一种射频开关结构和射频开关模组制造技术

本发明专利技术涉及一种射频开关结构和射频开关模组，属于射频开关领域，该射频开关结构包括信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，信号输入端与晶体管堆栈的第1个晶体管连接，信号输出端与晶体管堆栈的第N个晶体管连接；在多晶硅层中，将N个晶体管中的至少一个预设栅极叉指的栅极所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接。本发明专利技术的射频开关结构使得晶体管中预设栅极叉指上的实际电阻远小于多晶硅层的方块电阻，从而避免因晶体管的栅极叉指所在的多晶硅层的方块电阻过大导致晶体管中不同栅极叉指存在压降过大的问题，进而有效改善晶体管的耐压性，提升射频开关结构的稳定性。频开关结构的稳定性。频开关结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种射频开关结构和射频开关模组


[0001]本专利技术涉及射频开关领域，特别涉及一种射频开关结构和射频开关模组。

技术介绍

[0002]现有技术的射频开关结构中，晶体管堆栈含有若干个晶体管叉指M1,M2,
…
,MN，每个晶体管叉指包括栅极、源极和漏极。在实际工艺设计过程中，每个晶体管的栅极叉指均设置在多晶硅层(即Poly层)上，而多晶硅层(即Poly层)的方块电阻的阻值往往较大，因此，当晶体管中的栅极叉指数量过多时，会使得晶体管中不同栅极叉指间存在压降过大的问题，从而影响晶体管的耐压性和影响射频开关结构的正常工作。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题，本专利技术提供一种射频开关结构和射频开关模组，以解决现有射频开关结构的晶体管中不同栅极叉指存在压降过大的问题。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种射频开关结构，包括：
[0005]信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；
[0006]所述晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，N>1，所述信号输入端与所述晶体管堆栈的第1个晶体管连接，所述信号输出端与所述晶体管堆栈的第N个晶体管连接；
[0007]每一所述晶体管被实现为叉指配置器件，每一所述晶体管包括M个栅极叉指，M>1；
[0008]在多晶硅层中，将所述晶体管中的至少一个预设栅极叉指所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接。
[0009]可选的，所述多晶硅区域和所述第一区域在纵向上的投影至少部分交叠。
[0010]可选的，在所述晶体管的所述M个栅极叉指中，将每间隔设定数量的栅极叉指作为所述预设栅极叉指。
[0011]可选的，所述第一区域所在的金属层为所述多晶硅区域所在的多晶硅层的相邻上层，或者，所述第一区域所在的金属层为所述多晶硅区域所在的多晶硅层的相邻下层。
[0012]可选的，所述多晶硅层的方块电阻为Z1，所述金属层的方块电阻为Z2，所述预设栅极叉指的电阻Z0＝(Z1*Z2)/(Z1+Z2)。
[0013]可选的，所述第一连接结构为金属连接柱。
[0014]可选的，所述多晶硅层上开设第一过孔，所述金属层上开设有第二过孔，所述第一过孔通过所述第一连接结构连接所述第二过孔。
[0015]可选的，所述晶体管中有源区层和金属层之间通过第二连接结构连接，所述有源区层上开设第三过孔，所述金属层上开设有第四过孔，所述第三过孔通过所述第二连接结构连接所述第四过孔。
[0016]可选的，所述第一过孔与所述第三过孔之间具有设定距离的间距，所述第二过孔和第四过孔之间具有设定距离的间距。
[0017]可选的，所述预设栅极叉指下方的有源区层上具有挖空结构，所述挖空结构的位
置设在所述第一连接结构的延伸方向上。
[0018]可选的，偏置电压端输出的偏置控制电压通过所述多晶硅层加载在所述晶体管的至少一个所述栅极叉指上。
[0019]第二方面，本专利技术提供一种射频开关模组，包括：
[0020]包括基板，以及设置在所述基板上的第一方面所述的射频开关结构。
[0021]上述方案具有以下有益效果：
[0022]本专利技术的射频开关结构及射频开关模组，信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；所述晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，N>1，所述信号输入端与所述晶体管堆栈的第1个晶体管连接，所述信号输出端与所述晶体管堆栈的第N个晶体管连接；每一所述晶体管被实现为叉指配置器件，每一所述晶体管包括M个栅极叉指，M>1；在多晶硅层中，将每一个所述晶体管中的至少一个预设栅极叉指所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接；通过将晶体管中的一个或若干个预设栅极叉指所在的多晶硅区域，通过第一连接结构连接到相邻的金属层中的预设第一区域，使得晶体管中预设栅极叉指上的实际电阻远小于多晶硅层的方块电阻，从而可以避免因晶体管的栅极叉指所在的多晶硅层(Poly层)的方块电阻过大而导致晶体管中不同栅极叉指存在压降过大的问题，进而有效改善晶体管的耐压性，以提升了射频开关结构的稳定工作性能。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例一中提供的射频开关结构电路图；
