一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法技术

一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，涉及碳化硅加工技术领域，用于解决现有技术中需重复整个圆周倒角而导致的倒角过量，以及效率低、合格率低的技术问题。所述改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位置检测；识别毛边及所述毛边的相应坐标；针对所述毛边的坐标区域进行边缘修整。本发明专利技术提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，通过针对性地精准定位倒角，从而有效提高倒角修整效率，减少了重复整个圆周倒角导致的倒角过量的现象，进而提高了倒角的合格率和精准率，进而有效提升了工作效率。作效率。作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法
[0001]
碳化硅衬底本专利技术涉及碳化硅加工
，尤其涉及一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法。

技术介绍

[0002]目前，碳化硅衬底倒角主要分为手动式和自动式，现有倒角工艺过程中只能实现对整个圆周范围内的连续倒角，当被倒角晶圆存在局部倒角质量差（毛边）情况下，只能进行重复整个圆周范围内的连续倒角，导致倒角效率低，重复整个圆周倒角，会出现倒角过量的情况，从而降低合格率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，用于解决现有技术中需重复整个圆周倒角而导致的倒角过量，以及效率低、合格率低的技术问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位置检测；识别毛边及所述毛边的相应坐标；针对所述毛边的坐标区域进行边缘修整。
[0005]实际应用时，所述改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，具体包括以下步骤：采用光学显微镜检测并判定晶圆倒角毛边的位置，以及毛边的尺寸；将倒角毛边的位置坐标进行标记；将标记的坐标记录以及毛边的尺寸输入定位操作系统进行精准定位；进行局部倒角操作。
[0006]其中，进行边缘修整局部倒角操作时，加工参数包括工件尺寸、砂轮转速、吸盘转速、以及去除量。
[0007]相对于现有技术，本专利技术所述的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法具有以下优势：本专利技术提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法中，也即一种应用于改善碳化硅局部倒角质量差（毛边）的方法，其通过检测判定局部倒角质量差（毛边）位置及大小，并将倒角质量差（毛边）的位置进行定位，同时分别设定需要改善位置对应的加工参数，再开始进行倒角；换言之，本专利技术提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，通过针对性地精准定位倒角，从而有效提高倒角修整效率，减少了重复整个圆周倒角导致的倒角过量的现象，进而提高了倒角的合格率和精准率，进而有效提升了工作效率。
附图说明
[0008]图1为本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法的流程示意图。
具体实施方式
[0009]为了便于理解，下面结合说明书附图，对本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法进行详细描述。
[0010]本专利技术实施例提供一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，如图1所示，包括以下步骤：步骤S1、采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位置检测；步骤S2、识别毛边及所述毛边的相应坐标；步骤S3、针对所述毛边的坐标区域进行边缘修整。
[0011]相对于现有技术，本专利技术实施例所述的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法具有以下优势：本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法中，也即一种应用于改善碳化硅局部倒角质量差（毛边）的方法，其通过检测判定局部倒角质量差（毛边）位置及大小，并将倒角质量差（毛边）的位置进行定位，同时分别设定需要改善位置对应的加工参数，再开始进行倒角；换言之，本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，通过针对性地精准定位倒角，从而有效提高倒角修整效率，减少了重复整个圆周倒角导致的倒角过量的现象，进而提高了倒角的合格率和精准率，进而有效提升了工作效率。
[0012]实际应用时，本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，具体可以包括以下步骤：步骤S10、采用光学显微镜检测并判定晶圆倒角毛边的位置，以及毛边的尺寸；步骤S20、将倒角毛边的位置坐标进行标记；步骤S30、将标记的坐标记录以及毛边的尺寸输入定位操作系统进行精准定位；步骤S40、进行局部倒角操作。
[0013]其中，上述进行边缘修整局部倒角操作时，加工参数可以包括但不限于：工件尺寸、砂轮转速、吸盘转速、以及去除量。
[0014]综上所述，本专利技术实施例提供的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，除了现有技术中常规的传送、倒角、清洗外，还额外增加了局部精准定位；其特别适用于存在局部倒角质量差（毛边）的晶圆的检测、定位及局部修整，高效快捷地进行晶圆局部毛边修整，有效提高了工作效率和合格率。
[0015]以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位置检测；识别毛边及所述毛边的相应坐标；针对所述毛边的坐标区域进行边缘修整。2.根据权利要求1所述的改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用光学显微镜检测并判定衬底倒角毛边的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高彦静，崔景光，李雪涛，汤欢，程笑媛，
申请(专利权)人：河北同光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：