一种封装结构制造技术

本申请涉及一种封装结构，包括导热焊盘，所述导热焊盘的材料为导电材料；粘合剂层，位于所述导热焊盘上方，所述粘合剂层的材料包括导热且绝缘的粘合剂材料；芯片，位于所述粘合剂层上方，包括控制电路和功率晶体管，所述功率晶体管具有横向结构，其中所述芯片的输入端或输出端与所述导热焊盘电连接；多个引脚，所述多个引脚的至少部分耦合到所述控制电路以及所述功率晶体管的其他端；以及封装材料，包围所述导热焊盘、粘合剂层、芯片和所述多个引脚的内引脚部分；本申请还公开了一种包括利用如前述的封装结构的电子设备。如前述的封装结构的电子设备。如前述的封装结构的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构


[0001]本申请涉及一种芯片封装设计领域，特别地涉及一种封装结构。

技术介绍

[0002]功率分配芯片包括至少作为开关的功率晶体管，一般用于控制负载通断，可以分为热插拔芯片、高边开关芯片、负载开关芯片等。功率分配芯片是一种在生产制造中应用较为普遍的开关电路，能够节约成本，实现经济高效的高电流负载控制，在汽车控制以及工业照明等电子设备里有着广泛的应用。
[0003]传统的功率分配芯片包括控制电路和功率晶体管，控制电路提供对功率晶体管的控制和保护等功能。当功率晶体管打开时，负载电流流过功率晶体管的导通电阻，会在功率晶体管上产生损耗发热。由于功率分配芯片的损耗发热较大，在实际生产中，通常会在芯片封装的底部设有导热焊盘，焊接在外部PCB的散热焊盘上，将热量从功率分配芯片传导到PCB，起到给功率分配芯片散热的作用。
[0004]随着功率晶体管及相关技术的发展，功率分配芯片的制备也出现了多种结构，例如功率分配芯片中的功率晶体管可以采用横向结构的LDMOS或垂直结构的VDMOS或沟槽型MOS(Trench MOS)。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的技术问题，本申请提出了一种封装结构，包括导热焊盘，所述导热焊盘的材料为导电材料；粘合剂层，位于所述导热焊盘上方，所述粘合剂层的材料包括导热且绝缘的粘合剂材料；芯片，位于所述粘合剂层上方，包括控制电路和功率晶体管，所述功率晶体管具有横向结构，其中所述芯片的输入端或输出端与所述导热焊盘电连接；多个引脚，所述多个引脚的至少部分耦合到所述控制电路以及所述功率晶体管的其他端；以及封装材料，包围所述导热焊盘、粘合剂层、芯片和所述多个引脚的内引脚部分。
[0006]特别的，所述芯片是功率开关芯片。
[0007]特别的，所述导热焊盘包括彼此电连接的基岛和连筋，所述芯片的输入端或输出端与所述基岛或所述连筋电连接。
[0008]特别的，所述导热焊盘进行电连接的区域至少局部镀银。
[0009]特别的，所述粘合剂层的材料包括绝缘强度大于5V/um，导热系数大于1W/(m
·
K)的材料。
[0010]特别的，包括一个或多个台阶，位于所述基岛上方并与其电连接，所述芯片的输入端或输出端通过所述台阶与所述基岛电连接。
[0011]特别的，所述台阶进行电连接的区域至少局部镀银。
[0012]特别的，所述多个引脚中包括至少一个与导热焊盘电连接的第一引脚，所述芯片的输入端或输出端通过所述第一引脚与所述导热焊盘电连接。
[0013]特别的，所述第一引脚只包括被所述封装材料包围的内引脚，其他引脚还包括露
出所述封装材料的外引脚。
[0014]特别的，所述导热焊盘包括彼此电学隔离的第一部分和第二部分，其中所述芯片位于所述第一部分上方；所述第二部分与所述芯片的输入端或输出端电连接。
[0015]特别的，所述导热焊盘的第一部分与所述芯片的输出端电连接。
[0016]特别的，所述导热焊盘的上方包括导电的台阶，所述芯片通过所述台阶与所述导热焊盘的第二部分电连接。
[0017]特别的，所述导热焊盘包括彼此电学隔离的第一部分和第二部分，其中所述芯片位于所述导热焊盘的第一部分和所述第二部分上方；所述导热焊盘的第二部分与所述芯片的输入端或输出端电连接。
[0018]特别的，所述导热焊盘的第一部分也与所述芯片的输出端或输入端电连接。
[0019]本申请还提出了一种电子设备，包括利用如前述的封装结构。
[0020]通过采用本申请的方案，可以减少例如功率分配芯片的引脚数量，缩小封装体积，降低封装成本，同时令具有横向结构的功率晶体管的芯片与具有垂直结构的功率晶体管的芯片的引脚兼容，在应用过程中无需额外设计印刷电路板上芯片的接口，大幅降低电路板的设计和应用成本，提高产品竞争力。
附图说明
