工艺机台以及半导体组件的制造方法技术

在一些实施例中，本公开涉及工艺机台，其包括界定工艺腔的腔室壳体。工艺腔内有晶圆卡盘，晶圆卡盘配置为容置衬底。此外，钟罩结构设置在晶圆卡盘之上，使得钟罩结构的开口面向晶圆卡盘。等离子体线圈安置在钟罩结构之上。氧气源耦合到工艺腔并配置为将氧气输送到工艺腔。腔。腔。

【技术实现步骤摘要】
工艺机台以及半导体组件的制造方法


[0001]本公开实施例是涉及工艺机台以及半导体的工艺方法。

技术介绍

[0002]半导体组件制造是用于建构日常电子组件中存在的集成电路的过程。制造过程是光刻和化学处理步骤的多步骤程序，在此期间，在由半导体材料组成的晶圆上逐渐建构电子电路。在光刻和化学处理步骤之间，可以使用清洁工艺去除任何污染物颗粒，以减少集成电路中的物理和电性缺陷。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提出一种工艺机台，包括：腔室壳体，界定工艺腔；晶圆卡盘，设置在所述工艺腔内并配置为容置衬底；钟罩结构，安置在所述晶圆卡盘之上，其中所述钟罩结构的开口面向所述晶圆卡盘；等离子体线圈，安置在所述钟罩结构之上；以及氧气源，耦合到所述工艺腔并配置为将氧气输送到所述工艺腔中。
[0004]本公开实施例提出一种工艺机台，包括：腔室壳体，在真空中界定工艺腔；晶圆卡盘，设置在所述工艺腔内并配置为容置衬底；等离子体线圈，安置在所述晶圆卡盘之上；氧气源，与所述工艺腔耦合，用于向所述工艺腔输入氧气；加热构件，设置在所述工艺腔内并配置为增加所述工艺腔的温度；以及钟罩结构，安置在所述晶圆卡盘和所述等离子体线圈之间，其中所述钟罩结构的开口面向所述晶圆卡盘。
[0005]本公开实施例提出一种半导体组件的制造方法，包括：在衬底上的导电结构上形成介电层；执行移除工艺，以移除部分的所述介电层，以暴露部分的所述导电结构；将所述衬底输送到清洁室，所述清洁室包括设置在钟罩结构下方的晶圆卡盘；执行清洁工艺，以清洁所述导电结构的所述暴露部分：开启惰性气体源，以在所述清洁室中引入惰性气体，开启氧气源，以在所述清洁室内引入氧气，对等离子体线圈施加偏压，以在所述清洁室内形成等离子体气体，以及对所述晶圆卡盘施加偏压；从所述清洁腔室中取出所述衬底；以及在所述介电层上形成导电层，所述导电层耦合到所述导电结构的所述暴露部分。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1示出清洁装置的一些实施例的剖视图，其包括设置在工艺腔内的晶圆卡盘之上的钟罩结构，其中氧气源耦合到工艺腔。
[0008]图2示出钟罩结构的一些实施例的立体图。
[0009]图3示出清洁装置的一些其他实施例的剖视图，该清洁装置包括设置在晶圆卡盘之上的钟罩结构和设置在工艺腔内部的加热构件。
[0010]图4示出连接到另工艺腔的清洁装置的一些实施例的剖视图。
[0011]图5
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11示出通过使用包括钟罩结构、氧气源和加热构件的工艺腔执行清洁工艺以从导电结构去除金属氧化物残留物的方法的一些实施例的剖视图。
[0012]图12示出对应于图5
‑
11的方法的一些实施例的方法的流程图。
[0013]附图标记说明
[0014]100、300、400、500、500
‑
1100、600、700、800A、800A
‑
800C、800B、800C、900、1000、1100：剖视图
[0015]102：工艺腔壳体
[0016]104：工艺腔
[0017]106：基座
[0018]108：晶圆卡盘
[0019]110：输入管道
[0020]112：氧气源
[0021]114：第一惰性气体源
[0022]116：第二惰性气体源
[0023]118：输出管道
[0024]120：真空泵
[0025]122：等离子体线圈
[0026]124：射频功率电路
[0027]126：卡盘电路
[0028]128：钟罩结构
[0029]128a、602：开口
[0030]128b：封闭的顶部
[0031]129：晶圆
[0032]130：衬底
[0033]132：介电层
[0034]134：导电结构
[0035]134t：最顶面
[0036]136：掩模结构
[0037]200：立体图
[0038]302：第一加热构件
[0039]304：第二加热构件
[0040]402：机台外壳
[0041]404：附加工艺室外壳
