一种石墨载盘及化学气象沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石墨载盘及化学气象沉积设备，涉及半导体技术领域，该石墨载盘包括载盘本体，载盘本体的边缘设有放置槽群，石墨载盘还包括凹陷结构和支撑件，放置槽群中的每一放置槽内均设有凹陷结构和支撑件，支撑件位于放置槽的两端面之间，且凹陷结构位于支撑件之下，其中，放置槽用于容纳衬底，以通过支撑件，使衬底与凹陷结构之间形成间隔，凹陷结构包括由靠近载盘本体边缘向放置槽的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部，通过该设置可改善石墨载盘边缘放置槽内衬底的受热均匀性，从而提升外延片的波长均匀性。从而提升外延片的波长均匀性。从而提升外延片的波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨载盘及化学气象沉积设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体为一种石墨载盘及化学气象沉积设备。

技术介绍

[0002]近年来，以GaN基为半导体材料的半导体器件研究方向已非常成熟，LED发光二极管已形成稳定的产业链，为进一步的降低成本提升产能，LED外延生长使用衬底逐步从2英寸过渡至4英寸、6英寸，大尺寸衬底需保证好的片内均匀性，这对外延生长的温度均匀性要求更高，石墨载盘是衬底与加热器间的热传导媒介，因此，石墨载盘的温度均匀性和稳定性对LED外延产业有至关重要的作用，其中，在石墨载盘上设有用于承载衬底的多个间隔分布的圆槽，每个圆槽内可放置一片外延衬底，并且为了提升产能，通常会在石墨载盘上设置尽可能多的圆槽，这样会使部分圆槽位于石墨载盘边缘区域。
[0003]现有生长LED外延片大多使用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)的方法，且普遍采用垂直式MOCVD生长外延薄膜，根据说明书附图中图5所示，即MO源和反应气体从腔体上方以垂直于石墨基座表面的方向流下，在LED外延片生长过程中，底部加热器持续供热，承载衬底的石墨基座以高速的旋转速度进行旋转，由于残留的MO源及气体从石墨基座边缘与腔体内壁的缝隙处抽入底部排气口时会带走大量热量，这样会导致石墨载盘边缘区域热量损失更多。
[0004]因此，位于石墨载盘边缘区域圆槽内的衬底存在受热不均匀的问题，并且该问题会导致LED外延片的发光波长不均匀。

