本公开的实施例提供一种参考电流产生电路，其包括：第一电阻器、电压保持电路、第一电流镜电路、第二电流镜电路、限流电路、以及第三电流镜电路。第一电阻器的第一端经由第一节点耦接电压保持电路。电压保持电路将第一节点的电压保持为参考电压，并向第一电流镜电路传递第一电流。第一电流镜电路根据第一电流生成第二电流，并向限流电路传递第二电流。第二电流镜电路根据第三节点的电压生成第三和第四电流，分别向限流电路和输出端提供第三和第四电流。第四电流是第三电流的镜像电流。限流电路限制第二电流与第三电流之和的最小值。第三电流镜电路根据第一电流生成第五电流，并向输出端提供第五电流。第五电流的电流值等于第二电流的电流值。流的电流值。流的电流值。
【技术实现步骤摘要】
参考电流产生电路及用于DC
‑
DC变换器的谷值电流检测电路
[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及参考电流产生电路及用于DC
‑
DC变换器的谷值电流检测电路。
技术介绍
[0002]DC
‑
DC变换器被广泛应用于各种芯片供电应用中。为了防止出现异常情况导致电流过大而烧毁芯片，DC
‑
DC变换器的电流需要受到限制。上功率管导通时对峰值电流进行限制，而下功率管导通时对谷值电流进行限制。下功率管导通时，电感电流必须下降到谷值电流以下才能让电感电流重新上升，能有效降低发生过流时的平均电感电流。谷值电流限制能使芯片的安全得到保障。
技术实现思路
[0003]本文中描述的实施例提供了一种参考电流产生电路、用于DC
‑
DC变换器的谷值电流检测电路、以及DC
‑
DC变换器。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种参考电流产生电路。该参考电流产生电路包括：第一电阻器、电压保持电路、第一电流镜电路、第二电流镜电路、限流电路、以及第三电流镜电路。其中，第一电阻器的第一端经由第一节点耦接电压保持电路，第一电阻器的第二端耦接第二电压端。电压保持电路被配置为：将第一节点的电压保持为来自参考电压端的参考电压，并经由第二节点向第一电流镜电路传递流过第一电阻器的第一电流。第一电流镜电路被配置为：根据第一电流生成第二电流，并经由第三节点向限流电路传递第二电流。第二电流镜电路被配置为：根据第三节点的电压生成第三电流和第四电流，经由第三节点向限流电路提供第三电流，以及向输出端提供第四电流。其中，第四电流是第三电流的镜像电流。限流电路被配置为：限制第二电流与第三电流之和的最小值。第三电流镜电路被配置为：根据第一电流生成第五电流，并向输出端提供第五电流。其中，第五电流的电流值等于第二电流的电流值。
[0005]在本公开的一些实施例中，电压保持电路包括：运放、以及第一晶体管。其中，运放的第一输入端耦接参考电压端。运放的第二输入端耦接第一节点和第一晶体管的第一极。运放的输出端耦接第一晶体管的控制极。第一晶体管的第二极耦接第二节点。
[0006]在本公开的一些实施例中，运放的第一输入端是同相输入端。运放的第二输入端是反相输入端。
[0007]在本公开的一些实施例中，第一电流镜电路包括：第二晶体管、以及第三晶体管。其中，第二晶体管的控制极耦接第二晶体管的第二极和第二节点。第二晶体管的第一极耦接第一电压端。第三晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极。第三晶体管的第一极耦接第一电压端。第三晶体管的第二极耦接第三节点。
[0008]在本公开的一些实施例中，第二电流镜电路包括：第四晶体管、以及第五晶体管。其中，第四晶体管的控制极耦接第四晶体管的第二极和第三节点。第四晶体管的第一极耦
接第一电压端。第五晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第五晶体管的第一极耦接第一电压端。第五晶体管的第二极耦接输出端。
[0009]在本公开的一些实施例中，第四晶体管与第五晶体管的尺寸相同。
[0010]在本公开的一些实施例中，限流电路包括：第六晶体管。其中，第六晶体管的控制极耦接偏置电压端。第六晶体管的第一极耦接第二电压端。第六晶体管的第二极耦接第三节点。
[0011]在本公开的一些实施例中，第三电流镜电路包括：第七晶体管。其中，第七晶体管的控制极耦接第二节点。第七晶体管的第一极耦接第一电压端。第七晶体管的第二极耦接输出端。
[0012]根据本公开的第二方面，提供了一种参考电流产生电路。该参考电流产生电路包括：第一电阻器、运放、第一晶体管至第七晶体管。其中，第一电阻器的第一端耦接第一晶体管的第一极。第一电阻器的第二端耦接第二电压端。运放的第一输入端耦接参考电压端。运放的第二输入端耦接第一晶体管的第一极。运放的输出端耦接第一晶体管的控制极。第一晶体管的第二极耦接第二晶体管的控制极和第二极。第二晶体管的第一极耦接第一电压端。第三晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极。第三晶体管的第一极耦接第一电压端。第三晶体管的第二极耦接第四晶体管的控制极和第二极。第四晶体管的第一极耦接第一电压端。第五晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第五晶体管的第一极耦接第一电压端。第五晶体管的第二极耦接输出端。第六晶体管的控制极耦接偏置电压端。第六晶体管的第一极耦接第二电压端。第六晶体管的第二极耦接第三晶体管的第二极。第七晶体管的控制极耦接第二晶体管的控制极。第七晶体管的第一极耦接第一电压端。第七晶体管的第二极耦接输出端。
