薄膜晶体管、阵列基板和显示面板制造技术

本申请提出一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，其中，薄膜晶体管包括基板、以及层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和源漏极，薄膜晶体管沿有源层的宽度方向进行划分，将有源层划分为多个有源分支，对应的有源分支通过过孔连接至源极和漏极，形成多个子薄膜晶体管，降低薄膜晶体管的尺寸，降低薄膜晶体管的发热量，提高薄膜晶体管和显示面板的安全性和可靠性。全性和可靠性。全性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板和显示面板


[0001]本申请属于显示面板
，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]阵列基板设置有多个薄膜晶体管，包括位于显示区内的薄膜晶体管，以及位于非显示区外的驱动电路中的薄膜晶体管，当薄膜晶体管尺寸较大时，存在大电流工作出现发热现象，并当发热量过大时，会导致器件劣化乃至过热烧穿，影响显示面板的安全性。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种薄膜晶体管，通过调整薄膜晶体管的有源层的宽度，改善传统的薄膜晶体管因尺寸大导致过热，造成器件损坏和影响显示面板的安全性的问题。
[0004]本申请实施例的第一方面提出了一种薄膜晶体管，包括：
[0005]基板；
[0006]依次层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和源漏极；
[0007]所述有源层包括沿第一方向并排设置的多个有源分支；
[0008]所述源漏极包括同层设置的漏极和源极，所述漏极和所述源极分别通过在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开设的过孔与对应的所述有源分支连接，形成多个子薄膜晶体管。
[0009]可选地，所述源极包括沿第二方向并排设置的多个源极分支，所述漏极包括沿第二方向并排设置的多个漏极分支，所述多个漏极分支和所述多个源极分支沿第二方向依次交错并排设置；
[0010]所述多个源极分支并行连接，所述多个漏极分支并行连接，所述第一方向与所述第二方向垂直。
[0011]可选地，所述栅极包括多个沿第二方向并排设置的多个栅极分支，沿所述薄膜晶体管的正投影方向，每个所述栅极分支位于一个所述源极分支和一个所述漏极分支之间，且与所述源极分支和所述漏极分支未重叠；
[0012]所述多个栅极分支并行连接。
[0013]可选地，沿所述薄膜晶体管的正投影方向，每个所述栅极分支与所述源极分支的间距大于或者等于1um，每个所述栅极分支与所述漏极分支的间距大于或者等于1um。
[0014]可选地，各所述有源分支尺寸相同，所述有源分支的宽度与温升的公式为：
[0015][0016]其中，u
eff
为有源层的场效应迁移率，C
Ox
为沟道区单位面积电容值，C为有源层的比热容，m为有源层的质量，V
GS
为薄膜晶体管的栅源极电压，V
th
为薄膜晶体管的阈值开启电压，t为工作时间，W为有源分支的宽度，L为有源分支的宽度。
[0017]可选地，所述薄膜晶体管还包括：
[0018]层叠设置于所述基板与所述有源层之间的遮光层。
[0019]可选地，所述薄膜晶体管还包括：
[0020]层叠设置于所述有源层和所述遮光层之间的缓冲层。
[0021]可选地，所述薄膜晶体管还包括：
[0022]覆盖于所述源漏极上的钝化层。
[0023]本申请实施例的第二方面提出了一种阵列基板，包括多个如上所述的薄膜晶体管。
[0024]本申请实施例的第三方面提出了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
[0025]本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的包括薄膜晶体管层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和源漏极，薄膜晶体管沿有源层的宽度方向进行划分，将有源层划分为多个有源分支，对应有源分支通过过孔连接至源极和漏极，形成多个子薄膜晶体管，降低薄膜晶体管的尺寸，降低薄膜晶体管的发热量，提高薄膜晶体管和显示面板的安全性和可靠性。
附图说明
[0026]图1为本申请实施例提供的薄膜晶体管的第一结构示意图；
[0027]图2为本申请实施例提供的薄膜晶体管的第二结构示意图；
[0028]图3为本申请实施例提供的薄膜晶体管的第三结构示意图；
[0029]图4为图3所示的薄膜晶体管的局部放大示意图；
[0030]图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
[0031]其中，图中各附图标记为：
[0032]100、阵列基板；200、彩膜基板；300、液晶层；10、基板；20、有源层；30、第一绝缘层；40、栅极；50、第二绝缘层；60、源漏极；70、遮光层；80、缓冲层；90、钝化层；21、有源分支；41、栅极分支；61、漏极；62、源极；611、漏极分支；621、源极分支。
具体实施方式
[0033]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0034]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0035]实施例一
[0036]本申请实施例的第一方面提出了一种薄膜晶体管，如图1所示，图1为本申请实施例一提供的薄膜晶体管的剖面结构图，本实施例中，薄膜晶体管包括：
[0037]基板10；
[0038]依次层叠设置的有源层20、第一绝缘层30、栅极40、第二绝缘层50和源漏极60；
[0039]如图2所示，有源层20包括沿第一方向并排设置的多个有源分支21；
[0040]源漏极60包括同层设置的漏极61和源极62，漏极61和源极62分别通过在第一绝缘层30和第二绝缘层50开设的过孔与对应的有源分支21连接，形成多个子薄膜晶体管。
[0041]本实施例中，薄膜晶体管采用顶栅或者顶栅为主的双栅结构，有源层20与栅极40之间通过第一绝缘层30绝缘设置，栅极40与源漏极60之间通过第二绝缘层50绝缘设置，在第一绝缘层30和第二绝缘层50上开设过孔连接有源层20和源漏极60，形成薄膜晶体管，栅极40、源极62和漏极61分别通过引脚连接至外部模块，例如连接至数据线、扫描线、像素单元，或者连接至驱动电路、其余的薄膜晶体管等，进而传输数据信号、扫描信号、或者时钟信号等信号中的对应信号。
[0042]其中，为了降低薄膜晶体管的发热量，将有源层20沿着宽度方向进行分割，即沿着源漏极60的长度方向进行分割，形成并排设置的多个有源分支21，同时，漏极61和源极62分别通过过孔连接至各有源分支21，形成多个并联的子薄膜晶体管，降低了薄膜晶体管的整体尺寸，根据焦耳定律可知，薄膜晶体管在工作时间t之后产生热量
△
Q，以及结合薄膜晶体管实际工作时的电压和电流公式，可以得出薄膜晶体管的发热量与器件尺寸的相对关系，具体地，热量
△
Q的计算公式为：
[0043]ΔQ＝I2*R*t＝U*I*t；
[0044][0045]U＝V
DS
；
[0046][0047]其中，U为薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；依次层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层和源漏极；所述有源层包括沿第一方向并排设置的多个有源分支；所述源漏极包括同层设置的漏极和源极，所述漏极和所述源极分别通过在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层开设的过孔与对应的所述有源分支连接，形成多个子薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括沿第二方向并排设置的多个源极分支，所述漏极包括沿第二方向并排设置的多个漏极分支，所述多个漏极分支和所述多个源极分支沿第二方向依次交错并排设置；所述多个源极分支并行连接，所述多个漏极分支并行连接，所述第一方向与所述第二方向垂直。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括多个沿第二方向并排设置的多个栅极分支，沿所述薄膜晶体管的正投影方向，每个所述栅极分支位于一个所述源极分支和一个所述漏极分支之间，且与所述源极分支和所述漏极分支未重叠；所述多个栅极分支并行连接。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿所述薄膜晶体管的正投影方向，每个所述栅极分支与所述源极分支的间距大于或者等于1um，每...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁鑫，周秀峰，李荣荣，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：