技术实现思路

[0005]基于此，本技术的目的是提供一种石墨载盘及化学气象沉积设备，以解决背景技术中位于石墨载盘边缘区域圆槽内的衬底存在受热不均匀的问题，并且该问题会导致LED外延片的发光波长不均匀。
[0006]本技术的一方面在于提供一种石墨载盘，包括载盘本体，所述载盘本体的边缘设有放置槽群，所述石墨载盘还包括凹陷结构和支撑件；
[0007]所述放置槽群中的每一所述放置槽内均设有所述凹陷结构和所述支撑件，所述支撑件位于所述放置槽的两端面之间，且所述凹陷结构位于所述支撑件之下；
[0008]其中，所述放置槽用于容纳衬底，以通过所述支撑件，使所述衬底与所述凹陷结构之间形成间隔；
[0009]所述凹陷结构包括由靠近所述载盘本体边缘向所述放置槽的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部。
[0010]进一步地，所述凹陷结构还包括至少一个第二凹陷部，所述第二凹陷部位于所述第一凹陷部之下。
[0011]进一步地，所述第二凹陷部沿所述第一凹陷部的纵向方向延伸，每个所述第二凹陷部的深度自靠近所述第一凹陷部的其中一所述第二凹陷部向所述放置槽的内部逐渐递
增。
[0012]进一步地，所述第一凹陷部由靠近所述载盘本体的边缘向所述放置槽的内部斜向延伸。
[0013]进一步地，所述凹陷结构还包括平直部，所述平直部位于所述第一凹陷部或远离所述第一凹陷部的一第二凹陷部的端部，且其沿所述放置槽的径向水平延伸。
[0014]进一步地，所述石墨载盘还包括位于所述载盘本体中部的放置槽群，其中，所述放置槽群内的每一所述放置槽内均设有凹陷结构和支撑件。
[0015]进一步地，所述支撑件设有多个，每个所述支撑件周向分布于所述放置槽的内部。
[0016]进一步地，所述支撑件的尺寸由靠近所述放置槽的内壁的一端逐渐向所述放置槽的中心递减。
[0017]进一步地，所述化学气相沉积设备还包括一反应容器，所述反应容器内设有一反应腔，所述反应容器的底部设有一转轴，且所述转轴伸入所述反应腔内与所述石墨载盘连接，以通过一预设的驱动装置驱动所述转轴以带动所述石墨载盘转动。
[0018]进一步地，所述石墨载盘上设有供所述转轴伸入的限位槽，以通过所述限位槽，将所述石墨载盘可拆卸连接于所述转轴上。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0020]在本技术中，通过在放置槽内设置凹陷结构，以解决现有技术中位于石墨载盘边缘区域圆槽内的衬底存在受热不均匀的问题，具体来说，凹陷结构包括由靠近载盘本体边缘向放置槽的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部，利用第一凹陷部的设置，可让衬底的不同区域与放置槽底部的石墨间距不一致，具体来说，放置槽靠近载盘本体盘边缘处内，其第一凹陷部的端部与衬底的间距最短，热传导效果更好，可以补偿石墨载盘边缘的热量损失，改善石墨载盘边缘圆槽内衬底的受热均匀性题，提升外延片的波长均匀性。
附图说明
[0021]图1为本技术第一实施例的石墨载盘及化学气象沉积设备的整体结构示意图；
[0022]图2本技术第一实施例的石墨载盘中凹陷结构的整体示意图；
[0023]图3为本技术第二实施例的石墨载盘及化学气象沉积设备的整体结构示意图；
[0024]图4为本技术第二实施例的石墨载盘中凹陷结构的整体示意图；
[0025]图5为现有技术中石墨载盘的整体结构示意图。
[0026]图中：1、载盘本体；2、放置槽群；201、放置槽；3、凹陷结构；301、第一凹陷部；302、第二凹陷部；303、平直部；4、支撑件；5、反应腔；6、转轴；7、限位槽；8、衬底。
具体实施方式
[0027]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0028]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]实施例一：
[0031]请参阅图1至图2，所示为本技术中第一实施例中的一种石墨载盘，括载盘本体1，载盘本体1的边缘设有放置槽群2。
[0032]其中，为解决现有技术中位于石墨载盘边缘区域圆槽内的衬底8存在受热不均匀的问题，则该石墨载盘还包括凹陷结构3和支撑件4，放置槽群2中的每一放置槽201内均设有凹陷结构3和支撑件4，支撑件4位于放置槽201的两端面之间，且凹陷结构3位于支撑件4之下，且凹陷结构3位于支撑件4之下，其中，放置槽201用于容纳衬底8，以通过支撑件4，使衬底8与凹陷结构3之间形成间隔，凹陷结构3包括由靠近载盘本体1边缘向放置槽201的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部301。
[0033本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨载盘，包括载盘本体，所述载盘本体的边缘设有放置槽群，其特征在于，所述石墨载盘还包括凹陷结构和支撑件；所述放置槽群中的每一所述放置槽内均设有所述凹陷结构和所述支撑件，所述支撑件位于所述放置槽的两端面之间，且所述凹陷结构位于所述支撑件之下；其中，所述放置槽用于容纳衬底，以通过所述支撑件，使所述衬底与所述凹陷结构之间形成间隔；所述凹陷结构包括由靠近所述载盘本体边缘向所述放置槽的内部延伸、且深度逐渐递增的第一凹陷部。2.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于：所述凹陷结构还包括至少一个第二凹陷部，所述第二凹陷部位于所述第一凹陷部之下。3.根据权利要求2所述的石墨载盘，其特征在于：所述第二凹陷部沿所述第一凹陷部的纵向方向延伸，每个所述第二凹陷部的深度自靠近所述第一凹陷部的其中一所述第二凹陷部向所述放置槽的内部逐渐递增。4.根据权利要求1所述的石墨载盘，其特征在于：所述第一凹陷部由靠近所述载盘本体的边缘向所述放置槽的内部斜向延伸。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的石墨载盘，其特征在于：所述凹陷结构还包括平直部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊小亮，焦二斌，张铭信，陈铭胜，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：