基于存储器装置中先前读取尝试的参数估计制造方法及图纸

本发明专利技术描述了用于提高存储器装置的性能的装置、系统和方法。示例方法包括：基于多个读取电压，对存储器装置的多个页面中的每一个执行读取操作；基于针对多个页面中的每个页面的读取操作，确定每个页面中的“1”计数以及每个页面的错误校正码的校验和；基于多项式回归生成校验和的第一估计器和“1”计数的第二估计器；基于第一估计器和第二估计器确定更新后的多个读取电压；并且将更新后的多个读取电压施加到存储器装置以从存储器装置检索信息。加到存储器装置以从存储器装置检索信息。加到存储器装置以从存储器装置检索信息。

【技术实现步骤摘要】
基于存储器装置中先前读取尝试的参数估计


[0001]本专利文献总体上涉及存储器装置，并且更特别地，涉及存储器装置中的鲁棒性(robust)和可靠访问。

技术介绍

[0002]数据完整性对于数据存储装置和数据传输很重要。在固态存储器(例如，NAND闪存)装置中，信息通过单元中的不同电荷电平存储在单元中。在写入和读取过程期间，编程干扰错误和单元间干扰电荷泄漏引起噪声，其导致电压分布和电平随时间下降。生成准确的读取电压提高存储器装置的可靠性和寿命。