[0042]406：附加的晶圆卡盘
[0043]412：传输电路
[0044]414：运输机器人
[0045]416：传送
[0046]604：金属氧化物残留物
[0047]701：运输
[0048]802、806、808、810：箭头
[0049]804：线
[0050]1102：附加的导电结构
[0051]1200：方法
[0052]1202、1204、1206、1208、1210、1212：动作
[0053]d1：第一距离
[0054]d2：第二距离
[0055]d3：第三距离
[0056]d4：第四距离
具体实施方式
[0057]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
[0058]以下公开内容提供用于实施所提供目标的不同特征的诸多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，该些仅为实例而非旨在进行限制。举例而言，以下说明中将第一特征形成于第二特征「之上」或第二特征「上」可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。此外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复使用是出于简洁及清楚的目的，而非自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0059]此外，为易于说明，本文中可使用例如「位于...之下」、「位于...下方」、「下部的」、「位于...上方」、「上部的」等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个构件或特征与另一(其他)构件或特征的关系。除图中所绘示的定向之外，所述空间相对性用语亦旨在涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文所使用的空间相对性描述语可同样相应地加以解释。
[0060]半导体组件通常包括设置在介电层内的多个导电结构，其中讯号(例如，电流、电压)可以行经多个导电结构。导电结构可以通过各种沉积、光刻和去除工艺形成。导电结构通常包括一种金属，此金属在例如是去除工艺中暴露于环境时可能会氧化。因此，在导电结构的制造过程中，使用清洁工艺去除导电结构的暴露部分上的金属氧化物残留物。通过去除金属氧化物残留物，可改善导电结构之间的附着力和导电结构之间的接触电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺机台，其特征在于包括：腔室壳体，界定工艺腔；晶圆卡盘，设置在所述工艺腔内并配置为容置衬底；钟罩结构，安置在所述晶圆卡盘之上，其中所述钟罩结构的开口面向所述晶圆卡盘；等离子体线圈，安置在所述钟罩结构之上；以及氧气源，耦合到所述工艺腔并配置为将氧气输送到所述工艺腔中。2.根据权利要求1所述的工艺机台，其中所述钟罩结构的所述开口具有等于第一距离的最大宽度，其中所述晶圆卡盘具有等于第二距离的最大宽度，并且其中所述第一距离大于所述第二距离。3.根据权利要求1所述的工艺机台，还包括：加热灯，设置在所述钟罩结构上方并设置在所述腔室壳体的内壁上，其中所述加热灯被配置为将所述工艺腔的温度升高至接近所述钟罩结构。4.根据权利要求1所述的工艺机台，还包括：加热套结构，设置在所述钟罩结构和所述钟罩结构的表面，其中所述加热套结构用于提高所述钟罩结构的温度。5.一种工艺机台，其特征在于包括：腔室壳体，在真空中界定工艺腔；晶圆卡盘，设置在所述工艺腔内并配置为容置衬底；等离子体线圈，安置在所述晶圆卡盘之上；氧气源，与所述工艺腔耦合，用于向所述工艺腔输入氧气；加热构件，设置在所述工艺腔内并配置为增加所述工艺腔的温度；以及钟罩结构，安置在所述晶圆卡盘和所述等离子体线圈之间，其中所述钟罩结构的开口面向所述晶圆卡盘。6.根据权利要求5所述的工艺机台，其中所述钟罩结构的所述开口完全覆盖所述晶圆卡盘，且所述钟罩结构中的所述开口与所述晶圆卡盘间隔开非零距离。7.根据权利要求5所述工艺机台，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：林彦良，钟嘉文，张耀文，金明昌，吕国良，蔡正原，李汝谅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：