等离子体源机构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种等离子体源机构，包括：壳体，对接所述真空腔体设备的真空槽；射频能源辐射单元，位于所述壳体内部，具有同平面设置且面向所述真空槽内的多个线圈；电源，连接所述射频能源辐射单元，提供高频电力至所述多个线圈；第一磁体，环设在所述多个线圈的外围部位，所述第一磁体配置位置与所述多个线圈并行，所述多个线圈具有沿所述多个线圈面延伸的延伸区域，所述第一磁体至少部分位于所述延伸区域内。本实用新型专利技术等离子体源机构有利于线圈外围部位磁场效应的稳定性。圈外围部位磁场效应的稳定性。圈外围部位磁场效应的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体源机构


[0001]本技术涉及磁体装配
，特别是涉及一种等离子体源机构。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，采用等离子体工艺，对工件蚀刻、清洗、注入、镀膜等工艺制程时，需要通过等离子体源机构进行加工。
[0003]射频能源辐射单元为等离子体源机构一个重要组件，用于提供磁效应，射频辐射单元通常由多个线盘排列而成，多个线盘在提供磁效应时，线盘最外围的磁效应分配不均匀，在利用分配不均匀磁效应进行加工时，容易造成加工质量差。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对线盘最外围的磁效应分配不均匀的问题，提供一种等离子体源机构，包括：
[0005]壳体，对接所述真空腔体设备的真空槽；
[0006]射频能源辐射单元，位于所述壳体内部，具有同平面设置且面向所述真空槽内的多个线圈；
[0007]电源，连接所述射频能源辐射单元，提供高频电力至所述多个线圈；
[0008]第一磁体，环设在所述多个线圈的外围部位，所述第一磁体配置位置与所述多个线圈并行，在沿所述多个线圈面所延伸的延伸区域，所述第一磁体至少部分位于所述延伸区域内。
[0009]可选地，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体位于所述多个线圈外围而配置于所述盘体。
[0010]可选地，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体配置于所述壳体的内表面与所述壳体朝向所述真空槽的端面中至少一者。
[0011]可选地，所述壳体与所述盘体中至少一者具有环设凹槽，所述第一磁体固设在所述凹槽。
[0012]可选地，所述第一磁体与所述凹槽之间在形状上形成紧配或部分紧配关系。
[0013]可选地，所述凹槽内具有内侧嵌孔，所述第一磁体置入所述凹槽且滑入所述内侧嵌孔形成紧配或卡掣关系。
[0014]可选地，所述第一磁体配置于所述凹槽，所述凹槽与所述第一磁体接触的部位具有形状相对应的卡掣结构、勾合结构或扣合结构。
[0015]可选地，所述第一磁体连续或间隔的设置。
[0016]可选地，相邻的两个所述线圈之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈
之间的间隙。
[0017]可选地，所述多个线圈区别为多个线圈组，相邻的两个线圈组之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈组之间的间隙。
[0018]可选地，所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体与所述第一磁体之间间隔所述线圈，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内；或者，
[0019]所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内，所述第二磁体面向所述线圈的方向与所述第一磁体面向所述线圈方向呈夹角。
[0020]可选地，所述壳体包括壳本体和磁铁固定组件，所述磁铁固定组件包括第一安装件和第一限位件，所述第一安装件设置于所述壳本体内表面与所述壳本体朝向所述真空槽的端面中至少一者，所述第一安装件具有第一安装结构，所述第一磁体可拆卸安装于第一安装结构；所述第一限位件包括相互连接的第一连接部与第一抵顶部，所述第一连接部与所述第一安装件可拆卸连接，以使所述第一限位件具有第一限位状态和第一闲置状态；在所述第一限位状态下，所述第一抵顶部对应所述第一安装结构设置以抵顶第一磁体；在所述第一闲置状态下，所述第一抵顶部避开所述第一安装结构，以使所述第一磁体可拆；或者，
[0021]所述射频能源辐射单元包括多个盘体，以及设置于所述多个盘体上的所述多个线圈，所述盘体包括盘本体和磁铁固定组件，所述磁铁固定组件包括第一安装件和第一限位件，所述第一安装件设置于所述盘本体并位于所述线圈的外围，所述第一安装件具有第一安装结构，所述第一磁体可拆卸安装于第一安装结构，所述第一限位件包括相互连接的第一连接部与第一抵顶部，所述第一连接部与所述第一安装件可拆卸连接，以使所述第一限位件具有第一限位状态和第一闲置状态，在所述第一限位状态下，所述第一抵顶部对应所述第一安装结构设置以抵顶第一磁体；在所述第一闲置状态下，所述第一抵顶部避开所述第一安装结构，以使所述第一磁体可拆。
[0022]可选地，所述第一安装结构包括凹槽，所述凹槽沿所述第一安装件的长度方向延伸，所述凹槽与所述第一磁体至少部分适配插合。
[0023]可选地，所述第一安装件包括第一安装板，以及设置于所述第一安装板的卡合结构；
[0024]所述第一连接部包括扣合结构，所述扣合结构与所述卡合结构卡接配合。
