半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部；于所述突出部相对的侧壁形成保护结构。通过在基底内形成初始浅沟槽隔离结构，初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部，通过在突出部相对的侧壁形成保护结构，在后续需要对初始浅沟槽隔离结构进行处理以获得浅沟槽隔离结构时，保护结构可以帮助半导体结构免于形成凹坑，进而可以对浅沟槽隔离结构进行保护，以使半导体结构的栅极不会受到破坏造成漏电等异常，避免半导体器件产生双峰效应。应。应。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体工艺制程和半导体结构的相关技术或产品也在不断改进。
[0003]一般的半导体结构制备过程中，形成浅沟槽隔离结构后需要对表面氧化层去除，去除氧化层的过程中会在浅沟槽隔离结构上表面的边缘区域产生凹坑（Divot），凹坑会对栅极电场造成不良影响（譬如造成栅极漏电），使得半导体器件产生双峰效应(Double－Hump)而失效。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部；于所述突出部相对的侧壁形成保护结构。
[0006]上述半导体结构的制备方法，通过在基底内形成初始浅沟槽隔离结构，初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部，通过在突出部相对的侧壁形成保护结构，在后续需要对初始浅沟槽隔离结构进行处理以获得浅沟槽隔离结构时，保护结构可以帮助半导体结构免于形成凹坑，进而可以对浅沟槽隔离结构进行保护，以使半导体结构的栅极不会受到破坏造成漏电等异常，避免半导体器件产生双峰效应。
[0007]在其中一个实施例中，于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，包括：于所述基底的表面形成覆盖介质层；于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成图形化硬掩膜层，所述图形化硬掩膜层具有开口；基于所述图形化硬掩膜层刻蚀所述覆盖介质层及所述基底，以形成浅沟槽；于所述开口内及所述浅沟槽内形成初始浅沟槽隔离结构；去除所述图形化硬掩膜层。
[0008]在其中一个实施例中，于所述基底的表面形成覆盖介质层包括：于所述基底的表面形成氧化硅层作为所述覆盖介质层。
[0009]在其中一个实施例中，于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成图形化硬掩膜层包括：于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成氮化硅层作为所述图形化硬掩膜层。
[0010]在其中一个实施例中，于所述突出部相对的侧壁形成保护结构之后，还包括：
去除部分所述覆盖介质层及所述保护结构，以得到所述浅沟槽隔离结构。
[0011]在其中一个实施例中，于所述突出部相对的侧壁形成保护结构，包括：形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖于所述基底上及所述突出部的顶部；形成牺牲介质层，所述牺牲介质层覆盖所述刻蚀停止层的上表面及所述突出部的侧壁；去除位于所述刻蚀停止层上表面的所述牺牲介质层，以裸露出所述刻蚀停止层；所述突出部侧壁保留有部分牺牲介质层作为第一保护层；去除裸露的所述刻蚀停止层，保留于所述第一保护层下方的所述刻蚀停止层作为第二保护层，所述第二保护层与所述第一保护层共同构成所述保护结构。
[0012]在其中一个实施例中，形成刻蚀停止层包括：形成氮化硅层作为所述刻蚀停止层；形成牺牲介质层包括：形成氧化硅层作为所述牺牲介质层。
[0013]本申请还提供一种半导体结构，包括：基底；初始浅沟槽隔离结构，位于所述基底内，所述初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部；保护结构，位于所述突出部相对的侧壁。
[0014]上述半导体结构中，初始浅沟槽隔离结构位于基底内，初始浅沟槽隔离结构具有凸出于基底的突出部，保护结构位于所述突出部相对的侧壁，通过在突出部相对的侧壁形成保护结构，在后续需要对初始浅沟槽隔离结构进行处理以获得浅沟槽隔离结构时，保护结构可以帮助半导体结构免于形成凹坑，进而可以对浅沟槽隔离结构进行保护，以使半导体结构的栅极不会受到破坏造成漏电等异常，避免半导体器件产生双峰效应。
[0015]在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括覆盖介质层，所述覆盖介质层位于所述基底的上表面；所述保护结构位于所述覆盖介质层的上表面。
[0016]在其中一个实施例中，所述保护结构包括第一保护层及第二保护层，所述第二保护层位于所述覆盖介质层的上表面，所述第一保护层位于所述第二保护层的上表面。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为一实施例中提供的常规半导体器件产生凹坑时的截面结构示意图；图2为一实施例中提供的常规半导体器件产生双峰效应时的栅极电压
‑
漏极电流的曲线示意图，其中DH是指产生双峰效应的阶段的曲线；图3为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的步骤流程图；图4为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S101所得结构的截面结构图；图5为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S102的流程图；图6为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1021所得结构的截面
结构图；图7为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1022所得结构的截面结构图；图8为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1023所得结构的截面结构图；图9为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1024所得结构的截面结构图；图10为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1025所得结构的截面结构图；图11为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S103的流程图；图12为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1031所得结构的截面结构图；图13为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1032所得结构的截面结构图；图14为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1033所得结构的截面结构图；图15为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤S1034所得结构的截面结构图；图16为一个实施例中提供的半导体结构的制备方法中去除部分覆盖介质层及保护结构，以得到浅沟槽隔离结构的步骤所得结构的截面结构图；图17为一个实施例中提供的凹坑改善后的半导体结构的栅极电压
‑
漏极电流的曲线示意图。
[0019]附图标记说明：1、基底；2、图形化硬掩膜层；21、开口；3、初始浅沟槽隔离结构；31、浅沟槽；4、覆盖介质层；5、刻蚀停止层；6、牺牲介质层；7、浅沟槽隔离结构；71、凹坑；8、保护结构；81、第一保护层；82、第二保护层。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构具有凸出于所述基底的突出部；于所述突出部相对的侧壁形成保护结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构，包括：于所述基底的表面形成覆盖介质层；于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成图形化硬掩膜层，所述图形化硬掩膜层具有开口；基于所述图形化硬掩膜层刻蚀所述覆盖介质层及所述基底，以形成浅沟槽；于所述开口内及所述浅沟槽内形成初始浅沟槽隔离结构；去除所述图形化硬掩膜层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底的表面形成覆盖介质层包括：于所述基底的表面形成氧化硅层作为所述覆盖介质层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成图形化硬掩膜层包括：于所述覆盖介质层远离所述基底的表面形成氮化硅层作为所述图形化硬掩膜层。5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述突出部相对的侧壁形成保护结构之后，还包括：去除部分所述覆盖介质层及所述保护结构，以得到所述浅沟槽隔离结构。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述突出...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶本飞，郭廷晃，林智伟，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：