负电源监控系统及方法技术方案

技术编号:35941179 阅读:79 留言:0更新日期:2022-12-14 10:29
本发明专利技术提供了一种负电源监控系统及方法,该负电源监控系统包括:输出基准负压的负电压基准电路;用于获取目标负压的采集电路;电压检测电路,用于将基准负压与目标负压进行比较,以确定目标负压是否超过预设电压值;以及,迟滞控制电路,用于在目标负压超过预设电压值时控制目标负压与基准负压的差值不小于预设差值,以控制电压检测电路输出稳定的电压值。本发明专利技术的负电源监控系统解决了现有技术中由于负电源过载使得输出电压较高而导致发射的微波信号质量变差的问题。微波信号质量变差的问题。微波信号质量变差的问题。

【技术实现步骤摘要】
负电源监控系统及方法


[0001]本专利技术涉及电源检测领域,尤其涉及一种负电源监控系统及方法。

技术介绍

[0002]TR组件中负责发射和接收信号的半导体射频微波芯片工作于负电压状态下,微波信号的发射需要巨大的能量,即需要较高的发射功率,使负电压电源产生极大的负载电流。因此,在TR组件中需要时刻关注负电压电源的状态,以确定负电源是否因过载而导致输出电压被拉高,从而导致发射的微波信号质量变差。
[0003]因此,有必要提出一种用于监测负电源电压的系统,以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种负电源监控系统及方法,以解决现有技术中由于负电源过载使得输出电压较高而导致发射的微波信号质量变差的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术是这样实现的:
[0006]第一方面,本专利技术提供一种负电源监控系统,包括:
[0007]输出基准负压的负电压基准电路;
[0008]用于获取目标负压的采集电路;
[0009]电压检测电路,用于将所述基准负压与所述目标负压进行比较,以确定所述目标负压是否超过预设电压值;以及,
[0010]迟滞控制电路,用于在所述目标负压超过所述预设电压值时控制所述目标负压与所述基准负压的差值不小于预设差值,以控制所述电压检测电路输出稳定的电压值。
[0011]作为本专利技术的进一步改进,电压转换电路和输出电路,所述电压转换电路用于将所述电压检测电路输出的电压值进行转换,并通过所述输出电路输出转换后的第一目标电压。
[0012]作为本专利技术的进一步改进,所述电压转换电路具有用于在所述电压检测电路和所述迟滞控制电路无法工作时控制所述输出电路输出第二目标电压的输出状态调整模块。
[0013]作为本专利技术的进一步改进,所述电压转换电路还包括:
[0014]一组PMOS管和一组NMOS管,两个PMOS管的漏极分别与两个NMOS管的漏极对应相连,且两个PMOS管的栅极分别和与其交叉的两个NMOS管的漏极对应相连,两个NMOS管的栅极分别连接至迟滞控制电路,所述输出状态调整模块与两个PMOS管的漏极相连,且所述输出电路连接至其中一个PMOS管的漏极。
[0015]作为本专利技术的进一步改进,所述输出状态调整电路由设置于其中一个PMOS管的漏极与源极之间的第一电阻、设置于另一个PMOS管的漏极与电源之间的第二电阻构成。
[0016]作为本专利技术的进一步改进,所述电压检测电路包括:
[0017]依次首尾相连的第一MOS管组,其中,位于首端的第一MOS管组与所述负电压基准电路相连,位于尾端的第一MOS管组与所述迟滞控制电路相连。
[0018]作为本专利技术的进一步改进,所述采集电路由三个首尾相连的第一采样电阻、第二采样电阻以及第三采样电阻构成,其中,位于中间位置的第一MOS管组的采样端与所述第二采样电阻的采样端相连,与第二采样电阻的采样端相对的一端连接至所述迟滞控制电路。
[0019]作为本专利技术的进一步改进,所述迟滞控制电路包括:
[0020]与采集电路相连的MOS管;
[0021]两个由PMOS管和NMOS管相串联构成的第二MOS管组,其中一个第二MOS管组的输出端连接至另一第二MOS管组的输入端,且其中一个第二MOS管组的输入端与所述电压检测电路相连。
[0022]作为本专利技术的进一步改进,其中一个第二MOS管组的输出端连接至所述电压转换电路的第一输入端,另一个第二MOS管组的输出端连接至所述电压转换电路的第二输入端。
[0023]第二方面,本专利技术还提供一种负电源监控方法,包括:
[0024]获取基准负压和目标负压;
[0025]通过电压检测电路将所述基准负压与所述目标负压进行比较,以确定所述目标负压是否超过预设电压值;以及,
[0026]通过迟滞控制电路在所述目标负压超过所述预设电压值时控制所述目标负压与所述基准负压的差值不小于预设差值,以控制所述电压检测电路输出稳定的电压值。
