同步曝光的红/绿像素及改进的调制传递函数制造技术

本发明专利技术说明一种用于检测红光和蓝光的单个像素。该像素包括一形成在一Ｐ型外延硅基片上的深Ｎ型井。许多Ｐ型井形成在深Ｎ型井中。这些Ｐ型井的使用改进了调制传递函数。该深Ｎ型井的深度大约等于由红光产生在硅片中的空穴电子对的深度。而Ｐ型井的深度大约等于由绿光产生在硅片中的空穴电子对的深度。通过确定在Ｐ型井和深Ｎ型井被隔离时一个电荷积累循环后每个Ｐ型井和深Ｎ型井之间的电位在每个Ｐ型井中确定红／绿信号。通过确定在Ｐ型井被隔离且深Ｎ型井保持在固定的正电压时一个电荷积累循环后每个Ｐ型井和深Ｎ型井之间的电位在每个Ｐ型井中确定绿信号。每个Ｐ型井中的红信号通过从每个Ｐ型井中的红／绿信号中减去该Ｐ型井中的绿信号被确定。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种从主动像素传感器提取红和绿信号的方法，包括：提供一个像素，其包括一个Ｐ型硅基片，一个形成于所述基片中的深Ｎ型井，许多形成于所述深Ｎ型井中的Ｐ型井，形成于每个所述Ｐ型井中的Ｎ↑［＋］区，形成于所述深Ｎ型井中的Ｐ↑［＋］区，其中所述深Ｎ型井具有大约等于由红光产生在硅片中的空穴电子对深度的第一深度，而每个所述Ｐ型井具有一个大约等于由绿光产生在硅片中的空穴电子对深度的第二深度；复位每个所述Ｐ型井和所述基片之间的电位为一个第一电压并复位所述深Ｎ型井和所述基片之间的电位为一个第二电压、在每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的ＰＮ结处积累电荷、确定每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的电位，然后，电隔离所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井，其中，每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的电位在每个所述Ｐ型井处提供一个红／绿信号；复位每个所述Ｐ型井和所述基片之间的电位为所述第一电压并复位所述深Ｎ型井和所述基片之间的电位为所述第二电压、在每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的ＰＮ结处积累电荷、并且确定每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的电位，然后，电隔离所述Ｐ型井并将所述深Ｎ型井维持在一个第三电压，其中，每个所述Ｐ型井和所述深Ｎ型井之间的电位在每个所述Ｐ型井处提供一个绿信号；以及通过从每个所述Ｐ型井处的所述红／绿信号中减去在那个所述Ｐ型井处所述绿信号来确定每个所述Ｐ型井处的红信号。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：塔纳多斯洛格鲁，迈克尔H布里尔，
申请(专利权)人：戴洛格半导体公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]