[0021]下面，将结合附图对本申请的优选实施方式进行进一步详细的说明，其中：
[0022]图1A是一种功率分配芯片的电路图；
[0023]图1B是采用横向结构如LDMOS制备的功率分配芯片的侧剖面示意图；
[0024]图1C是采用垂直结构如VDMOS制备的功率分配芯片的侧剖面示意图；
[0025]图2A是根据本申请的一个实施例的封装结构的正视剖面示意图；
[0026]图2B是根据本申请的一个实施例的封装结构的右视剖面示意图；
[0027]图2C是根据本申请的一个实施例的封装结构的俯视图；
[0028]图3A是根据本申请的另一个实施例的封装结构的右视剖面示意图；
[0029]图3B是根据本申请的另一个实施例的封装结构的俯视图；
[0030]图3C是根据本申请的另一个实施例的封装结构的右视剖面示意图；
[0031]图3D是根据本申请的另一个实施例的封装结构的俯视图；
[0032]图4A是根据本申请的一个实施例的封装结构的正视剖面示意图；
[0033]图4B是根据本申请的一个实施例的封装结构的俯视图；
[0034]图4C是根据本申请的另一个实施例的封装结构的正视剖面示意图；
[0035]图4D是根据本申请的另一个实施例的封装结构的俯视图；以及
[0036]图5是根据本申请的又一个实施例的封装结构的俯视图。
具体实施方式
[0037]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0038]在以下的详细描述中，可以参看作为本申请一部分用来说明本申请的特定实施例的各个说明书附图。在附图中，相似的附图标记在不同图式中描述大体上类似的组件。本申请的各个特定实施例在以下进行了足够详细的描述，使得具备本领域相关知识和技术的普通技术人员能够实施本申请的技术方案。应当理解，还可以利用其它实施例或者对本申请的实施例进行结构、逻辑或者电性的改变。
[0039]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。对于附图中的各单元之间的连线，仅仅是为了便于说明，其表示至少连线两端的单元是相互通信的，并非旨在限制未连线的单元之间无法通信。另外，两个单元之间线条的数目旨在表示该两个单元之间通信至少所涉及的信号数或至少具备的输出端，并非用于限定该两个单元之间只能如图中所示的信号来进行通信。
[0040]晶体管可指任何结构的晶体管，例如场效应晶体管(FET)或者双极型晶体管(BJT)。当晶体管为场效应晶体管时，根据沟道材料不同，可以是氢化非晶硅、金属氧化物、低温多晶硅、有机晶体管等。根据载流子是电子或空穴，可以分为N型晶体管和P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：导热焊盘，所述导热焊盘的材料为导电材料，；粘合剂层，位于所述导热焊盘上方，所述粘合剂层的材料包括导热且绝缘的粘合剂材料；芯片，位于所述粘合剂层上方，包括控制电路和功率晶体管，所述功率晶体管具有横向结构，其中所述芯片的输入端或输出端与所述导热焊盘电连接；多个引脚，所述多个引脚的至少部分耦合到所述控制电路以及所述功率晶体管的其他端；以及封装材料，包围所述导热焊盘、粘合剂层、芯片和所述多个引脚的内引脚部分。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述芯片为功率分配芯片。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述导热焊盘包括彼此电连接的基岛和连筋，所述芯片的输入端或输出端与所述基岛或所述连筋电连接。4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述导热焊盘进行电连接的区域至少局部镀银。5.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述粘合剂层的材料包括绝缘强度大于5V/um，导热系数大于1W/(m
·
K)的材料。6.根据权利要求3所述的封装结构，还包括一个或多个台阶，位于所述基岛上方并与其电连接，所述芯片的输入端或输出端通过所述台阶与所述基岛电连接。7.根据权利要求6所述的封装结构，其中所述台阶进行电连接的区域至少局部镀银。8.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶正煜，王程，张娜，
申请(专利权)人：瓴芯电子科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：