[0027]在本专利技术中,负电源监控系统通过电压检测电路对负电压基准电路输出的基准负压与采集电路获取的目标负压进行比较,以确定目标负压是否超过预设电压值,并通过迟滞控制电路在目标负压超过预设电压值时对目标负压与基准负压的差值进行控制,以控制电压检测电路输出稳定的电压值,从而在负电源电压产生波动时确保迟滞控制电路输出电压的稳定性,从而解决现有技术中由于负电源过载使得输出电压较高而导致发射的微波信号质量变差的问题。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一个实施例的负电源监控系统的示意性结构框图;
[0029]图2为本专利技术一个实施例的迟滞控制电路与采集电路的示意性连接结构图;
[0030]图3为本专利技术一个具体实施例的负电源监控系统的示意性电路图;
[0031]图4为本专利技术另一个实施例的迟滞控制电路与采集电路的示意性连接结构图;
[0032]图5为根据本专利技术一个实施例的电压转换电路和输出电路的示意性连接结构图;
[0033]图6为根据本专利技术一个实施例的负电源监控方法的示意性流程图;
[0034]图7为根据本专利技术另一个实施例的负电源监控方法的示意性流程图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本专利技术的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本专利技术的保护范围之内。
[0036]以下结合附图,详细说明本专利技术各实施例提供的技术方案。
[0037]图1为本专利技术一个实施例的负电源监控系统100(也可简称为“系统100”)的示意性结构框图,以解决现有技术中由于负电源过载使得输出电压较高而导致发射的微波信号质
量变差的问题。本实施例的负电源监控系统100包括输出基准负压的负电压基准电路10;用于获取目标负压的采集电路20;电压检测电路30,用于将基准负压vref与目标负压vsamp进行比较,以确定负电源电压VEE是否超过预设电压值;以及,迟滞控制电路40,用于在负电源电压VEE超过预设电压值时控制目标负压与基准负压的差值不小于预设差值,以控制电压检测电路30输出稳定的电压值。
[0038]应理解,负电源监控系统100通过电压检测电路30对负电压基准电路10输出的基准负压与采集电路20获取的目标负压进行比较,以确定负电源电压VEE是否超过预设电压值,并通过迟滞控制电路40在负电源电压VEE超过预设电压值时对目标负压与基准负压的差值进行控制,以控制电压检测电路30输出稳定的电压值,从而在负电源电压产生波动时确保迟滞控制电路40输出电压的稳定性,解决了现有技术中由于负电源过载使得输出电压较高而导致发射的微波信号质量变差的问题。
[0039]如图2所示,电压检测电路30由比较器U1构成,比较器U1的反相输入端与负电压基准电路10相连,比较器U1的同相输入端与采集电本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负电源监控系统,其特征在于,包括:输出基准负压的负电压基准电路;用于获取目标负压的采集电路;电压检测电路,用于将所述基准负压与所述目标负压进行比较,以确定所述目标负压是否超过预设电压值;以及,迟滞控制电路,用于在所述目标负压超过所述预设电压值时控制所述目标负压与所述基准负压的差值不小于预设差值,以控制所述电压检测电路输出稳定的电压值。2.根据权利要求1所述的负电源监控系统,其特征在于,还包括:电压转换电路和输出电路,所述电压转换电路用于将所述电压检测电路输出的电压值进行转换,并通过所述输出电路输出转换后的第一目标电压。3.根据权利要求2所述的负电源监控系统,其特征在于,所述电压转换电路具有用于在所述电压检测电路和所述迟滞控制电路无法工作时控制所述输出电路输出第二目标电压的输出状态调整模块。4.根据权利要求3所述的负电源监控系统,其特征在于,所述电压转换电路还包括:一组PMOS管和一组NMOS管,两个PMOS管的漏极分别与两个NMOS管的漏极对应相连,且两个PMOS管的栅极分别和与其交叉的两个NMOS管的漏极对应相连,两个NMOS管的栅极分别连接至迟滞控制电路,所述输出状态调整模块与两个PMOS管的漏极相连,且所述输出电路连接至其中一个PMOS管的漏极。5.根据权利要求4所述的负电源监控系统,其特征在于,所述输出状态调整电路由设置于其中一个PMOS管的漏极与源极之间的第一电阻、设置于另一个PMOS管的漏极与电源之间的第二电阻构成。6...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱勤辉曹发兵杨亮亮杨思佳田源
申请(专利权)人:江苏万邦微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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