[0013]在本公开的一些实施例中，第四晶体管与第五晶体管的尺寸相同。
[0014]在本公开的一些实施例中，第七晶体管与第三晶体管的尺寸相同。
[0015]根据本公开的第三方面，提供了一种用于DC
‑
DC变换器的谷值电流检测电路。该谷值电流检测电路包括根据本公开的第一方面或者第二方面所述的参考电流产生电路。
[0016]根据本公开的第四方面，提供了一种DC
‑
DC变换器。该DC
‑
DC变换器包括根据本公开的第三方面所述的谷值电流检测电路。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本公开的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制，其中：
[0018]图1示出一种用于DC
‑
DC变换器的谷值电流检测电路的示例性电路图；
[0019]图2是一种参考电流产生电路的示例性电路图；
[0020]图3是根据本公开的实施例的参考电流产生电路的示意性框图；以及
[0021]图4是根据本公开的实施例的参考电流产生电路的示例性电路图。
[0022]需要注意的是，附图中的元素是示意性的，没有按比例绘制。
具体实施方式
[0023]为了使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，也都属于本公开保护的范围。
[0024]除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。
[0025]在本公开的所有实施例中，由于晶体管的源极和漏极(发射极和集电极)是对称的，并且N型晶体管和P型晶体管的源极和漏极(发射本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种参考电流产生电路，包括：第一电阻器、电压保持电路、第一电流镜电路、第二电流镜电路、限流电路、以及第三电流镜电路，其中，所述第一电阻器的第一端经由第一节点耦接所述电压保持电路，所述第一电阻器的第二端耦接第二电压端；所述电压保持电路被配置为：将所述第一节点的电压保持为来自参考电压端的参考电压，并经由第二节点向所述第一电流镜电路传递流过所述第一电阻器的第一电流；所述第一电流镜电路被配置为：根据所述第一电流生成第二电流，并经由第三节点向所述限流电路传递所述第二电流；所述第二电流镜电路被配置为：根据所述第三节点的电压生成第三电流和第四电流，经由所述第三节点向所述限流电路提供所述第三电流，以及向输出端提供所述第四电流，其中，所述第四电流是所述第三电流的镜像电流；所述限流电路被配置为：限制所述第二电流与所述第三电流之和的最小值；所述第三电流镜电路被配置为：根据所述第一电流生成第五电流，并向所述输出端提供所述第五电流，其中，所述第五电流的电流值等于所述第二电流的电流值。2.根据权利要求1所述的参考电流产生电路，其中，所述电压保持电路包括：运放、以及第一晶体管，其中，所述运放的第一输入端耦接所述参考电压端，所述运放的第二输入端耦接所述第一节点和所述第一晶体管的第一极，所述运放的输出端耦接所述第一晶体管的控制极；所述第一晶体管的第二极耦接所述第二节点。3.根据权利要求1所述的参考电流产生电路，其中，所述第一电流镜电路包括：第二晶体管、以及第三晶体管，其中，所述第二晶体管的控制极耦接所述第二晶体管的第二极和所述第二节点，所述第二晶体管的第一极耦接第一电压端；所述第三晶体管的控制极耦接所述第二晶体管的所述控制极，所述第三晶体管的第一极耦接所述第一电压端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第三节点。4.根据权利要求1所述的参考电流产生电路，其中，所述第二电流镜电路包括：第四晶体管、以及第五晶体管，其中，所述第四晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的第二极和所述第三节点，所述第四晶体管的第一极耦接第一电压端；所述第五晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的所述控制极，所述第五晶体管的第一极耦接所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟波，马梦娇，
申请(专利权)人：骏盈半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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