1与连接条5结合后，改变了镀膜时内部的磁力线，强化了镀膜表面的场强，使内部磁场的形貌更平缓，提高溅射靶材的效果，提高了靶材的利用率。
[0024]使用时，复合结构的环形磁路体1与连接条5结合后，在镀膜的过程中，改变了内部磁场线，进一步强化了四周的磁场效果，然后通过磁场溅射靶材，完成靶材表面的镀膜效果。
[0025]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合结构的高磁场磁路，其特征在于：设有中空结构的环形磁路体，所述环形磁路体由上下紧贴固定的上导磁层和下导磁层组成，所述环形磁路体内侧设有与下导磁层对齐的铁芯，所述铁芯表面设有多个交错分布的磁铁块和连接件。2.根据权利要求1所述的一种复合结构的高磁场磁路，其特征在于：所述下导磁层内侧开口面积小于上导磁层内侧开口面积。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：高卫民，马续航，胡青莲，
申请(专利权)人：深圳市新普真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：