出光控制方法及出光控制设备技术

本发明专利技术公开了一种出光控制方法及出光控制设备，所述出光控制方法包括步骤：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。本发明专利技术提高了高压LED芯片外量子出光效率。压LED芯片外量子出光效率。压LED芯片外量子出光效率。

【技术实现步骤摘要】
出光控制方法及出光控制设备


[0001]本专利技术涉及LED
，尤其涉及一种出光控制方法及出光控制设备。

技术介绍

[0002]在手机、电视、笔电等显示领域，随着对画质要求提升，HDR(高动态范围成像High Dynamic Range Imaging)峰值高亮度，多分区细分控光技术受到市场欢迎。多分区细分控光技术即为单独控制高压LED(发光二极管light
‑
emitting diode)芯片中每个单胞LED芯片的发光，由于单胞LED芯片为五面体结构，且为五面发光形式，即在顶面和四个侧面都会出光，但是在相邻单胞LED芯片之间，相邻侧面发出的光会被彼此吸收，导致无法从四个侧面发光面出光，降低高压LED芯片的光提取率，减弱其发光能力，如上光线的耦合传播问题会在高压LED芯片的每个单胞LED芯片之间的四个侧壁发光面都会产生。整体高压LED芯片的出光效率就会大幅降低，造成光电转化效率损耗，即造成高压LED芯片外量子出光效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种出光控制方法及出光控制设备，旨在解决高压LED芯片外量子出光效率低的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供一种出光控制方法，所述出光控制方法包括步骤：
[0005]将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；
[0006]通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。
[0007]可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：
[0008]将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。
[0009]可选地，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：
[0010]获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；
[0011]根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。
[0012]可选地，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；
[0013]根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：
[0014]根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得
到高折射率材料层的待涂覆厚度。
[0015]可选地，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：
[0016]在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N
‑
GaN层、MQW量子阱层、P
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GaN层和ITO层；
[0017]采用CL2/BCL3的混合气体对所述Gan缓冲层、所述N
‑
GaN层、所述MQW量子阱层、所述P
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GaN层和所述ITO层进行刻蚀，得到所有所述单胞芯片的外延层；
[0018]将低折射率材料涂覆于所述蓝宝石衬底上和所述外延层上，形成低折射率材料层，并得到所述高压LED芯片。
[0019]可选地，所述采用CL2/BCL3的混合气体对Gan缓冲层、N
‑
GaN层、MQW量子阱层、P
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GaN层和ITO层进行刻蚀的步骤包括：
[0020]采用CL2/BCL3的混合气体向芯片衬底方向对Gan缓冲层、N
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GaN层、MQW量子阱层、P
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GaN层和ITO层进行刻蚀，并露出部分所述N
‑
GaN层；
[0021]在所述ITO层和所述P
‑
GaN层分别外延生长电极层，得到所述单胞芯片的外延层。
[0022]可选地，所述高压LED芯片包括多个单胞芯片，所述单胞芯片包括外延层以及设置在所述外延层上的低折射率材料层。
[0023]可选地，所述单胞芯片还包括蓝宝石衬底，所述外延层包括Gan缓冲层、N
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GaN层、MQW量子阱层、P
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GaN层、ITO层和电极层，其中，所述Gan缓冲层、所述N
‑
GaN层、所述MQW量子阱层、所述P
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GaN层和所述ITO层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，且所述电极层分别设置在所述ITO层和所述N
‑
GaN层上。
[0024]可选地，所述电极层包括N电极和P电极，且在两个任意相邻的所述单胞LED芯片中的其中一个所述单胞LED芯片中的所述N电极与另一个所述单胞LED芯片中的所述P电极连接。
[0025]可选地，所述低折射率材料为SIO2，所述高折射率材料为TiO2。
[0026]此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种出光控制设备，所述出光控制设备应用于上述的出光控制方法，所述出光控制设备包括高压LED芯片以及涂覆于所述高压LED芯片之上的高折射率材料层，其中，所述高折射率材料层与所述高压LED芯片中的低折射率材料层形成反射型增强膜系。
[0027]本专利技术提供一种出光控制方法，通过将高折射率材料涂覆与高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；并通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部，避免了高压LED芯片发出恶光线被吸收的情况出现，使得光线可以通过高折射率材料层和低折射率材料层共同形成的发射型增强膜系反射至高压LED芯片的外部，提高高压LED芯片的外量子出光效率，从而提升高压LED芯片的亮度，提升应用端HDR效果。
附图说明
[0028]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为DBR反射镜的工作原理图；
[0031]图2为本专利技术高压LED芯片的结构示意图；
[0032]图3为本专利技术高压LED芯片的电路原理示意图；
[0033]图4为单个LED量子效率和正向输入电流之间的变化关系示意图；
[0034]图5为高压芯片在相邻单胞之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种出光控制方法，其特征在于，所述出光控制方法包括步骤：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。2.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个。3.如权利要求2所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层的步骤包括：获取低折射率材料层的第一参数，根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度；根据所述待涂覆厚度，在高压LED芯片中单胞芯片的侧面上涂覆所述高折射率材料，以形成高折射率率材料层。4.如权利要求3所述的出光控制方法，其特征在于，所述第一参数包括低折射率材料层的第一折射率和第一膜厚度；所述预设第二参数包括高折射率材料的第二折射率；根据所述第一参数、所述高折射率材料的预设第二参数和所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度的步骤包括：根据第一折射率、第一膜厚度、第二折射率以及所述高压LED芯片的峰值波长，得到高折射率材料层的待涂覆厚度。5.如权利要求1所述的出光控制方法，其特征在于，所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤之前，还包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长Gan缓冲层、N
‑
GaN层、MQW量子阱层、P
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡珊珊，赖隆宽，柯富耀，熊圣锴，
申请(专利权)人：深圳创维RGB电子有限公司，
类型：发明
国别省市：