一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件技术

本发明专利技术公开了一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件，制作方法包括以下步骤：A、扩散前处理；B、磷预扩；C、背面化腐；D、磷主扩，使用磷主扩程序推结；E、沟槽光刻；F、电泳钝化；G、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；H、对硅片表面进行化学处理；I、使用双面涂源工艺予扩；J、使用硼主扩推结；K、使用沟槽光刻，电泳；L、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；M、将一颗P型芯片一颗N型芯片进行叠料封装在DO

【技术实现步骤摘要】
一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件


[0001]本专利技术涉及保护器件制作
，具体为一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件。

技术介绍

[0002]现有电路板上需要5000W功率以上必须使用单颗220mil以上，而封装SMC,SMD封装形式要达到5000W以上功率则必须用两颗160mil叠料满足功率大功率需求，一般使用两颗160
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29ca芯粒叠料封装。
[0003]传统大功率叠料TVS使用同型号N型芯片或P型芯片多颗堆叠。N型芯片堆叠的缺点是钳位电压随浪涌电流的增大而升高，呈现正阻特性。P型芯片堆叠的缺点是钳位电压随浪涌电流的增大而减小，呈现负阻特性，严重时都会低于启动电压。给直流保护带来选型难的问题。因此，有必要设计一种大功率低钳位保护器件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种大功率低钳位保护器件的制作方法及保护器件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种大功率低钳位保护器件的制作方法，制作方法包括以下步骤：
[0006]A、扩散前处理；
[0007]B、磷预扩；
[0008]C、背面化腐；
[0009]D、磷主扩，使用磷主扩程序推结；
[0010]E、沟槽光刻；
[0011]F、电泳钝化；
[0012]G、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；
[0013]H、对硅片表面进行化学处理；
[0014]I、使用双面涂源工艺予扩；
[0015]J、使用硼主扩推结；
[0016]K、使用沟槽光刻，电泳；
[0017]L、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；
[0018]M、将一颗P型芯片一颗N型芯片进行叠料封装在DO
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214AB里。
[0019]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤A具体为：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序使硅片厚度达到250um，对硅片表面进行化学处理。
[0020]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤B磷扩散温度为1090℃
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1120℃，扩散时间为120min
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150min。
[0021]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤E光刻160mil
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170mil。
[0022]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤F中在沟槽内电泳上玻璃作为钝化层。
[0023]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤H具体为：采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序使硅片厚度达到250um，对硅片表面进行化学处理。
[0024]优选的，本申请提供的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其中，所述步骤J中扩散温度为1200℃
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1400℃，扩散时间为180min
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200min。
[0025]优选的，一种大功率低钳位保护器件，所述保护器件由上述任意所述的制作方法制作而成。
[0026]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0027](1)本专利技术制作方法简单，制得的保护器件功率达到6000W以上，该保护器件VB与VC相近，可靠性高，VC不受IPP增加呈线性增长，8/20uS波形比常规产品强，本专利技术的制作方法能够制造出高功率，高可靠性，低钳位电压的5.0SMDJ58CA。
[0028](2)本专利技术使用一颗P型160mil，崩溃电压在26.5
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28.5V区间，一颗N型160mil，崩溃电压在32
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42V，封装后能够满足常规电性要求，合适的折回幅度具备低钳位特殊要求，在标称IPP测试情况下比标准件的vc低10V～20V，在小电流下又不产生负阻效应。
附图说明
[0029]图1为本专利技术N型+P型芯片堆叠结构示意图；
[0030]图2为本专利技术N型+P型呈现特性曲线图；
[0031]图3为现有技术N型芯片堆叠结构示意图；
[0032]图4为N型芯片正阻特性曲线图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]实施例一：
[0035]请参阅图1
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2，本专利技术提供如下技术方案：一种大功率低钳位保护器件的制作方法，制作方法包括以下步骤：
[0036]A、扩散前处理；
[0037]B、磷预扩；
[0038]C、背面化腐；
[0039]D、磷主扩，使用磷主扩程序推结；
[0040]E、沟槽光刻；
[0041]F、电泳钝化；
[0042]G、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；
[0043]H、对硅片表面进行化学处理；
[0044]I、使用双面涂源工艺予扩；
[0045]J、使用硼主扩推结；
[0046]K、使用沟槽光刻，电泳；
[0047]L、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；
[0048]M、将一颗P型芯片一颗N型芯片进行叠料封装在DO
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214AB里。
[0049]本实施例中，所述步骤A具体为：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序使硅片厚度达到250um，对硅片表面进行化学处理。
[0050]本实施例中，所述步骤B磷扩散温度为1090℃，扩散时间为120min。
[0051]本实施例中，所述步骤E光刻160mil。
[0052]本实施例中，所述步骤F中在沟槽内电泳上玻璃作为钝化层。
[0053]本实施例中，所述步骤H具体为：采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序使硅片厚度达到250um，对硅片表面进行化学处理。
[0054]本实施例中，所述步骤J中扩散温度为1200℃，扩散时间为180min。
[0055]实施例二：
[0056]一种大功率低钳位保护器件的制作方法，制作方法包括以下步骤：
[0057]A、扩散前处理；
[0058]B、磷预扩；
[0059]C、背面化腐；
[0060]D、磷主扩，使用磷主扩程序推结；
[0061]E、沟槽光刻；
[0062]F、电泳钝化；
[0063]G、在硅片上蒸发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其特征在于：制作方法包括以下步骤：A、扩散前处理；B、磷预扩；C、背面化腐；D、磷主扩，使用磷主扩程序推结；E、沟槽光刻；F、电泳钝化；G、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；H、对硅片表面进行化学处理；I、使用双面涂源工艺予扩；J、使用硼主扩推结；K、使用沟槽光刻，电泳；L、在硅片上蒸发TI\NI\AG金属，通过金属光刻工艺刻出所需的焊接电极；M、将一颗P型芯片一颗N型芯片进行叠料封装在DO
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214AB里。2.根据权利要求1所述的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤A具体为：采用P型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序使硅片厚度达到250um，对硅片表面进行化学处理。3.根据权利要求1所述的一种大功率低钳位保护器件的制作方法，其特征在于：所述步骤B磷扩散温度为1090℃
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1120℃，扩散时...

【专利技术属性】
技术研发人员：王黎明，
申请(专利权)人：江苏晟驰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：