用于2.5D结构的有机基板制造技术

本实用新型专利技术公开了用于2.5D结构的有机基板，涉及半导体领域，包括载板、薄膜电容层和第一金属种子层，薄膜电容层和第一金属种子层从下到上依次固定在载板上；在2.5D结构的有机基板内制作一层薄膜电容层取代实体电容，以避免载板表面异常引起的电容击穿异常。载板表面异常引起的电容击穿异常。载板表面异常引起的电容击穿异常。

【技术实现步骤摘要】
用于2.5D结构的有机基板


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种用于2.5D结构的有机基板。

技术介绍

[0002]随着CPU、GPU、FPGA等高性能计算(HPC)芯片性能要求的不断提高，传统的倒装封装(FC)、堆叠封装(POP)等封装技术已不能满足需求，对2.5D/3D封装技术的需求逐渐增加。目前，众所周知的2.5D封装技术有台积电的CoWoS，它可以将多个芯片封装在一起，达到了封装体积小、功耗低、引脚少的效果；但是现有市场上的芯片中需要埋入实体电容，导致芯片产品的厚度变大，同时可安装电容数量有限制。

技术实现思路

[0003]本技术的目的就在于为了解决上述问题设计了一种用于2.5D结构的有机基板。
[0004]本技术通过以下技术方案来实现上述目的：
[0005]用于2.5D结构的有机基板，包括载板、薄膜电容层和第一金属种子层，薄膜电容层和第一金属种子层从下到上依次固定在载板上。
[0006]本技术的有益效果在于：在2.5D结构的有机基板内制作一层薄膜电容层取代实体电容，以避免载板表面异常引起的电容击穿异常。
附图说明
[0007]图1是本技术用于2.5D结构的有机基板的结构示意图；
[0008]图2是采用本技术有机基板制作芯片的结构示意图；
[0009]图3是采用本技术有机基板制作芯片的流程示意图；
[0010]其中相应的附图标记为：
[0011]1‑
载板，2
‑
第二金属种子层，3
‑
牺牲层，4
‑
薄膜电容层，5
‑
第一金属种子层，6
‑
芯片。
具体实施方式
[0012]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0013]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0015]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0016]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0017]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0018]下面结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细说明。
[0019]如图1所示，用于2.5D结构的有机基板，包括载板1、薄膜电容层4和第一金属种子层5，薄膜电容层4和第一金属种子层5从下到上依次固定在载板1上，薄膜电容层4的第一侧面位于薄膜电容层4远离第一金属种子层5的一侧，在2.5D结构有机基板内制作一层薄膜电容/IPD，取代实体电容，以避免载板1表面异常引起的电容击穿异常；
[0020]制作薄膜电容层4时，使用PECVD或RF气相沉积技术将薄膜电容层4制备在牺牲层上，保证薄膜电容层4的均匀性，在完成流程后，使用机械方式进行分离，薄膜电容层4与牺牲层接触的侧面为第一侧面。
[0021]有机基板还包括第二金属种子层2，第二金属种子层2设置在载板1和薄膜电容层4之间，在载板1和薄膜电容层4之间增加第二金属种子层2，增加薄膜电容层4与载板1结合力。
[0022]载板1采用玻璃或金属制成。
[0023]如图1、图2、图3所示，采用本技术用于2.5D结构的有机基板的制备芯片6的过程如下：
[0024]薄膜电容层4制作：用PECVD或RF气相沉积技术将薄膜电容层4制备在牺牲层上，薄膜电容层4制备完成后，使用机械方式分离薄膜电容层4和牺牲层；
[0025]有机基板制作：在载板1上制备第二金属种子层2，再将薄膜电容层4的第一侧面与第二种子层固定，使得薄膜电容层4与载板1结合，然后再在薄膜电容层4上制备第一金属种子层5，由此便完成了有机基板的制备；
[0026]芯片6制作：在第一金属种子层5上需要有电容的区域制备第一电极，然后采用湿法蚀刻加上干法蚀刻的方式将不需要有电容的区域去除；再在去除区域的有机基板上进行重布线层制作和SOC/HBM组装工艺；然后再将有机基板上的载板1剥离，使得第二金属种子层2暴露出来；在第二金属种子层2上制备第二电极；然后再在第二电极上制作介电层，最后在进行植球，便完成了芯片6的制作。
[0027]本技术的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本技术的技
术方案做出的技术变形，均落入本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于2.5D结构的有机基板，其特征在于，包括载板、薄膜电容层和第一金属种子层，薄膜电容层和第一金属种子层从下到上依次固定在载板上，薄膜电容层的第一侧面位于薄膜电容层远离第一金属种子层的一侧。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李高林，
申请(专利权)人：成都奕斯伟系统集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：