技术实现思路

[0003]所公开技术的实施例涉及使用基于先前读取尝试的参数估计来确定读取电压，其提高了存储器装置的性能。这些和其它特征及益处至少部分地通过使用多项式回归来估计“1”计数(ones count)和校验和来实现，“1”计数和校验和用于确定更新后的读取电压，这些更新后的读取电压用于后续访问存储器装置。
[0004]在示例方面，描述了一种操作存储器装置的方法。该方法包括：基于多个读取电压，对存储器装置的多个页面中的每一个执行读取操作；基于针对多个页面中的每个页面的读取操作，确定每个页面中的“1”计数以及每个页面的错误校正码的校验和；基于多项式回归生成校验和的第一估计器和“1”计数的第二估计器；基于第一估计器和第二估计器确定更新后的多个读取电压；并且将更新后的多个读取电压施加到存储器装置以从存储器装置检索信息。
[0005]在另一示例方面，上述方法可以由包括或联接到处理器的存储器控制器来实施。
[0006]在另一示例方面，这些方法可以以处理器可运行指令的形式实现并存储在计算机可读程序介质上。
[0007]本专利文献中描述的主题可以以提供以下特征中的一个或多个的特定方式来实施。
[0008]根据本公开的方法能够提高存储器装置的性能。
附图说明
[0009]图1示出了存储器系统的示例。
[0010]图2是示例非易失性存储器装置的示图。
[0011]图3是示出非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V
th
)的示例图。
[0012]图4是示出非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V
th
)的另一示例图。
[0013]图5是示出编程干扰之前与之后的非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V
th
)的示例图。
[0014]图6是示出非易失性存储器装置的单元电压电平分布(V
th
)作为参考电压的函数的
示例图。
[0015]图7A和图7B分别示出了三层单元(TLC)单元电平分布中的“1”计数和位错误率(BER)的示例。
[0016]图8A和图8B分别示出了对应于NAND LSB页面的校验和的表面图和等高线图的示例。
[0017]图9A示出了使用五次读取(m＝5)的具有二阶多项式(d
cs
＝2)的校验和估计器的归一化等高线图的示例。
[0018]图9B示出了与图9A所示示例的特定校验和值相对应的成功读取阈值的示例。
[0019]图10A和图10B分别示出了对应于NAND页面的“1”计数的表面图和等高线图的示例。
[0020]图11示出了使用七次读取(m＝7)的具有三阶多项式(d
p
＝3)的“1”计数估计器的示例。
[0021]图12示出了操作存储器装置的示例方法的流程图。
具体实施方式
[0022]半导体存储器装置可以是易失性的或非易失性的。易失性半导体存储器装置以高速执行读取和写入操作，而其中所存储的内容在断电时可能会丢失。非易失性半导体存储器装置即使在断电时也可以保留其中所存储的内容。非易失性半导体存储器装置可以用于存储无论它们是否通电都必须保留的内容。
[0023]随着对大容量存储器装置的需求增加，每个单元存储多位数据的多层单元(MLC)或多位存储器装置变得越来越普遍。然而，MLC非易失性存储器装置中的存储器单元必须具有与有限电压窗口中的四个或更多个可区分数据状态相对应的阈值电压。为了提高非易失性存储器装置中的数据完整性，必须在存储器装置的整个寿命期间调整用于区分数据状态的读取电压的电平和分布，以在读取操作和/或读取尝试期间具有最佳值。
[0024]图1至图6概述了可以实施所公开技术的实施例的非易失性存储器系统(例如，基于闪存的存储器，NAND闪存)。
[0025]图1是基于所公开技术的一些实施例实施的存储器系统100的示例的框图。存储器系统100包括可以用于存储供其它电子装置或系统使用的信息的存储器模块110。存储器系统100可以被并入其它电子装置和系统中(例如，位于电路板上)。可选地，存储器系统100可以被实施为诸如USB闪存驱动器和固态驱动器(SSD)的外部存储装置。
[0026]存储器系统100中包括的存储器模块110可以包括存储器区域(例如，存储器阵列)102、104、106和108。存储器区域102、104、106和108中的每一个可以被包括在单个存储器管芯中或多个存储器管芯中。存储器管芯可以被包括在集成电路(IC)芯片中。
[0027]存储器区域102、104、106和108中的每一个包括多个存储器单元。可以基于存储器单位执行读取操作、编程操作或擦除操作。因此，每个存储器单位可以包括预定数量的存储器单元。存储器区域102、104、106和108中的存储器单元可以被包括在单个存储器管芯中或多个存储器管芯中。
[0028]存储器区域102、104、106和108中的每一个中的存储器单元可以在存储器单位中以行和列布置。存储器单位中的每一个可以是物理单位。例如，一组多个存储器单元可以形
成存储器单位。存储器单位中的每一个也可以是逻辑单位。例如，存储器单位可以是可以分别由诸如块地址或页面地址的唯一地址标识的块或页面。再例如，其中存储器区域102、104、106和108可以包括计算机存储器，该计算机存储器包括存储体作为数据存储的逻辑单位，该存储器单位可以是可以由体地址标识的存储体。在读取或写入操作期间，与特定存储器单位相关联的唯一地址可以用于访问该特定存储器单位。基于唯一地址，可以将信息写入特定存储器单位中的一个或多个存储器单元或从特定存储器单位中的一个或多个存储器单元检索信息。
[0029]存储器区域102、104、106和108中的存储器单元可以包括非易失性存储器单元。非易失性存储器单元的示例包括闪速存储器单元、相变随机存取存储器(PRAM)单元、磁阻随机存取存储器(MRAM)单元或其它类型的非易失性存储器单元。在存储器单元被配置为NAND闪速存储器单元的示例实施方案中，可以基于页面执行读取或写入操作。然而，基于块执行NAND闪速存储器中的擦除操作。
[0030]非易失性存储器单元中的每一个可以被配置为单层单元(SLC)或多层存储器单元。单层单元可以每个单元存储一位信息。多层存储器单元可以每个单元存储多于一位的信息。例如，存储器区域102、10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种操作存储器装置的方法，包括：基于多个读取电压，对所述存储器装置的多个页面中的每个页面执行读取操作；基于针对所述多个页面中的每个页面的读取操作，确定每个页面中的“1”计数与每个页面的错误校正码的校验和；基于多项式回归生成所述校验和的第一估计器和所述“1”计数的第二估计器；基于所述第一估计器和所述第二估计器确定更新后的多个读取电压；并且将所述更新后的多个读取电压施加到所述存储器装置以从所述存储器装置检索信息。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述校验和的第一估计器包括所述校验和的最大值与对应于所述多个读取电压中的N个读取电压的N个d
cs
阶多项式之和的sigmoid函数的乘积，其中N和d
cs
为正整数，并且其中N个d
cs
阶多项式的系数包括第一参数集。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述sigmoid函数选自由逻辑函数、双曲正切函数、反正切函数、误差函数和广义逻辑函数组成的组。4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：针对每一次所述读取操作并基于所述sigmoid函数的反函数生成一组m个多项式，其中m是对应于所述读取操作的次数的正整数，并且其中m≥2d
cs
+1；并且将线性最小二乘模型应用于所述一组m个多项式以生成所述第一参数集的估计。5.根据权利要求4所述的方法，其中使用查找表即LUT来确定所述sigmoid函数的反函数。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述“1”计数的第二估计器包括与所述多个读取电压中的N个读取电压相对应的N个d
p
阶多项式之和的sigmoid函数，其中N和d
p
是正整数，并且其中N个d
p
阶多项式的系数包括第二参数集。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述sigmoid函数选自由逻辑函数、双曲正切函数、反正切函数、误差函数和广义逻辑函数组成的组。8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：针对每一次所述读取操作并基于所述sigmoid函数的反函数生成一组m个多项式，其中m是对应于所述读取操作的次数的正整数，并且其中m≥2d
p
；并且将线性最小二乘模型应用于所述一组m个多项式以生成所述第二参数集的估计。9.根据权利要求8所述的方法，其中使用查找表即LUT来确定所述sigmoid函数的反函数。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一估计器和所述第二估计器用于调整所述存储器装置中的一个或多个增量步进脉冲编程参数即ISPP参数。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置包括多个单元，并且其中生成所述第一估计器和所述第二估计器与所述多个单元的电压分布无关。12.一种操作存储器装置的系统，包括：处理器与存储器，所述存储器包括所述存储器上存储的指令，其中所述指令在被所述处理器运行时使所述处理器：基于多个读取电压，对所述存储器装置的多个页面中的每个页面执行读取操作；基于针对所述多个页面中的每个页面的读取操作，确定每个页面中的“1”计数与每个页面的错误校正码的校验和；
基于多项式回归生成所述校验和的第一估计器和所述“1”计数的第二估计器；基于所述第一估计器和所述第二估计器确定更新后的多个读取电压；并且将所述更新后的多个读取电压施加到所述存储器装置以从所述存储器装置检索信息。13.根据权利要求12所述的系统，其中所述校验和的第一估计器包括所述校验和的最大值与对应于所述多个读取电压中的N个读取电压的N个d
cs
阶多项式之和的sigmo...

【专利技术属性】
技术研发人员：美萨姆，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：