[0025]可选地，所述第一安装板具有相对设置的装配板面和卡接板面，所述第一安装板具有贯穿所述装配板面与所述卡接板面的避让槽，所述第一安装结构设置于所述装配面，所述卡合结构位于所述卡接板面；
[0026]所述扣合结构包括弹性臂和卡凸，所述弹性臂的一端与所述卡凸连接，另一端与所述第一抵顶部连接，所述弹性臂设有卡凸的一端穿过所述避让槽，且所述卡凸与所述卡合结构卡合。
[0027]可选地，所述卡合结构包括卡扣槽，所述卡扣槽与所述避让槽连通，以使所述卡凸通过所述避让槽与所述卡扣槽连通的位置进入所述卡扣槽与所述卡扣槽卡接。
[0028]可选地，所述第一安装结构包括凹槽；
[0029]所述第一安装件包括第一安装板，所述第一安装板还具有沉槽，所述沉槽用于安装所述第一抵顶部，所述沉槽与所述凹槽连通，以使所述第一抵顶部通过连通的位置伸到所述凹槽的槽口与所述第一磁体抵接。
[0030]可选地，所述第一安装件由非导磁材质件制成；和/或，
[0031]所述第一限位件由非导磁材质件制成。
[0032]可选地，所述等离子体源机构还包括第二磁体；
[0033]所述磁铁固定组件还包括第二安装件和第二限位件，所述第二安装件位于所述多个线圈的外围部位，所述第二安装件面向所述第一安装件设置或者所述第二安装件面向线圈方向所述第一安装件设置面向线圈方向呈夹角设置，所述第二安装件具有第二安装结构，所述第二磁体安装于所述第二安装结构；
[0034]所述第二限位件包括相互连接的第二连接部与第二抵顶部，所述第二连接部与所述第二安装件可拆卸连接，以使所述第二限位件具有第二限位状态和第二闲置状态，在所述第二限位状态下，所述第二抵顶部对应所述第二安装结构设置以抵顶第二磁体；在所述第二闲置状态下，所述第二抵顶部避开所述第二安装结构，以使所述第二磁体可拆；
[0035]所述第二安装件与所述第一安装件可拆卸连接，所述第一安装结构与所述第二安装结构之间具有调节空间，所述线圈位于所述调节空间之中。
[0036]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体源机构，适用于真空腔体设备，其特征在于，所述等离子体源机构包括：壳体，对接所述真空腔体设备的真空槽；射频能源辐射单元，位于所述壳体内部，具有同平面设置且面向所述真空槽内的多个线圈；电源，连接所述射频能源辐射单元，提供高频电力至所述多个线圈；第一磁体，环设在所述多个线圈的外围部位，所述第一磁体配置位置与所述多个线圈并行，所述多个线圈具有沿所述多个线圈面延伸的延伸区域，所述第一磁体至少部分位于所述延伸区域内。2.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体位于所述多个线圈外围而配置于所述盘体。3.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体配置于所述壳体的内表面与所述壳体朝向所述真空槽的端面中至少一者。4.根据权利要求2或3所述的等离子体源机构，其特征在于，所述壳体与所述盘体中至少一者具有环设凹槽，所述第一磁体固设在所述凹槽。5.根据权利要求4所述的等离子体源机构，其特征在于，所述第一磁体与所述凹槽之间在形状上形成紧配或部分紧配关系。6.根据权利要求4所述的等离子体源机构，其特征在于，所述凹槽内具有内侧嵌孔，所述第一磁体置入所述凹槽且滑入所述内侧嵌孔形成紧配或卡掣关系。7.根据权利要求4所述的等离子体源机构，其特征在于，所述第一磁体配置于所述凹槽，所述凹槽与所述第一磁体接触的部位具有形状相对应的卡掣结构、勾合结构或扣合结构。8.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，所述第一磁体连续或间隔的设置。9.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，相邻的两个所述线圈之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈之间的间隙。10.根据权利要求9所述的等离子体源机构，其特征在于，所述多个线圈区别为多个线圈组，相邻的两个线圈组之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈组之间的间隙。11.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体与所述第一磁体之间间隔所述线圈，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内；或者，所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内，所述第二磁体面向所述线圈的方向与所述第一磁体面向所述线圈方向呈夹角。12.根据权利要求1所述的等离子体源机构，其特征在于，所述壳体包括壳本体和磁铁
固定组件，所述磁铁固定组件包括第一安装件和第一限位件，所述第一安装件设置于所述壳本体内表面与所述壳本体朝向所述真空槽的端面中至少一者，所述第一安装件具有第一安装结构，所述第一磁体可拆卸安装于第一安装结构；所述第一限位件包括相互连接的第一连接部与第一抵顶部，所述第一连接部与所述第一安装件可拆卸连接，以使所述第一限位件具有第一限位状态和第一闲置状态；在所述第一限位状态下，所述第一抵顶部对应所述第一安装结构设置以抵顶第一磁体；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：乐卫平，黄晓东，林伟群，刘涛，张桂东，练瑞祥，
申请(专利权)人：深圳市恒运昌真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：