[0024]图2是本专利技术实施例一中提供的一种射频开关结构中的晶体管结构图；
[0025]图3是本专利技术实施例三中提供的一种射频开关模组结构图；
[0026]符号说明如下：
[0027]1、多晶硅层；101、多晶硅区域；2、金属层；201、第一区域；3、第一连接结构；41、N型源区；42、P型源区；51、P型阱区；52、N型阱区；6、衬底；7、源极；8、漏极；9、第二连接结构；31、基板；32、射频开关芯片；33、射频开关结构；34、天线。
具体实施方式
[0028]为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步的详细说明。
[0029]应当理解，下面阐述的实施例代表了使本领域技术人员能够实施实施例并说明实施实施例的最佳模式的必要信息。在根据附图阅读以下描述后，本领域技术人员将理解本公开的概念并且将认识到这些概念在本文中未特别提及的应用。应当理解，这些概念和应用落入本公开和所附权利要求的范围内。
[0030]还应当理解，尽管本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元素，但是这些元素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如，可以将第一元件称为第二元件，并且类似地，可以将第二元件称为第一元件，而不脱离本公开的范围。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
[0031]还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件。相反，当一个元素被称为“直接连接”或
“
直接耦合”到另一个元素时，不存在中间元素。
[0032]还应当理解，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“底部”、“中间”、“中间”、“顶部”等可以在本文中用于描述各种元素，指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此这些元素不应受这些条款的限制。
[0033]这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如，第一元件可以被称为“上”元件，并且类似地，第二元件可以根据这些元件的相对取向被称为“上”元件，而不脱离本公开的范围。
[0034]进一步理解，术语“包括”、“包含”、“包括”和/或“包含”在本文中使用时指定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或它们的组。
[0035]除非另有定义，本文使用的所有术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关结构，其特征在于，包括：信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；所述晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，N>1，所述信号输入端与所述晶体管堆栈的第1个晶体管连接，所述信号输出端与所述晶体管堆栈的第N个晶体管连接；每一所述晶体管被实现为叉指配置器件，每一所述晶体管包括M个栅极叉指，M>1；在多晶硅层中，将所述晶体管中的至少一个预设栅极叉指所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接。2.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述多晶硅区域和所述第一区域在纵向上的投影至少部分交叠。3.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，在所述晶体管的所述M个栅极叉指中，将每间隔设定数量的栅极叉指作为所述预设栅极叉指。4.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述第一区域所在的金属层为所述多晶硅区域所在的多晶硅层的相邻上层，或者，所述第一区域所在的金属层为所述多晶硅区域所在的多晶硅层的相邻下层。5.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述多晶硅层的方块电阻为Z1，所述金属层的方块电阻为Z2，所述预设栅极叉指的电阻Z0＝(Z1*Z2)/(Z1+Z2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蕴洲，王欢，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐磐微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：