半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质，本发明专利技术涉及半导体技术领域。其中，半导体面积的计算方法包括：根据参考数据集、目标半导体所需的目标电压得到目标半导体的目标电流，其中，预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体。根据该目标电流和预设的参考面积计算出目标半导体的电流密度，再根据目标半导体的电流密度、预设的额定电流计算得到目标半导体的目标有源区面积。最后，根据目标有源区面积确定目标半导体所需的目标面积。本实施例的半导体面积的计算方法通过采用预设参考集以计算目标半导体的面积，以此提高了半导体面积的设计精确度。设计精确度。设计精确度。

【技术实现步骤摘要】
半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体面积的计算方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，如碳化硅二极管等半导体器件在生产前需要对其面积进行设计，以保证半导体器件符合所需的性能。其中，在半导体器件的面积过小时，会导致半导体器件承受的正向电压偏高，从而影响半导体器件的性能；在半导体器件的面积过大时，会造成产品生产成本增加。
[0003]相关技术中，半导体器件的面积设计存在精度差的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种半导体面积的计算方法，能够提高半导体面积的设计精确度。
[0005]本专利技术还提出一种半导体面积的计算装置，和一种应用上述半导体面积的计算方法的电子设备以及一种应用上述半导体面积的计算方法的计算机可读存储介质。
[0006]根据本专利技术的第一方面实施例的半导体面积的计算方法，包括：
[0007]根据预设的目标电压和预设参考集得到目标半导体的目标电流；其中，所述预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，所述参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体；
[0008]根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到所述目标半导体的电流密度；
[0009]根据所述电流密度和预设的额定电流计算得到所述目标半导体的目标有源区面积；
[0010]根据所述目标有源区面积计算得到目标面积。
[0011]根据本专利技术实施例的半导体面积的计算方法，至少具有如下有益效果：根据参考数据集、目标半导体所需的目标电压得到目标半导体的目标电流。根据该目标电流和预设的参考面积计算出目标半导体的电流密度，再根据目标半导体的电流密度、预设的额定电流计算得到目标半导体的目标有源区面积。最后，根据目标有源区面积确定目标半导体所需的目标面积。本实施例的半导体面积的计算方法通过采用预设参考集以计算目标半导体的面积，以此提高了半导体面积的设计精确度。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，在所述根据预设的目标电压和预设参考集得到目标电流之前，所述半导体面积的计算方法还包括：构建所述预设参考集，具体包括：
[0013]获取所述参考半导体在参考电压下的参考电流；
[0014]根据所述参考电压、所述参考电流构建所述预设参考集。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，在所述根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计
算得到目标半导体的电流密度之前，所述半导体面积的计算方法还包括：获取所述参考有源区面积，具体包括：
[0016]获取所述参考半导体有源区的参考长度值、参考宽度值、参考圆角半径；
[0017]根据所述参考长度值、所述参考宽度值、所述参考圆角半径计算得到所述参考有源区面积。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述目标有源区面积计算得到目标面积，包括：
[0019]根据预设的目标宽长比、所述目标有源区面积计算得到有源区数据；
[0020]根据所述有源区数据、预设的终端区宽度值计算得到目标边长数据；
[0021]根据所述目标边长数据计算得到所述目标面积。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述有源区数据包括：有源区长度值、有源区宽度值，所述目标边长数据包括：目标长度值、目标宽度值；所述根据所述有源区数据、预设的终端区宽度值计算得到目标边长数据，包括：
[0023]根据所述有源区长度值、所述终端区宽度值计算得到所述目标长度值，并根据所述有源区宽度值、所述终端区宽度值计算得到所述目标宽度值。
[0024]根据本专利技术的第二方面实施例的半导体面积的计算装置，包括：
[0025]目标电流获取模块，所述目标电流获取模块用于根据预设的目标电压和预设参考集得到目标半导体的目标电流；其中，所述预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，所述参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体；
[0026]电流密度获取模块，所述电流密度获取模块用于根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到所述目标半导体的电流密度；
[0027]有源区面积获取模块，所述有源区面积获取模块用于根据所述电流密度和预设的额定电流计算得到所述目标半导体的有源区面积；
[0028]目标面积获取模块，所述目标面积获取模块用于根据所述目标有源区面积计算得到目标面积。
[0029]根据本专利技术实施例的半导体面积的计算装置，至少具有如下有益效果：通过采用上述半导体面积的计算方法，实现了利用预设参考集以计算目标半导体的面积，以此提高了半导体面积的设计精确度。
[0030]根据本专利技术的第三方面实施例的电子设备，包括：
[0031]至少一个存储器；
[0032]至少一个处理器；
[0033]至少一个计算机程序；
[0034]所述计算机程序被存储在所述存储器中，所述处理器执行所述至少一个计算机程序以实现上述第一方面实施例的半导体面积的计算方法。
[0035]根据本专利技术的第四方面实施例的计算机可读存储介质，包括：
[0036]所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述第一方面实施例的半导体面积的计算方法。
[0037]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0038]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0039]图1为本专利技术实施例提供的半导体面积的计算方法的流程图；
[0040]图2为本专利技术实施例中构建预设参考集的具体方法的流程图；
[0041]图3为本专利技术实施例预设参考集的曲线图；
[0042]图4为本专利技术实施例中获取参考有源区面积的具体方法的流程图；
[0043]图5为本专利技术实施例参考半导体的有源区示意图；
[0044]图6为图1中步骤S400的具体方法的流程图；
[0045]图7为本专利技术实施例提供的半导体面积的计算装置的模块框图；
[0046]图8为本专利技术实施例提供的电子设备的硬件结构示意图。
[0047]附图标记：
[0048]目标电流获取模块100、电流密度获取模块200、有源区面积获取模块300、目标面积获取模块400、处理器510、存储器520、输入/输出接口530、通信接口540、总线550。
具体实施方式
[0049]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0050]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体面积的计算方法，其特征在于，包括：根据预设的目标电压和预设参考集得到目标半导体的目标电流；其中，所述预设参考集为根据预设的参考半导体得到的数据集，所述参考半导体为电压等级、制造工艺与所述目标半导体相同的半导体；根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到所述目标半导体的电流密度；根据所述电流密度和预设的额定电流计算得到所述目标半导体的目标有源区面积；根据所述目标有源区面积计算得到目标面积。2.根据权利要求1所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，在所述根据预设的目标电压和预设参考集得到目标电流之前，所述半导体面积的计算方法还包括：构建所述预设参考集，具体包括：获取所述参考半导体在参考电压下的参考电流；根据所述参考电压、所述参考电流构建所述预设参考集。3.根据权利要求2所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，在所述根据所述目标电流、预设的参考有源区面积计算得到目标半导体的电流密度之前，所述半导体面积的计算方法还包括：获取所述参考有源区面积，具体包括：获取所述参考半导体有源区的参考长度值、参考宽度值、参考圆角半径；根据所述参考长度值、所述参考宽度值、所述参考圆角半径计算得到所述参考有源区面积。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体面积的计算方法，其特征在于，所述根据所述目标有源区面积计算得到目标面积，包括：根据预设的目标宽长比、所述目标有源区面积计算得到有源区数据；根据所述有源区数据、预设的终端区宽度值计算得到目标边长数据；根据所述目标边长数据计算得到所述目标面积。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，杨承晋，兰华兵，刘涛，
申请(专利权)人：深圳市森国科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：